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本发明提供SiC锭的加工方法和激光加工装置，该SiC锭的加工方法能够在任意的高度在SiC锭中形成适当的剥离带。SiC锭的加工方法包含如下的工序：剥离带形成工序，将对于SiC锭具有透过性的波长的加工用激光光线的聚光点定位于与要生成的晶片的厚度...
该专利属于株式会社迪思科所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社迪思科授权不得商用。

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