【技术实现步骤摘要】
用于焊晶机的双真空模块的炉面块及炉面底座的组合结构
[0001]本技术涉及焊晶机
,具体涉及一种用于焊晶机的双真空模块的炉面块及炉面底座的组合结构。
技术介绍
[0002]在半导体封装结构中,其最下方通常设置一基板单元(Substrate)。在制程中,通常是在一基板(Substrate Panel)上进行叠设芯片、打线及灌胶等作业后,再切割该基板以形成多个半导体封装结构。因此,该制程的第一要务是将该基板平整稳定地固定在一机台上。此外,在制程中常需要利用一传送装置搬动该基板,因而也需要将该基板平整稳定地固定在该传送装置上。传统上,利用真空吸附的方法及装置为最常见的固定基板的方式。
[0003]通常对半导体制造用基板或印刷电路板(PCB)进行附持、固定的挡板类的固定方法,包括螺丝、磁铁、真空吸附和磁铁并用的固定方法。
[0004]使用螺丝进行固定的方法,是对用于附持半导体制造用基板或印刷电路板(PCB)的块状体进行固定时最常使用的方法,通过利用螺丝在所述块状体前后、左右的2个或2个以上位置连接固定,防止真空
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于焊晶机的双真空模块的炉面块及炉面底座的组合结构,其特征在于,包括:一炉面块,具有一承接面,该承接面的底端设有一倾斜面,用于承接该焊晶机上的一基板,且该炉面块包括:多个第一穿孔组,开口位于该炉面块的该承接面的一中间区域;及两个第二穿孔组,开口位于该炉面块的该承接面的两个外围区域,该多个第一穿孔组及该两个第二穿孔组不连接导通;以及多个第一纵向通道,用于分别连通该多个第一穿孔组;两个第二纵向通道,用于分别连通该两个第二穿孔组,该多个第一纵向通道及该两个第二纵向通道不连接导通;两个横向通道,与该两个第二纵向通道连接导通,且该两个横向通道与该两个第二纵向通道之间具有一高低差;其中,该第一纵向通道、该第二纵向通道及该横向通道的两端皆为封闭端;以及一炉面底座,用于承接并固定该炉面块,并分别具有一第一管道及一第二管道,该第一管道及该第二管道用于分别导通该多个第一纵向通道及该两个第二纵向通道,并分别连接该焊晶机的第一真空模块及第二真空模块,以分别独立产生真空吸附该基板的第一区域及两个第二区域;其中,该第一管道与该炉面底座形成有一第一夹角,该第二管道与该炉面底座形成有一第二夹角。2.如权利要求1所述的用于焊晶机的双真空模块的炉面块及炉面底座的组合结构,其特征在于,该第一穿孔组及该第二穿孔组数组呈行列排布;以及,该炉面块的该中间区域及该两个外围区域设有多条环形沟槽,该多条环形沟槽的位置分别与该第一穿孔组及该第二穿孔组的位置重叠。3.如权利要求1所述的用于焊晶机的双真空模块的炉面块及炉面底座的组合结构,其特征在于,该基板的该第一区域相对于该炉面块的该中间区域,以将该基板的该第一区域吸附于该炉面块的该中间区域,该基板的该两个第二区域相对于该炉面块的该两个外围区域,以将该基板的该两个第二区域吸附于该炉面块的该两个外围区域。4.如权利要求1所述的用于焊晶机的双真空模块的炉面块及炉面底座的组合结构,其特征在于,该第二穿孔组具有至少一排穿孔连接该第二纵向通道,该至少一排穿孔为圆孔状或方孔状。5.如权利要求1所述的用于焊晶机的双真空模块的炉面块及炉面底座的组合结构,其特征在于,该第二穿孔组具有两排穿孔连接该第二纵向通道,该两排穿孔彼此对齐或彼此交错。6.一种用于焊晶机的双真空模块...
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