固态摄像元件和电子设备制造技术

提供了一种小型但能够抑制晶体管附近产生强电场的固态摄像元件和电子设备。固态摄像元件包括：光电转换元件，其进行光电转换；元件分离件，其从基板的第一主表面贯穿到第二主表面并且形成在包括光电转换元件的像素之间；和导体部，其设置成与元件分离件的第一主表面侧紧密接触。紧密接触。紧密接触。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】固态摄像元件和电子设备


[0001]本公开涉及一种固态摄像元件和电子设备。

技术介绍

[0002]近年来，采用了具有完全贯穿式沟槽隔离(FFTI：Front Full Trench Isolation)的固态摄像元件。在具有FFTI的固态摄像元件中，像素由绝缘体分开，因此像素彼此电隔离。因此，隔离的各个像素必须包括将半导体基板设定为例如接地电位的接触电极。为了减小平面图中看到的接触电极的表面积，已经提出了一种将FFTI的一部分作为有源区域而形成接触电极的固态摄像元件(例如，专利文献1)。
[0003][引用列表][0004][专利文献][0005][专利文献1][0006]JP 2016
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技术实现思路

[0007][技术问题][0008]在这样的固态摄像元件中，用作晶体管的源极/漏极的杂质区域(作为具有高杂质浓度的区域)和接触电极紧密接触或彼此靠近，以减小元件的尺寸。结果，在杂质区域和接触电极之间形成强电场。
[0009]因此，本公开的目的是提供一种小型的能够抑制晶体管附近产生本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种固态摄像元件，其包括：光电转换元件，其进行光电转换；完全贯穿式沟槽隔离，其从基板的第一主表面贯穿到第二主表面并且形成在包括所述光电转换元件的像素之间；和第一导体部，其设置成与所述完全贯穿式沟槽隔离的第一主表面侧紧密接触。2.根据权利要求1所述的固态摄像元件，其中，所述第一导体部嵌入在形成于所述基板的所述第一主表面中的沟槽中，并且所述固态摄像元件还包括：高浓度杂质扩散层，其形成在所述基板的所述第一主表面上；和绝缘部，其设置在所述第一导体部和所述高浓度杂质扩散层之间。3.根据权利要求2所述的固态摄像元件，其中，所述第一导体部形成为比所述绝缘部更深，并且所述高浓度杂质扩散层形成为比所述绝缘部浅。4.根据权利要求2所述的固态摄像元件，还包括：阱层，其形成在比所述高浓度杂质扩散层更深的区域中，其中，所述第一导体部布置成在比所述绝缘部更深的区域中与所述阱层紧密接触。5.根据权利要求4所述的固态摄像元件，还包括：盖层，其设置成与所述第一导体部的第一主表面侧紧密接触，其中，所述第一导体部布置成与相邻的多个像素的所述阱层紧密接触。6.根据权利要求5所述的固态摄像元件，还包括：接触电极，其电连接到所述阱层并且形成在每个所述像素内，其中，经由所述第一导体部，所述接触电极被固定到输入到相邻的所述多个像素的所述阱层的电位。7.根据权利要求1所述的固态摄像元件，其中，所述完全贯穿式沟槽隔离设置成在平面图中包围所述像素，并且所述第一导体部布置成与所述完全贯穿式沟槽隔离的上表面的全部或一部分紧密接触。8.根据权利要求7所述的固态摄像元件，其中，所述第一导体部设置在以下位置中的至少一者中：(a)在夹在相邻的两个...

【专利技术属性】
技术研发人员：伊藤智美，正垣敦，工藤義治，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：