感光装置制造方法及图纸

技术编号:33731200 阅读:29 留言:0更新日期:2022-06-08 21:26
本发明专利技术公开一种感光装置,包括基底、主动元件层、第一感光元件以及第二感光元件。每个第一感光元件包括依序堆叠的第一下导电结构、第一感光层以及第一上导电结构。每个第二感光元件包括依序堆叠的第二下导电结构、第二感光层以及第二上导电结构。第一上导电结构包括不透明电极或半透明电极,且第二上导电结构包括透明电极。第一上导电结构被配置为使第一感光元件的光电流信号与暗电流信号的信号差小于第二感光元件的光电流信号与暗电流信号的信号差。号差。号差。

【技术实现步骤摘要】
感光装置


[0001]本专利技术涉及一种感光装置,且特别涉及一种包含多个感光元件的感光装置。

技术介绍

[0002]目前,为了增加产品的安全性,许多厂商会于产品中装设指纹识别的感测装置。在现有的指纹识别技术中,感测装置侦测手指指纹所反射的光线,指纹的高低起伏会有不同强度的反射光,因此不同的指纹样貌会被感测装置所分辨出来。一般而言,指纹识别的感测装置包括排成阵列的感光元件。通过排成阵列的感光元件侦测不同位置处的指纹的高低起伏,以获取指纹的整体样貌。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种感光装置,具有防伪功能,且可以提升指纹识别的可靠性。
[0004]本专利技术的至少一实施例提供一种感光装置。感光装置包括基底、主动(有源)元件层、第一感光元件以及第二感光元件。主动元件层位于基底上方。每个第一感光元件包括依序堆叠的第一下导电结构、第一感光层以及第一上导电结构。第一下导电结构电连接至主动元件层。每个第二感光元件包括依序堆叠的第二下导电结构、第二感光层以及第二上导电结构。第二下导电结构电连接至主动元件层。第一上导电结构包括不透明电极或半透明电极,且第二上导电结构包括透明电极。第一上导电结构被配置为使第一感光元件的光电流信号与暗电流信号的信号差小于第二感光元件的光电流信号与暗电流信号的信号差。
[0005]本专利技术的至少一实施例提供一种感光装置。感光装置包括基底、主动元件层、第一感光元件以及第二感光元件。主动元件层位于基底上方。每个第一感光元件包括依序堆叠的第一下导电结构、第一感光层以及第一上导电结构。第一下导电结构电连接至主动元件层。每个第二感光元件包括依序堆叠的第二下导电结构、第二感光层以及第二上导电结构。第二下导电结构电连接至主动元件层。第一下导电结构包括透明电极,且第二下导电结构包括不透明电极。第一下导电结构被配置为使第一感光元件的光电流信号与暗电流信号的信号差小于第二感光元件的光电流信号与暗电流信号的信号差。
[0006]本专利技术的至少一实施例提供一种感光装置。感光装置包括基底、主动元件层、第一感光元件以及第二感光元件。主动元件层位于基底上方。每个第一感光元件包括依序堆叠的第一下导电结构、第一感光层以及第一上导电结构。第一下导电结构电连接至主动元件层。每个第二感光元件包括依序堆叠的第二下导电结构、第二感光层以及第二上导电结构。第二下导电结构电连接至主动元件层。第一遮蔽结构为不透明结构或半透明结构。第一遮蔽结构重叠于第一感光元件,且不重叠于第二感光元件。第一遮蔽结构被配置为使第一感光元件的光电流信号与暗电流信号的信号差小于第二感光元件的光电流信号与暗电流信号的信号差。
[0007]基于上述,通过减少第一感光元件的光电流信号与暗电流信号的差值,使感光装置具有防伪功能,由此可以提升指纹识别的可靠性。
附图说明
[0008]图1是本专利技术的一实施例的一种感光装置的剖面示意图;
[0009]图2是本专利技术的一实施例的一种感光装置的俯视示意图;
[0010]图3是本专利技术的一实施例的一种感光装置的剖面示意图;
[0011]图4是本专利技术的一实施例的一种感光装置的剖面示意图;
[0012]图5是图4的感光装置的电压

