显示用发光元件及具有其的LED显示装置制造方法及图纸

根据一实施例的发光元件包括：第一发光堆叠件，包含第一导电型半导体层及第二导电型半导体层；第二发光堆叠件，包含第一导电型半导体层及第二导电型半导体层；第三发光堆叠件，包含第一导电型半导体层及第二导电型半导体层；第一粘合层，结合所述第一发光堆叠件和所述第二发光堆叠件；以及第二粘合层，结合所述第二发光堆叠件和所述第三发光堆叠件，其中，所述第二发光堆叠件布置于所述第一发光堆叠件与所述第三发光堆叠件之间，所述第一粘合层及第二粘合层中的一个是电连接与其相邻的发光堆叠件的导电性粘合层。光堆叠件的导电性粘合层。光堆叠件的导电性粘合层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】显示用发光元件及具有其的LED显示装置


[0001]本公开涉及一种显示用发光元件及具有其的LED显示装置。

技术介绍

[0002]发光二极管作为无机光源，被多样地用于诸如显示装置、车辆用灯具、一般照明等的多种领域。发光二极管具有寿命长、功耗低且响应速度快的优点，因此正快速地替代现有光源。
[0003]另外，现有的发光二极管在显示装置中主要用作背光源。但是，最近正在开发利用发光二极管来直接实现图像的LED显示器。
[0004]显示装置通常利用蓝色、绿色及红色的混合色实现多样的颜色。显示装置为了实现多样的图像而包括多个像素，各个像素具有蓝色、绿色及红色的子像素，并且通过这些子像素的颜色来确定特定像素的颜色，并且通过这些像素的组合来实现图像。
[0005]LED可以根据其材料发出多样颜色的光，从而可以通过将发出蓝色、绿色及红色的单个LED芯片排列于二维平面上来提供显示装置。但是当在各个子像素排列一个LED芯片时，LED芯片的数量增加，从而在贴装工艺中花费很多时间。
[0006]由于将子像素排列在二维平面上，因此包括蓝色、绿色及红色子像素的一个像素占有的面积也相对变宽。因此，为了在有限的面积内排列子像素而需要减小每个LED芯片的面积。但是，减小LED芯片的大小会使LED芯片的贴装变得困难，进而导致发光面积的减小。

