半导体装置制造方法及图纸

半导体装置包括半导体衬底、鳍状结构、栅极结构、第一掺杂区、第二掺杂区和中间区。鳍状结构设置在半导体衬底的顶表面上并在竖直方向上从其延伸。栅极结构设置为跨越鳍状结构的一部分。第一掺杂区的至少一部分设置在鳍状结构中。第二掺杂区设置在鳍状结构中并且在竖直方向上设置在第一掺杂区上方。中间区设置在鳍状结构中。第二掺杂区通过中间区与第一掺杂区分开，并且栅极结构的底表面在竖直方向上低于第一掺杂区的顶表面或与其共面。第一掺杂区的顶表面或与其共面。第一掺杂区的顶表面或与其共面。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置


[0001]本专利技术涉及半导体装置，并且更具体地，涉及包括鳍状结构的半导体装置。

技术介绍

[0002]随着场效应晶体管(FET)的尺寸不断变小，传统的平面场效应晶体管由于制造限制而难以开发。因此，为了克服制造限制，开发诸如鳍式场效应晶体管(FinFET)技术等非平面晶体管技术来替代平面FET，成为相关行业的发展趋势。由于FinFET的三维结构增加了栅极与鳍状结构之间的重叠面积，栅极可以更有效地控制沟道区。这样，可以减少小尺寸的装置的漏极诱导势垒降低(DIBL)效应和短沟道效应(SCE)。然而，为了进一步改善其电学特性，FinFET中仍有一些问题需要解决。

技术实现思路

[0003]在本专利技术中提供了一种半导体装置及其制造方法。通过分离掺杂区、修改由跨越鳍状结构的栅极结构覆盖的鳍状结构的面积，和/或扩大栅极结构的底部部分，可以减少鳍状结构内的不同掺杂区之间的泄漏电流和/或电容，以改善半导体装置的电气特性。
[0004]根据本专利技术的实施例，提供了一种半导体装置。半导体装置包括半导体衬底、鳍状结构、栅极结本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：半导体衬底；鳍状结构，设置在所述半导体的顶表面上并在竖直方向上从所述半导体的顶表面向上延伸；栅极结构，设置为跨越所述鳍状结构的一部分；第一掺杂区，其中所述第一掺杂区的至少一部分设置在所述鳍状结构中；第二掺杂区，设置在所述鳍状结构中并在所述竖直方向上设置在所述第一掺杂区上方；以及中间区，设置在所述鳍状结构中，其中所述第二掺杂区通过所述中间区与所述第一掺杂区分开，并且所述栅极结构的底表面在所述竖直方向上低于所述第一掺杂区的顶表面或与所述第一掺杂区的顶表面共面。2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二掺杂区的导电类型与所述第一掺杂区的导电类型互补。3.如权利要求2所述的半导体装置，其中，所述中间区的导电类型与所述第一掺杂区的导电类型相同，并且所述第一掺杂区中的杂质浓度高于所述中间区中的杂质浓度。4.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述栅极结构在水平方向上覆盖所述中间区的侧表面的一部分。5.如权利要求4所述的半导体装置，其中，所述栅极结构还在所述水平方向上覆盖所述第一掺杂区的侧表面的一部分。6.如权利要求1所述的半导体装置，还包括：隔离结构，设置在所述半导体衬底上并围绕所述鳍状结构，其中所述栅极结构的一部分设置在所述隔离结构上，并且所述隔离结构的顶表面在所述竖直方向上低于所述第一掺杂区的顶表面或与所述第一掺杂区的顶表面共面。7.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述鳍状结构包括：第一部分；第二部分，在所述竖直方向上设置在所述第一部分上，其中所述第一部分的宽度大于所述第二部分的宽度；以及第三部分，在所述竖直方向上设置在所述第一部分和所述第二部分之间，其中所述第三部分的侧壁是锥形的，并且所述中间区的至少一部分设置在所述第三部分中。8.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述栅极结构包括：第一部分；以及第二部分，设置在所述第一部分上，其中所述栅极结构的第一部分的宽度大于所述栅极结构的第二部分的宽度。9.如权利要求8所述的半导体装置，其中所述栅极结构的第一部分包括：下部；以及上部，其中所述下部的侧壁的斜度不同于所述上部的...

【专利技术属性】
技术研发人员：大川成实，
申请(专利权)人：联华电子日本株式会社，
类型：发明
国别省市：