电流曲线图;
[0013]图6是图4的感光装置的输出电压

时间曲线图;
[0014]图7是本专利技术的一实施例的一种感光装置的剖面示意图;
[0015]图8是图7的感光装置的电压

电流曲线图;
[0016]图9是本专利技术的一实施例的一种感光装置的剖面示意图;
[0017]图10是图9的感光装置的电压

电流曲线图;
[0018]图11是本专利技术的一实施例的一种感光装置的剖面示意图;
[0019]图12是图11的感光装置的电压

电流曲线图;
[0020]图13是本专利技术的一实施例的一种感光装置的俯视示意图;
[0021]图14是图13的线a

a

的剖面示意图。
[0022]符号说明
[0023]10,20,30,40,50,60:感光装置
[0024]100:基底
[0025]102:缓冲层
[0026]110:主动(有源)元件层
[0027]112:栅极绝缘层
[0028]114:层间介电层
[0029]200:第一绝缘层
[0030]210:第二绝缘层
[0031]220:第一缓冲层
[0032]230:第一准直结构
[0033]232:第一遮光层
[0034]234:第一抗反射层
[0035]236:开口
[0036]238:第一遮蔽结构
[0037]240:第三绝缘层
[0038]250:第二缓冲层
[0039]260:第二准直结构
[0040]262:第二遮光层
[0041]264:第二抗反射层
[0042]266:开口
[0043]268:第二遮蔽结构
[0044]270:第四绝缘层
[0045]280:第三缓冲层
[0046]290:第三准直结构
[0047]292:第三遮光层
[0048]294:第三抗反射层
[0049]296:开口
[0050]298:第三遮蔽结构
[0051]300:透镜
[0052]BF1:保护层
[0053]BF2:保护层
[0054]CH,Cha,CHb:沟道
[0055]D,Da,Db:漏极
[0056]G,Ga,Gb:栅极
[0057]LC:下导电结构
[0058]LC1,LC1

:第一下导电结构
[0059]LC2:第二下导电结构
[0060]PD:感光元件
[0061]PD1:第一感光元件
[0062]PD2:第二感光元件
[0063]PS:感光层
[0064]PS1:第一感光层
[0065]PS2:第二感光层
[0066]S,Sa,Sb:源极
[0067]Ta,Tb:主动元件
[0068]T1:第一主动元件
[0069]T2:第二主动元件
[0070]UC:上导电结构
[0071]UC1,UC1

:第一上导电结构
[0072]UC2:第二上导电结构
具体实施方式
[0073]在本专利技术中,诸如「下」或「底部」和「上」或「顶部」的相对术语可在本文中用于描述一个元件与另一元件的关系,如图所示。应当理解,相对术语旨在包括除了图中所示的方位之外的装置的不同方位。例如,如果一个附图中的装置翻转,则被描述为在其他元件的「下」侧的元件将被定向在其他元件的「上」侧。因此,示例性术语「下」可本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种感光装置,包括:基底;主动元件层,位于该基底上方;至少一第一感光元件,每个该至少一第一感光元件包括依序堆叠的第一下导电结构、第一感光层以及第一上导电结构,其中该第一下导电结构电连接至该主动元件层;以及至少一第二感光元件,每个该至少一第二感光元件包括依序堆叠的第二下导电结构、第二感光层以及第二上导电结构,其中该第二下导电结构电连接至该主动元件层,其中:该第一上导电结构包括不透明电极或半透明电极,该第二上导电结构包括透明电极,且其中该第一上导电结构被配置为使该至少一第一感光元件的光电流信号与暗电流信号的信号差小于该至少一第二感光元件的光电流信号与暗电流信号的信号差。2.如权利要求1所述的感光装置,其中该至少一第一感光元件包括多个第一感光元件,且该主动元件层中的一个第一主动元件电连接至两个以上的该些第一感光元件。3.如权利要求1所述的感光装置,其中该至少一第一感光元件包括多个第一感光元件,且每个该些第一感光元件电连接至该主动元件层中对应的一个第一主动元件。4.如权利要求1所述的感光装置,还包括:准直结构,位于该至少一第一感光元件的上方以及该至少一第二感光元件的上方,其中该准直结构具有重叠于该至少一第一感光元件以及该至少一第二感光元件的多个开口;以及多个透镜,位于该至少一第一感光元件以及该至少一第二感光元件上方。5.如权利要求1所述的感光装置,其中该第一下导电结构以及该第二下导电结构包括相同的材料。6.如权利要求1所述的感光装置,其中该第一下导电结构包括透明电极,且该第二下导电结构包括不透明电极。7.如权利要求1所述的感光装置,其中在相同光照量下,该至少一第一感光元件所产生的光电流信号的强度小于该至少一第二感光元件所产生的光电流信号的强度。8.一种感光装置,包括:基底;主动元件层,位于该基底上方;至少一第一感光元件,每个该至少一第一感光元件包括依序堆叠的第一下导电结构、第一感光层以及第一上导电结构,其中该第一下导电结构电连接至该主动元件层;以及至少一第二感光元件,每个该至少一第二感光元件包括依序堆叠的第二下导电结构、第二感光层以及第二上导电结构,其中该第二下导电结构电连接至该主动元件层,其中:该第一下导电结构包括透明电极,该第二下导电结构包括不透明电极,且其中该第一下导电结构被配置为使该至少一第一感光元件的光电流信号与暗电流信号的信号差小于该至少一第二感光元件的光电流信号与暗电流信号的信号差。9.如权利要求8所述的感光...

【专利技术属性】
技术研发人员:苏志中陈信学
申请(专利权)人:友达光电股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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