一种新型IGBT散热结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种新型IGBT散热结构，包括IGBT和保护壳，所述保护壳外壁开设有散热孔，所述散热孔对称安装，所述IGBT一侧固定安装有安装板，所述安装板顶部安装有第一水冷箱，所述第一水冷箱伸入安装板内部，所述第一水冷箱顶部固定安装有调节开关，所述第一水冷箱一侧安装有U型管，所述U型管一侧伸入第一水冷箱内部，所述U型管另一侧安装有第二水冷箱，该简易便捷的IGBT散热结构，在IGBT装置发热时进行降温，同时保护壳内的扇叶进行运转，将保护壳内的热气通过散热孔传输出去，在需要检查维修IGBT装置时，只需要通过转动螺栓外壁的螺母即可打开保护壳，节约了维修时间的同时节省了维修成本。了维修成本。了维修成本。

【技术实现步骤摘要】
一种新型IGBT散热结构


[0001]本技术涉及IGBT散热
，具体为一种新型IGBT散热结构。

技术介绍

[0002]IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效因管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点，GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小，IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低，非常适合因用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域，IGBT模块散热器是一种用MOS来控制晶体管的新型电力电子器件，具有电压高、电流大、频率高、导通电阻小等特点，因而广泛因用在变频器的逆变电路中。
[0003]现有产品在使用的过程中依旧存在以下的问题：
[0004]1、传统IGBT放置于密闭腔体内，靠腔体外壳与外界自然散热，散热效率低，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种新型IGBT散热结构，其特征在于：包括IGBT(1)和保护壳(10)，所述保护壳(10)外壁开设有散热孔(12)，所述散热孔(12)对称安装，所述IGBT(1)一侧固定安装有安装板(2)，所述安装板(2)顶部安装有第一水冷箱(3)，所述第一水冷箱(3)伸入安装板(2)内部，所述第一水冷箱(3)顶部固定安装有调节开关(4)，所述第一水冷箱(3)一侧安装有U型管(5)，所述U型管(5)一侧伸入第一水冷箱(3)内部，所述U型管(5)另一侧安装有第二水冷箱(9)。2.根据权利要求1所述的一种新型IGBT散热结构，其特征在于：所述第二水冷箱(9)贴合安装IGBT(1)外壁，所述U型管(5)贯穿第二水冷箱(9)底部且延伸至第二水冷箱(9)内部，所述安装板(2)一侧固定安装有保护管(6)，所述保护管(6)内部螺纹连接有导管(7)。3.根据权利要求2所述的一种新型IGBT散热结构，其特征在于：所述导管(7)贯穿保护管(6)且延伸至安装板(2)内部和第一水冷箱(3)相连接，所述导管(7)另一侧螺纹连接有连接管(8)，所述连接管(8)另一侧伸入IGBT(1)内部。4.根据权利要求1所述的一种新型...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶楚安，郭吉彦，邱正峰，薛永刚，石晓明，
申请(专利权)人：深圳市安和威电力科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：