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本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法为，首先提供一基底包含第一区域以及第二区域，然后形成第一鳍状结构于该第一区域上，去除部分第一鳍状结构以形成一第一凹槽，形成一介电层于第一凹槽内以形成一双扩散隔离结构，再形成一第...
该专利属于联华电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。

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