摄像装置及利用该摄像装置的方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供摄像装置及利用该摄像装置的方法。一种摄像装置，具备一维或二维地排列的多个像素，各像素具备：第1电极，在上述多个像素间电连接；电荷捕集部，按每个上述像素被划分；以及光电变换层，位于上述第1电极与上述电荷捕集部之间，在上述多个像素间相连；上述光电变换层包含半导体型碳纳米管和具有比上述半导体型碳纳米管大的电子亲和力的第1物质；上述电荷捕集部捕集正电荷；上述半导体型碳纳米管中的至少一个跨两个像素而配置。米管中的至少一个跨两个像素而配置。米管中的至少一个跨两个像素而配置。

【技术实现步骤摘要】
摄像装置及利用该摄像装置的方法
[0001]本申请是申请日为2016年6月17日、申请号为201680007083.4、专利技术名称为“摄像装置”的专利技术专利申请的分案。


[0002]本申请涉及层叠型的摄像装置。

技术介绍

[0003]近年来，实现了在半导体基板上设有光电变换元件的层叠型图像传感器。在层叠型图像传感器中，可以通过与半导体基板不同的材料来形成光电变换元件的光电变换层。因此，能够通过与硅等的以往的半导体材料不同的无机材料或有机材料形成光电变换层，可以实现在与以往不同的波段具有灵敏度等具有与以往的图像传感器不同的物性或功能的图像传感器。例如，专利文献1公开了如下图像传感器：具备在两个以上的不同的波段分别具有灵敏度的光电变换层，从而具有较高的光利用效率。
[0004]先行技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2003－234460号公报

技术实现思路

[0007]提供一种新的层叠型摄像装置。
[0008]本申请的非限定性的某例示性的实施方式的摄像装置是具本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种摄像装置，具备一维或二维地排列的多个像素，其特征在于，各像素具备：第1电极，在上述多个像素间电连接；电荷捕集部，按每个上述像素被划分；以及光电变换层，位于上述第1电极与上述电荷捕集部之间，在上述多个像素间相连；上述光电变换层包含半导体型碳纳米管和具有比上述半导体型碳纳米管大的电子亲和力的第1物质；上述电荷捕集部捕集正电荷；上述半导体型碳纳米管中的至少一个跨两个像素而配置。2.如权利要求1所述的摄像装置，其特征在于，上述第1物质是具有富勒烯骨架的分子。3.根据权利要求1所述的成像装置，还包括：还包括与上述第1电极电连接的电压供给电路；上述电压供给电路向上述第1电极供给电压，以使上述电荷捕集部的电位低于上述第1电极的电位。4.一种摄像装置，具备一维或二维地排列的多个像素，其特征在于，各像素具备：第1电极，在上述多个像素间电连接；电荷捕集部，按每个上述像素被划分；以及光电变换层，位于上述第1电极与上述电荷捕集部之间，在上述多个像素间相连；上述光电变换层包含半导体型碳纳米管和具有比上述半导体型碳纳米管小的电离电势的第1物质；上述电荷捕集部捕集负电荷；上述半导体型碳纳米管中的至少一个跨两个像素而配置。5.如权利要求4所述的摄像装置，其特征在于，还包括与上述第1电极电连接的电压供给电路；上述电压供给电路向上述第1电极供给电压，以使上述电荷捕集部的电位高于上述第1电极的电位。6.如权利要求1或4所述的摄像装置，其特征在于，还具备支承上述光电变换层的半导体基板；上述各像素还包括电荷检测用晶体管，该电荷检测用晶体管设置于上述半导体基板，与上述电荷捕集部电连接。7.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：能泽克弥，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：