技术实现思路

[0007]本公开期望解决的技术问题在于提供一种能够在有限的像素面积内增加各个子像素的面积的显示装置。
[0008]本公开期望解决的又一技术问题在于提供一种能够缩短贴装工艺时间的显示装置。
[0009]根据本公开的一实施例的发光元件包括：第一发光堆叠件，包含第一导电型半导体层及第二导电型半导体层；第二发光堆叠件，包含第一导电型半导体层及第二导电型半导体层；第三发光堆叠件，包含第一导电型半导体层及第二导电型半导体层；第一粘合层，结合所述第一发光堆叠件和所述第二发光堆叠件；以及第二粘合层，结合所述第二发光堆叠件和所述第三发光堆叠件，其中，所述第二发光堆叠件布置于所述第一发光堆叠件与所述第三发光堆叠件之间，所述第一粘合层及所述第二粘合层中的一个是电连接与其相邻的发光堆叠件的导电性粘合层。
[0010]根据本公开的又一实施例的发光堆叠件包括：第一发光堆叠件，包含第一导电型半导体层及第二导电型半导体层；第二发光堆叠件，包含第一导电型半导体层及第二导电型半导体层；第三发光堆叠件，包含第一导电型半导体层及第二导电型半导体层；第一粘合层，结合所述第一发光堆叠件和所述第二发光堆叠件；第二粘合层，结合所述第二发光堆叠件和所述第三发光堆叠件；第一绝缘层，覆盖所述第一发光堆叠件至所述第三发光堆叠件；
以及第一垫、第二垫、第三垫及第四垫，布置于所述第一绝缘层上，其中，所述第二发光堆叠件和所述第三发光堆叠件借由所述第二粘合层而结合，使得所述第二发光堆叠件的第一导电型半导体层和所述第三发光堆叠件的第一导电型半导体层彼此邻接，所述第一绝缘层包括一同暴露所述第二发光堆叠件的第一导电型半导体层和所述第三发光堆叠件的第一导电型半导体层的接触孔，所述第四垫通过所述接触孔而电连接于所述第二发光堆叠件及所述第三发光堆叠件的第一导电型半导体层。
[0011]根据本公开的一实施例的显示装置包括：显示基板；多个发光元件，布置于所述显示基板上；以及模制层，覆盖所述发光元件的侧面，其中，所述发光元件包括：第一发光堆叠件，包含第一导电型半导体层及第二导电型半导体层；第二发光堆叠件，包含第一导电型半导体层及第二导电型半导体层；第三发光堆叠件，包含第一导电型半导体层及第二导电型半导体层；第一粘合层，结合所述第一发光堆叠件和所述第二发光堆叠件；第二粘合层，结合所述第二发光堆叠件和所述第三发光堆叠件，并且，所述第二发光堆叠件布置于所述第一发光堆叠件与所述第三发光堆叠件之间，所述第一粘合层及第二粘合层中的一个是电连接与其相邻的发光堆叠件的导电性粘合层。
[0012]根据本公开的又一实施例的显示装置包括：显示基板；多个发光元件，布置于所述显示基板上；以及模制层，覆盖所述发光元件的侧面，其中，所述发光元件包括：第一发光堆叠件，包含第一导电型半导体层及第二导电型半导体层；第二发光堆叠件，包含第一导电型半导体层及第二导电型半导体层；第三发光堆叠件，包含第一导电型半导体层及第二导电型半导体层；第一粘合层，结合所述第一发光堆叠件和所述第二发光堆叠件；第二粘合层，结合所述第二发光堆叠件和所述第三发光堆叠件；第一绝缘层，覆盖所述第一发光堆叠件至所述第三发光堆叠件；以及第一垫至第四垫，布置于所述第一绝缘层上，并且，所述第二发光堆叠件和所述第三发光堆叠件借由所述第二粘合层结合，使得所述第二发光堆叠件的第一导电型半导体层和所述第三发光堆叠件的第一导电型半导体层彼此邻接，所述第一绝缘层包括一同暴露所述第二发光堆叠件的第一导电型半导体层和所述第三发光堆叠件的第一导电型半导体层的接触孔，所述第四垫通过所述接触孔而电连接于所述第二发光堆叠件及所述第三发光堆叠件的第一导电型半导体层。
附图说明
[0013]图1A是用于说明根据本公开的一实施例的发光元件的示意性的立体图。
[0014]图1B是图1A的发光元件的示意性的平面图。
[0015]图1C及图1D是分别沿图1B的剖切线A
‑
A
′
及B
‑
B
′
而获取的示意性的剖面图。
[0016]图2是根据本公开的一实施例的发光堆叠结构体的示意性的剖面图。
[0017]图3A、图4A、图5A、图6A、图7A及图8A是示出制造根据示例性的实施例的图1A的发光元件的过程的平面图。
[0018]图3B、图4B、图5B、图6B、图7B及图8B是沿根据示例性实施例的沿图3A、4A、5A、6A、7A及8A所示的对应平面图的A
‑
A
′
线的剖面图。
[0019]图3C、图4C、图5C、图6C、图7C及图8C是沿根据示例性实施例的沿图3A、4A、5A、6A、7A及8A所示的对应平面图的B
‑
