半导体元件及其制作方法技术

本发明专利技术公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法为，首先提供一基底包含第一区域以及第二区域，然后形成第一鳍状结构于该第一区域上，去除部分第一鳍状结构以形成一第一凹槽，形成一介电层于第一凹槽内以形成一双扩散隔离结构，再形成一第一栅极结构以及一第二栅极结构于双扩散隔离结构上，其中第一栅极结构底表面低于第一鳍状结构顶表面。面。面。

【技术实现步骤摘要】
半导体元件及其制作方法


[0001]本专利技术涉及一种制作半导体元件的方法，尤其是涉及一种整合双扩散隔离(double diffusion break,DDB)结构以及单扩散隔离(single diffusion break,SDB)结构的方法。

技术介绍

[0002]近年来，随着场效晶体管(field effect transistors,FETs)元件尺寸持续地缩小，现有平面式(planar)场效晶体管元件的发展已面临制作工艺上的极限。为了克服制作工艺限制，以非平面(non
‑
planar)的场效晶体管元件，例如鳍状场效晶体管(fin field effect transistor,Fin FET)元件来取代平面晶体管元件已成为目前的主流发展趋势。由于鳍状场效晶体管元件的立体结构可增加栅极与鳍状结构的接触面积，因此，可进一步增加栅极对于载流子通道区域的控制，从而降低小尺寸元件面临的漏极引发能带降低(drain induced barrier lowering,DIBL)效应，并可以抑制短通道效应(short channel本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，包含：提供基底包含第一区域以及第二区域；形成第一鳍状结构于该第一区域上；去除部分该第一鳍状结构以形成第一凹槽；形成介电层于该第一凹槽内以形成双扩散隔离结构；以及形成第一栅极结构以及第二栅极结构于该双扩散隔离结构上，其中该第一栅极结构底表面低于该第一鳍状结构顶表面。2.如权利要求1所述的方法，另包含：形成该第一鳍状结构于该第一区域以及第二鳍状结构于该第二区域；去除部分该第一鳍状结构以及部分该第二鳍状结构以形成该第一凹槽以及第二凹槽；形成该双扩散隔离结构于该第一凹槽内以及单扩散隔离结构于该第二凹槽内；以及形成该第一栅极结构以及该第二栅极结构于该双扩散隔离结构上以及第三栅极结构于该单扩散隔离结构上。3.如权利要求2所述的方法，其中该第三栅极结构底表面低于该第二鳍状结构顶表面。4.如权利要求2所述的方法，另包含：形成第一源极/漏极区域于该第一栅极结构以及该第二栅极结构旁以及第二源极/漏极区域于该第三栅极结构旁；以及进行金属栅极置换制作工艺将该第一栅极结构、该第二栅极结构以及该第三栅极结构转换为第一金属栅极、第二金属栅极以及第三金属栅极。5.如权利要求2所述的方法，其中形成第一栅极结构以及该第二栅极结构的步骤包含：形成栅极材料层于该双扩散隔离结构上；以及图案化该栅极材料层以形成该第一栅极结构、该第二栅极结构以及该第三栅极结构。6.如权利要求5所述的方法，另包含进行侧壁图案转移制作工艺以图案化该栅极材料层。7.如权利要求1所述的方法，其中该第一栅极结构重叠该第一鳍状结构以及该双扩散隔离结构。8.如权利要求1所述的方法，其中该第二栅极结构重叠该第一鳍状结构以及该双扩...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄守万，林俊贤，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：