一种半导体制造设备及其处理腔、气体发生装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种半导体制造设备及其处理腔、气体发生装置，涉及半导体制造设备技术领域，用于解决处理腔中的密封件容易受到高温及等离子体影响，从而导致处理腔的密封性不能满足密封需求的技术问题。所述半导体制造处理腔包括：至少一处连接结构；密封件，密封件置于连接结构中，用于对处理腔进行密封；气体通道，气体通道的进气口与气体发生装置连接，气体通道的出气口位于连接结构中，用于向连接结构通入惰性气体，以隔离密封件与处理腔中的处理气体。所述气体发生装置向半导体制造处理腔提供惰性气体。惰性气体。惰性气体。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体制造设备及其处理腔、气体发生装置


[0001]本专利技术涉及半导体制造设备
，尤其涉及一种半导体制造设备及其处理腔、气体发生装置。

技术介绍

[0002]半导体制造过程中，如在刻蚀工序中的干法刻蚀，需要在半导体制造设备中的处理腔通入等离子体处理气体以对处理腔中的待刻蚀物进行干法刻蚀。在处理过程中，处理腔需要利用密封件来保证腔体内部的真空度或密封性能。
[0003]刻蚀工序中的等离子体温度高，处理气体会与处理腔的密封件接触。而密封件的内侧靠近处理腔的腔体，容易受到高温及等离子体影响。因此，密封件会产生变形、损坏或降解等问题，从而导致处理腔的密封性不能满足密封需求。进而影响半导体制造过程中产品的合格率。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种半导体制造设备及其处理腔、气体发生装置，用于解决处理腔中的密封件容易受到高温及等离子体影响，从而导致处理腔的密封性不能满足密封需求的技术问题。
[0005]为了实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
[0006]第一方面，本专利技术提供本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体制造处理腔，其特征在于，包括：至少一处连接结构；密封件，所述密封件置于所述连接结构中，用于对所述处理腔进行密封；气体通道，所述气体通道的进气口与气体发生装置连接，所述气体通道的出气口位于所述连接结构中，用于向所述连接结构通入惰性气体，以隔离所述密封件与所述处理腔中的处理气体。2.根据权利要求1所述的半导体制造处理腔，其特征在于，所述气体通道的出口位于所述密封件靠近所述处理腔的腔体一侧。3.根据权利要求1所述的半导体制造处理腔，其特征在于，所述气体通道的数量为多个，所述多个气体通道沿所述密封件的外周均匀设置在所述连接结构上。4.根据权利要求1至3任一项所述的半导体制造处理腔，其特征在于，所述连接结构上具有阻挡部，所述阻挡部位于所述处理腔的腔体与所述密封件之间，用于阻挡所述处理气体。5.根据权利要求4所述的半导体制造处理腔，其特征在于，所述阻挡部包括至少一对嵌合的第一凹槽与第一凸起；所述第一凹槽和所述第一凸起之间形成的间隙与所述气体通道的出气口相连通。6.根据权利要求5所述的半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑宇现，李俊杰，李琳，王佳，周娜，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：