【技术实现步骤摘要】
增加p侧反射出光的倒装深紫外LED芯片及其制作方法
[0001]本专利技术涉及一种深紫外LED芯片，特别涉及一种增加p侧反射出光的倒装深紫外LED芯片及其制作方法，属于半导体
技术介绍
[0002]固态照明因为其高效节能环保等优点深受研究人员关注，并在商用领域得到极大的发展。自从疫情以来，深紫外光因其高效灭活病毒能力，可作为公共卫生消毒的有效手段。深紫外LED具有环保便携等优点，具有很大的取代传统汞灯的潜力。但是深紫外LED的内量子效率、外量子效率、WPE依然较低，这极大的影响了其商业应用。随着Al组分增加，Mg在p
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AlGaN的激活能增大，空穴浓度下降，从而导致p
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AlGaN的电阻过高。另外p
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AlGaN的功函数过高，很难找到材料和其形成欧姆接触。
[0003]目前采用对于深紫外有很强的吸收作用的p
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GaN作为深紫外LED的p接触层，这将极大的降低了光提取效率。刻蚀部分p
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GaN可以降低对紫外光的吸收，但是...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种增加p侧反射出光的倒装深紫外LED芯片，其特征在于，包括外延层、第一接触层、第二接触层和第一金属反射电极；所述外延层包括依次叠层设置的n型半导体层、有源层、第一p型半导体层和第二p型半导体层，所述第一p型半导体层表面的部分区域被所述第二p型半导体层覆盖，所述第二接触层与所述第二p型半导体层电性接触，所述第一接触层与所述n型半导体层电性接触；所述第一金属反射电极连续覆设在所述第一p型半导体层、第二p型半导体层和第二接触层上，第一金属反射电极和第二接触层电连接。2.根据权利要求1所述的增加p侧反射出光的倒装深紫外LED芯片，其特征在于：所述外延层具有相对的第一面和第二面，所述第一面具有二阶台阶结构，所述二阶台阶结构包括顶面、第一台阶面和第二台阶面，所述顶面为第二p型半导体层背对有源层的第二表面，所述第一台阶面为第一p型半导体层背对有源层的第一表面，所述第二台阶面为n型半导体层的暴露在外的表面区域，所述第二接触层设置在第一台阶面上，所述第一接触层设置在第二台阶面上；所述第一接触层设置在第二台阶面上并与所述n型半导体层形成欧姆接触，所述第二接触层设置在第二p型半导体层上并与所述第二p型半导体层形成欧姆接触。3.根据权利要求1所述的增加p侧反射出光的倒装深紫外LED芯片，其特征在于：所述第二p型半导体层设置在所述第一p型半导体层的第一表面，所述第一表面面积的10
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50％被所述第二p型半导体层覆盖。4.根据权利要求1或3所述的增加p侧反射出光的倒装深紫外LED芯片，其特征在于：所述第二p型半导体层的厚度为30
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300nm，所述第一p型半导体层的材质包括p
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AlGaN，所述第二p型半导体层的材质包括p
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GaN层，所述n型半导体层的材质包括n
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AlGaN。5.根据权利要求1所述的增加p侧反射出光的倒装深紫外LED芯片，其特征在于：所述第一接触层上还覆盖有第二金属反射电极，第二金属反射电极和第一接触层电连接，所述第一金属反射电极和第二金属反射电极彼此电性隔离；其中，所述第一金属反射电极和第二金属反射电极包括Mg/Al、Pd/Al、Rh/Al中的至少一种或两种以上的叠层金属，所述第一金属反射电极和第二金属反射电极的厚度为100
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300nm；和/或，所述第二接触层设置在所述第二p型半导体层背对第一p型半导体层的第二表面，所述第二表面面积的30％
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80％被所述第二接触层覆盖；所述第二接触层包括Ag接触层和/或Ni/Ag接触层，所述第二接触层的厚度为40
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100nm。6.根据权利要求1或2所述的增加p侧反射出光的倒装深紫外LED芯片，其特征在于：所述外延层的表面还形成有钝化层，所述钝化层上设置有第二引出电极和第一引出电极，所述第二引出电极、第一引出电极分...
【专利技术属性】
技术研发人员：周玉刚，潘赛，许朝军，谢自力，刘斌，张荣，
申请(专利权)人：南京大学，
类型：发明
国别省市：
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