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文档序号:33722712
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半导体装置包括半导体衬底、鳍状结构、栅极结构、第一掺杂区、第二掺杂区和中间区。鳍状结构设置在半导体衬底的顶表面上并在竖直方向上从其延伸。栅极结构设置为跨越鳍状结构的一部分。第一掺杂区的至少一部分设置在鳍状结构中。第二掺杂区设置在鳍状结构中并...
该专利属于联华电子日本株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过联华电子日本株式会社授权不得商用。
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