成像设备和电子设备制造技术

本发明专利技术提供了可以降低噪声的成像设备以及使用该成像设备的电子设备。该成像设备包括光接收元件和用于读取由光接收元件光电转换的电信号的读取电路。读取电路中包括的场效应晶体管具有形成有沟道的半导体层、覆盖半导体层的栅极电极以及布置在半导体层和栅极电极之间的栅极绝缘膜。该半导体层具有主表面和第一侧面，该第一侧面在场效应晶体管的栅极宽度方向上位于主表面的一个端侧上。栅极电极具有隔着栅极绝缘膜面向主表面的第一部分和隔着栅极绝缘膜面向第一侧面的第二部分。第一侧面的晶体平面是(100)平面或与(100)平面等效的平面。平面。平面。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】成像设备和电子设备


[0001]本专利技术涉及成像设备和电子设备。

技术介绍

[0002]包括具有至少一个鳍部的栅极电极的固态成像设备是已知的(例如，参见专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：JP 2017
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183636 A

技术实现思路

[0006]技术问题
[0007]希望降低成像设备中的噪声。
[0008]本专利技术是鉴于这种情况而提出的，并且其目的是提供一种能够降低噪声的成像设备以及使用该成像设备的电子设备。
[0009]问题的解决方案
[0010]根据本专利技术的一个方面的成像设备包括光接收元件和被构造为读取由光接收元件光电转换的电信号的读取电路。读取电路中包括的场效应晶体管包括形成有沟道的半导体层、被构造为覆盖半导体层的栅极电极以及设置在半导体层和栅极电极之间的栅极绝缘膜。半导体层包括主表面和在场效应晶体管的栅极宽度方向上位于主表面的一个端侧上的第一侧面。栅极电极包括被构造成隔着栅极绝缘膜面向本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种成像设备，其包括：光接收元件；和读取电路，所述读取电路被构造为读取由所述光接收元件光电转换的电信号，其中，所述读取电路中包括的场效应晶体管包括：半导体层，在所述半导体层中形成沟道，栅极电极，所述栅极电极被构造为覆盖所述半导体层，和栅极绝缘膜，所述栅极绝缘膜布置在所述半导体层和所述栅极电极之间，所述半导体层包括：主表面，和第一侧面，所述第一侧面在所述场效应晶体管的栅极宽度方向上位于所述主表面的一个端侧上，所述栅极电极包括：第一部分，所述第一部分被构造为隔着所述栅极绝缘膜面向所述主表面，和第二部分，所述第二部分被构造为隔着所述栅极绝缘膜面向所述第一侧面，并且所述第一侧面的晶体平面是(100)平面或与(100)平面等效的平面。2.根据权利要求1所述的成像设备，其中，所述半导体层还包括第二侧面，所述第二侧面在所述栅极宽度方向上位于所述主表面的另一端侧上，所述栅极电极还包括第三部分，所述第三部分被构造为隔着所述栅极绝缘膜面向所述第二侧面，并且所述第二侧面的晶体平面是(100)平面或与(100)平面等效的平面。3.根据权利要求1所述的成像设备，其中，所述主表面的晶体平面是(100)平面或与(100)平面等效的平面。4.根据权利要求1所述的成像设备，其中，所述读取电路包括作为所述场效应晶体管的放大晶体管，所述放大晶体管被构造为放大所述电信号。5.根据权利要求4所述的成像设备，其中，所述读取电路还包括作为所述场效应晶体管的选择晶体管，...

【专利技术属性】
技术研发人员：山川真弥，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：