在等离子体室中对衬底进行等离子体处理的方法和等离子体处理系统技术方案

一种在等离子体室中对衬底进行等离子体处理的方法，包括以下步骤：a.向等离子体室供应电源信号，以便在等离子体室中形成等离子体；b.监测与等离子体处理相关的至少一个参数；c.确定与所监测的所述至少一个参数相关的特征；d.在等离子体处理期间调整电源信号以修改特征。改特征。改特征。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】在等离子体室中对衬底进行等离子体处理的方法和等离子体处理系统


[0001]本专利技术涉及一种在等离子体室中对衬底进行等离子体处理的方法，包括向等离子体室供应电源信号以便在等离子体室中形成等离子体以及监测与等离子体处理相关的至少一个参数的步骤。
[0002]此外，本专利技术特别涉及一种实施本专利技术方法的等离子体处理系统。

技术介绍

[0003]龟裂缺陷首先在由交流电源驱动的大面积溅射处理中发现。缺陷出现在衬底上并导致损坏衬底、例如建筑玻璃，如在US 2018/0040461 A1中更详细描述的。龟裂的发生取决于所使用的电源(中频(MF)电源或直流双极电源，也称为双极电源，都是交流电源的一种形式)。如果检测到出现龟裂，可以采取不同的措施，例如对真空室部件进行彻底的机械清洁、辊的接地/绝缘、玻璃边缘的仔细处理、用合成纤维覆盖辊、使用相对于接地电平偏正的辅助阳极，或改变镀膜机几何形状。真空室的适当清洁度被认为是最重要的问题之一。
[0004]以系统清洁度在沉积过程中不断恶化为例，在沉积金属层(如Ag或Ni
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种在等离子体室(6)中对衬底(10)进行等离子体处理的方法，包括以下方法步骤：a.向布置在等离子体室(6)内的电极(11、12)供应电源信号，以便在等离子体室中形成等离子体(7)；b.监测与等离子体处理相关的至少一个参数；c.确定与所监测的所述至少一个参数相关的特征；d.在等离子体处理期间调整电源信号以修改、特别是减小特征，e.修改特征，特别是为了消除和/或减轻衬底(10)上的龟裂的形成。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述特征是重复性事件。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述特征是周期性事件。4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所监测的参数不同于被调整的电源信号。5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，使用机器学习和/或人工智能算法将参数识别为与龟裂可能性增加相关的基本参数。6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，所监测的参数可以是、但不限于：a.布置在等离子体室内的电极(11、12)之间的电势，或b.布置在等离子体室内的电极(11、12)之一和参考电极之间的电势，或c.布置在等离子体室内的电极(11、12)两者和参考电极之间的电势，其中，参考电极能够接地或浮地。7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述电源信号是周期性的，特别是AC信号，并且所述周期性事件与所述电源信号的周期一致。8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，用于修改特征的方法步骤d在不中断等离子体处理的情况下执行。9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，确定所述特征包括：将所监测的所述至少一个参数或从所述至少一个参数导出的量与阈值边界进行比较。10.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，确定所述特征包括：对在给定的时间间隔内所述至少一个参数或从所述至少一个参数导出的量超过阈值边界的次数进行计数。11.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，调整所述电源信号包括：应用多个参数组以产生所述电源信号；确定特定参数组对所述特征的影响；以及选择获得特征的更优选水平的参数组，特别是达到最小或最大水平，以进行进一步的等离子体处理。12.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其特征在于，调整所述电源信号包括以下至少一项...

【专利技术属性】
技术研发人员：W，
申请(专利权)人：通快许廷格有限公司，
类型：发明
国别省市：