SiC锭的加工方法和激光加工装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供SiC锭的加工方法和激光加工装置，该SiC锭的加工方法能够在任意的高度在SiC锭中形成适当的剥离带。SiC锭的加工方法包含如下的工序：剥离带形成工序，将对于SiC锭具有透过性的波长的加工用激光光线的聚光点定位于与要生成的晶片的厚度对应的深度而对SiC锭照射该加工用激光光线，形成由裂纹构成的带状的剥离带；反射光检测工序，向剥离带照射对于SiC锭具有透过性并且在剥离带的裂纹处发生反射的波长的检查用激光光线，检测在裂纹处发生了反射的反射光的强度；以及加工用激光光线输出调整工序，按照使通过反射光检测工序而检测的反射光的强度处于规定的范围内的方式调整加工用激光光线的输出。加工用激光光线的输出。加工用激光光线的输出。

【技术实现步骤摘要】
SiC锭的加工方法和激光加工装置


[0001]本专利技术涉及SiC锭的加工方法和激光加工装置。

技术介绍

[0002]IC、LSI、LED等器件是在以Si(硅)、Al2O3(蓝宝石)等作为原材料的晶片的正面上层叠功能层并通过交叉的多条分割预定线对该功能层进行划分而形成的。另外，功率器件、LED等是在以单晶SiC(碳化硅)为原材料的晶片的正面上层叠功能层并通过交叉的多条分割预定线对该功能层进行划分而形成的。形成了器件的晶片通过切削装置、激光加工装置对分割预定线实施加工而分割成各个器件芯片，分割出的各器件芯片被用于移动电话、个人电脑等电子设备中。
[0003]形成有器件的晶片通常是利用线切割机将圆柱形状的半导体锭薄薄地切断而生成的。通过对切断的晶片的正面和背面进行研磨而精加工成镜面(例如参见专利文献1)。但是，在将半导体锭利用线切割机切断并对切断的晶片的正面和背面进行研磨时，半导体锭的大部分(70～80％)被舍弃，存在不经济的问题。特别是SiC锭的硬度高，难以利用线切割机切断，需要花费相当长的时间，因此生产率差，并且半导体锭的单价高，在有效本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种SiC锭的加工方法，其中，该SiC锭的加工方法包含如下的工序：剥离带形成工序，将与由SiC锭的端面和c面形成偏离角的方向垂直的方向作为X轴方向，其中，所述c面相对于SiC锭的端面倾斜，将与该X轴方向垂直的方向作为Y轴方向，一边将对于该SiC锭具有透过性的波长的加工用激光光线的聚光点定位于与要生成的晶片的厚度对应的深度而对该SiC锭照射该加工用激光光线，一边将该SiC锭与该聚光点在该X轴方向上相对地进行加工进给而形成带状的剥离带，该剥离带是使裂纹从SiC分离成Si和C的部分沿着该c面延伸而得的；分度进给工序，将该SiC锭与该聚光点在该Y轴方向上相对地进行分度进给而在该Y轴方向上并列设置该剥离带；反射光检测工序，向该剥离带照射对于该SiC锭具有透过性并且在该剥离带的该裂纹处发生反射的波长的检查用激光光线，检测在该裂纹处发生了反射的反射光的强度；以及加工用激光光线输出调整工序，按照使通过该反射光检测工序而检测的反射光的强度处于规定的范围内的方式调整该加工用激光光线的输出。2.根据权利要求1所述的SiC锭的加工方法，其中，该SiC锭的加工方法还包含如下的平坦面形成工序：在该剥离带形成工序之前，对...

【专利技术属性】
技术研发人员：平田和也，田畑晋，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：