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用于处理基板的支撑单元、设备及用于处理基板的方法技术

技术编号:33722175 阅读:36 留言:0更新日期:2022-06-08 21:14
本申请公开用于处理基板的支撑单元、设备及用于处理基板的方法。本申请提供一种支撑单元,其被包括在利用电浆来处理基板的设备中,所述支撑单元包括:卡盘,被配置用来支撑基板的下表面;移动板,在俯视时,所述移动板围绕所述卡盘;以及升降构件,被配置为通过将所述移动板相对于所述卡盘沿向上或向下方向相对地移动来针对处理空间改变所述卡盘所支撑的所述基板的边缘区域的暴露面积。述基板的边缘区域的暴露面积。述基板的边缘区域的暴露面积。

【技术实现步骤摘要】
用于处理基板的支撑单元、设备及用于处理基板的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2020年12月3日提交给韩国知识产权局的序列号为10

2020

0167767的韩国专利申请的优先权和权益,其全部内容通过引用的方式并入本文。


[0003]本专利技术涉及一种支撑单元,一种用于处理基板的基板处理设备,以及一种使用所述支撑单元的基板处理方法

技术介绍

[0004]电浆(plasma)是由离子、自由基、及电子等形成的电离气体状态,并且是由非常高的温度、强电场或射频电磁场产生。半导体装置制造过程包括灰化、蚀刻或剥除过程,是使用电浆移除硬掩模(hard mark),从而移除基板(例如晶圆)上的膜(membrane)。当电浆当中的离子和自由基粒子与基板上的膜发生碰撞或反应时,就是进行了灰化、蚀刻或剥离过程。
[0005]近期以来,随着半导体整合度提高,可从单一基板(例如晶圆)制造的芯片数量也在增加。因此,为了将可从单一基板制造的芯片数量最大化,能够有效处理基板边缘部分的边本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于处理基板的设备,所述设备包括:腔室,具有处理空间;支撑单元,被配置用来在所述处理空间中支撑基板;以及电源单元,被配置用来在所述处理空间中产生电场,并从供应到所述处理空间的过程气体或处理流体产生电浆,其中,所述支撑单元包括:卡盘,被配置用来支撑所述基板的下表面;移动板,在俯视时,所述移动板被设置为围绕所述卡盘;以及升降构件,被配置用来通过将所述移动板相对于所述卡盘在向上或向下方向上移动来针对所述处理空间改变被所述卡盘支撑的所述基板的边缘区域的暴露面积。2.如权利要求1所述的设备,其中,在俯视时,所述卡盘的直径小于放置在所述卡盘上的所述基板的直径。3.如权利要求2所述的设备,其中,所述移动板在俯视时为环形,且所述移动板为所述移动板的内侧上表面的高度比外侧上表面的高度低的阶梯形。4.如权利要求3所述的设备,其中,在俯视时,放置在所述支撑单元上的所述基板的所述边缘区域重叠于所述移动板的所述内侧上表面。5.如权利要求1至4中任一项所述的设备,其中,所述卡盘的侧表面上形成导引部,设置至所述移动板的导引构件被插入所述导引部中,且所述导引部导引所述移动板的垂直移动。6.如权利要求5所述的设备,其中,所述导引构件的形状为一对各为形的导引组件的背部彼此相对。7.如权利要求1至4中任一项所述的设备,还包括:控制单元,其中,所述控制单元控制所述升降构件,以在向下方向移动所述移动板,以便提升处理被所述支撑单元支撑的所述基板的所述边缘区域的下表面的效率。8.如权利要求7所述的设备,其中,所述升降构件包括:第一升降构件,其使所述卡盘在垂直方向移动;以及第二升降构件,其使所述移动板在所述垂直方向移动。9.如权利要求8所述的设备,其中,所述控制单元通过在所述基板被放置在所述卡盘上之后,在所述向上方向移动所述卡盘和所述移动板来减少所述基板和设置在所述卡盘的上部的挡板之间的间隙,以及控制所述第一升降构件和所述第二升降构件,以在所述向下方向移动所述移动板,以便移除由于所述电浆流入所述基板的所述边缘区域的所述下表面所引起的附着在所述基板的所述边缘区域的下表面和所述基板的侧表面的膜。10.一种支撑单元,其被包括在利用电浆来处理基板的设备中,所述支撑单元包括:卡盘,被配置用来支...

【专利技术属性】
技术研发人员:沈滹宰赵炯信
申请(专利权)人:PSK有限公司
类型:发明
国别省市:

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