温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开一种半导体制造设备及其处理腔、气体发生装置，涉及半导体制造设备技术领域，用于解决处理腔中的密封件容易受到高温及等离子体影响，从而导致处理腔的密封性不能满足密封需求的技术问题。所述半导体制造处理腔包括：至少一处连接结构；密封件，密封...
该专利属于真芯（北京）半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过真芯（北京）半导体有限责任公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。