用于离子植入的等离子体浸渍方法技术

本发明专利技术涉及使用多种前驱物气体的等离子体浸渍离子植入方法，特別是出于相对于在植入过程中也植入工件内的其它原子物种，控制植入所述工件内的特定原子掺杂剂物种的量的目的。所述工件内的特定原子掺杂剂物种的量的目的。所述工件内的特定原子掺杂剂物种的量的目的。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于离子植入的等离子体浸渍方法


[0001]下列描述涉及使用多种前驱物气体的等离子体浸渍离子植入方法，特别是出于相对于在植入过程中也植入所述工件内的其它原子物种，控制植入所述工件内的特定原子掺杂剂物种的量的目的。

技术介绍

[0002]在材料及半导体加工工业中，针对通过将一或多个额外的化学物种引入固体材料的化学组成中来修饰固体材料的化学组成存在各种原因。将少量不同原子或离子添加到固体材料的有序结构可对所述固体材料的材料性质产生有用且显着的影响。例如，将少量掺杂剂原子常规添加到半导体材料以影响所述半导体材料的导电性。可将氮或碳原子添加到固体材料以改善机械性质(诸如强度或耐磨性)。在其它实例中，可将少量杂质添加到固体材料以影响所述固体材料的光学性质。
[0003]用于将掺杂剂或杂质植入固体材料内的常用技术是离子束植入。离子束植入技术将相对纯的单一离子物种植入固体材料内，以引起植入材料的化学、光学或机械性质的所需修饰。典型离子束植入系统包括电离室，其用以形成含有许多离子物种的混合物的离子等离子体。离子混合物通过所述电离室中的孔并进入高真空区内本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种离子植入方法，其包括：将工件支撑在腔室中；从包含第一前驱物及不同于所述第一前驱物的至少一种额外前驱物的前驱物混合物产生等离子体，其中所述等离子体包含至少两种不同的等离子体离子物种，及所述至少两种不同的等离子体离子物种包括所选原子物种及一或多种额外原子物种；向所述工件施加电势，使所述至少两种不同的等离子体离子物种朝向所述工件加速，以引起所述所选原子物种及所述一或多种额外原子物种植入到所述工件表面上；其中所述至少一种额外前驱物引起增加量的所选原子物种植入到所述工件中。2.根据权利要求1所述的方法，其中植入所述工件中的所述所选原子物种的量比通过缺少所述一或多种额外前驱物的方法植入的所述所选原子物种的量高至少5％。3.根据权利要求1所述的方法，其中植入所述工件中的所述所选原子物种的量为植入的原子物种的总量的至少20％。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述所选原子物种是硼或氟，所述一或多种额外的原子物种包含硼、氟、氢或这些的组合，及所述第一前驱物及所述一或多种额外的前驱物包含：选自A、B、C、D或E组的第一前驱物，及不同于所述第一前驱物的来自A、B、C或D组的第二前驱物，其中：A组包括氟化硼气体诸如BF3、B2F4或B
x
F
y
B组包括氢化硼气体诸如B2H6或B
x
H
y
C组包括混合的氟化氢硼气体诸如BHF2、BH2F或B
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H
y
F
z
D组包括硼气体诸如BCl3或B
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A
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(其中A是除氢或氟外的元素)E组包括氟或氟化物气体诸如HF、F2、SiF4、Si2F6、GeF4、Ge2F6、CF4、C2F6、XeF2、PF3、PF5、AsF3、AsF5、NF3、SF6及A
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F
y
(其中A是除硼外的元素)。5.根据权利要求4所述的方法，其中所述前驱物混合物包含不同于所述第一及第二前驱物的第三前驱物，所述第三前驱物选自A、B、C、D或E组。6.根据权利要求5所述的方法，其中所述前驱物混合物包含不同于所述第一、第二及第三前驱物的第四前驱物，所述第四前驱物选自A、B、C、D或E组。7.根据权利要求6所述的方法，其中所述前驱物混合物包含不同于所述第一、第二、第三及第四前驱物的第五前驱物，所述第五前驱物选自A、B、C、D或E组。8.根据权利要求1中任一权利要求所述的方法，其中所述前驱物混合物包含一或多种来自F、G或H组的前驱物，其中：F组包括惰性气体诸如He、Ne、Ar、Kr、Xe或N2，G组包括氢及氢化物气体诸如H2、SiH4、Si2H6、GeH4、Ge2H6、PH3、AsH3、CH4、C2H6、NH3及A
x
H
y
，(其中A是除硼或氟外的元素)H组包括氧及氧化物气体：O2、O3、N2O、N4O、NO2、N2O3、N2O4、N2O5、CO、CO2及A
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O
y
，其中A是除氧外的元素。9.根据权利要求1中任一权利要求所述的方法，其中所述所选原子物种是硼，及植入所述工件中的硼的量为植入的原子物种的总量的至少20％。
10.根据权利要求9所述的方法，其中所述所选...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐瀛，B，
申请(专利权)人：恩特格里斯公司，
类型：发明
国别省市：