B
′
线的剖面图。
[0020]图9A及图9B是用于说明根据示例性的实施例的发光封装件的示意性的剖面图及
平面图。
[0021]图10是用于说明根据本公开的一实施例的显示装置的示意性的剖面图。
[0022]图11是用于说明根据本公开的一实施例的发光封装件的示意性的剖面图。
[0023]图12是根据本公开的一实施例的发光堆叠结构体的示意性的剖面图。
[0024]图13是根据本公开的又一实施例的发光堆叠结构体的示意性的剖面图。
[0025]图14是根据本公开的又一实施例的发光堆叠结构体的示意性的剖面图。
[0026]图15是根据本公开的又一实施例的发光堆叠结构体的示意性的剖面图。
[0027]图16是根据本公开的又一实施例的发光堆叠结构体的示意性的剖面图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种发光元件，包括：第一发光堆叠件，包含第一导电型半导体层及第二导电型半导体层；第二发光堆叠件，包含第一导电型半导体层及第二导电型半导体层；第三发光堆叠件，包含第一导电型半导体层及第二导电型半导体层；第一粘合层，结合所述第一发光堆叠件和所述第二发光堆叠件；以及第二粘合层，结合所述第二发光堆叠件和所述第三发光堆叠件，其中，所述第二发光堆叠件布置于所述第一发光堆叠件与所述第三发光堆叠件之间，所述第一粘合层及所述第二粘合层中的一个是电连接与其相邻的发光堆叠件的导电性粘合层。2.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述导电性粘合层包括ITO。3.根据权利要求1所述的发光元件，其中，所述第一发光堆叠件、所述第二发光堆叠件及所述第三发光堆叠件分别发出红色光、蓝色光及绿色光。4.根据权利要求1所述的发光元件，还包括：第一连接电极，电连接于所述第一发光堆叠件；第二连接电极，电连接于所述第二发光堆叠件；第三连接电极，电连接于所述第三发光堆叠件；以及第四连接电极，共同地电连接于所述第一发光堆叠件、所述第二发光堆叠件及所述第三发光堆叠件。5.根据权利要求4所述的发光元件，其中，所述第四连接电极通过所述导电性粘合层而电连接于与该导电性粘合层相邻的发光堆叠件。6.根据权利要求5所述的发光元件，其中，所述第四连接电极共同地电连接于所述第一发光堆叠件至所述第三发光堆叠件的第一导电型半导体层，所述第一导电型半导体层是n型半导体层。7.根据权利要求5所述的发光元件，其中，所述第四连接电极共同地电连接于所述第一发光堆叠件至所述第三发光堆叠件的第二导电型半导体层，所述第二导电型半导体层是p型半导体层。8.根据权利要求4所述的发光元件，还包括：保护层，围绕所述第一连接电极至所述第四连接电极的至少一部分。9.根据权利要求8所述的发光元件，其中，所述保护层包括环氧树脂模塑料或者聚酰亚胺膜，所述保护层的上表面平行于所述第一连接电极至所述第四连接电极的上表面。10.根据权利要求1所述的发光元件，还包括：基板，相邻于所述第三发光堆叠件而布置。11.一种发光元件，包括：
第一发光堆叠件，包含第一导电型半导体层及第二导电型半导体层；第二发光堆叠件，包含第一导电型半导体层及第二导电型半导体层；第三发光堆叠件，包含第一导电型半导体层及第二导电型半导体层；第一粘合层，结合所述第一发光堆叠件和所述第二发光堆叠件；第二粘合层，结合所述第二发光堆叠件和所述第三发光堆叠件；第一绝缘层，覆盖所述第一发光堆叠件至所述第三发光堆叠件；以及第一垫、第二垫、第三垫及第四垫，布置于所述第一绝缘层上，其中，所述第二发光堆叠件和所述第三发光堆叠件借由所述第二粘合层而结合，使得所述第二发光堆叠件的第一导电型半导体层和所述第三发光堆叠件的第一导电型半导体层彼此邻接，所述第一绝缘层包括：接触孔，一同暴露所述第二发光堆叠件的第一导电型半导体层和所述第三发光堆叠件的第一导电型半导体层，所述第四垫通过所述接触孔而电连接于所述第二发光堆叠件及所述第三发光堆叠件的第一导电型半导体层。12.根据权利要求11所述的发光元件，其中，所述第一垫通过所述第一绝缘层而电连接于所述第一发光堆叠件的第二导电型半导体层，所述第二垫通过所述第一绝缘层而电连接于所述第二发光堆叠件的第二导电型半导体层，所述第三垫通过所述第一绝缘层而电连接于所述第三发光堆叠件的第二导电型半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：张锺敏，金彰渊，
申请(专利权)人：首尔伟傲世有限公司，
类型：发明
国别省市：