监测存储器中执行的错误校正操作制造技术

本发明专利技术包含用于监测存储器中执行的错误校正操作的设备及方法。若干实施例包含存储器及电路，所述电路经配置以：确定在对与所述存储器的若干存储器单元的经感测数据状态相关联的软数据执行的错误校正操作期间校正的错误数据的数量；确定与在对所述软数据执行的所述错误校正操作期间校正的所述错误数据相关联的软信息的质量；及基于在所述错误校正操作期间校正的所述错误数据的所述数量及与在所述错误校正操作期间校正的所述错误数据相关联的所述软信息的所述质量而确定是否对所述经感测数据采取校正动作。经感测数据采取校正动作。经感测数据采取校正动作。

【技术实现步骤摘要】
监测存储器中执行的错误校正操作
[0001]分案申请的相关信息
[0002]本申请是申请日为2017年3月17日，申请号为“201780029836.6”，专利技术名称为“监测存储器中执行的错误校正操作”的专利技术专利申请的分案申请。


[0003]本专利技术大体上涉及半导体存储器及方法，且更特定来说，涉及监测存储器中执行的错误校正操作。

技术介绍

[0004]存储器装置通常经提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路及/或外部可抽换式装置。存在许多不同类型的存储器，包含易失性及非易失性存储器。易失性存储器可需要电力以维持其数据且可包含随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)及同步动态随机存取存储器(SDRAM)等。非易失性存储器可在未经供电时留存经存储数据且可包含NAND快闪存储器、NOR快闪存储器、相变随机存取存储器(PCRAM)、电阻性随机存取存储器(RRAM)及磁性随机存取存储器(MRAM)等。
[0005]可将存储器装置组合在一起以形成固态驱动器(SSD)。SSD可包含非易失性存储器(例如，NAND快闪存储器及/或NOR快闪存储器)及/或可包含易失性存储器(例如，DRAM及/或SRAM)，以及各种其它类型的非易失性及易失性存储器。快闪存储器装置可包含(例如)将数据存储于电荷存储结构(例如浮动栅极)中的存储器单元，且可用作用于广泛范围的电子应用的非易失性存储器。快闪存储器装置通常使用允许高存储器密度、高可靠性及低电力消耗的单晶体管存储器单元。
[0006]可将阵列架构中的存储器单元编程到目标(例如，所要)状态。举例来说，可将电荷放置于存储器单元的电荷存储结构(例如，浮动栅极)上或从存储器单元的电荷存储结构移除以将所述存储器单元编程到特定数据状态。存储器单元的电荷存储结构上的经存储电荷可指示所述单元的阈值电压(Vt)。
[0007]举例来说，可将单电平单元(SLC)编程到两个不同数据状态的目标状态，其可由二进制单位1或0表示。可将一些快闪存储器单元编程到两个以上数据状态的目标状态(例如，1111、0111、0011、1011、1001、0001、0101、1101、1100、0100、0000、1000、1010、0010、0110及1110)。可将此类单元称为多状态存储器单元、多单元单元或多电平单元(MLC)。MLC可提供较高密度的存储器而不增加存储器单元的数目，这是因为每一单元可表示一个以上数字(例如，一个以上位)。
[0008]可通过感测快闪存储器单元的电荷存储结构上的经存储电荷(例如，Vt)而确定所述单元的状态。然而，例如读取干扰、编程干扰、单元对单元干扰及/或电荷损耗(例如，电荷泄漏)的若干机制(例如)可引起存储器单元的Vt改变。由于Vt的改变，当感测单元的状态时可发生错误。举例来说，单元可经感测为处在除了目标状态之外的状态(例如，不同于单元经编程到的状态的状态)中。此类错误可或不可由错误校正码(ECC)方案校正，例如低密度
奇偶校验(LDPC)ECC方案，其可利用与单元的数据状态相关联的软数据以校正错误。然而，软数据值(例如，位)也可发生错误，且这些错误也可或不可由ECC方案校正。

技术实现思路

[0009]本申请实施例提供了一种设备，该设备包括存储器及电路，该电路经配置以：确定与错误校正操作相关联的位错误率，对该存储器的若干存储器单元的经感测数据状态以及与该经感测数据状态相关联的软数据执行该错误校正操作；确定与该错误校正操作相关联的高可靠性错误率；以及通过在二维位错误率对高可靠性错误率空间中绘制该位错误率及该高可靠性错误率而确定是否对该经感测数据状态采取校正动作。
[0010]本申请实施例提供了一种用于操作存储器的方法，该方法包括：确定与错误校正操作相关联的位错误率，对若干存储器单元的经感测数据状态以及与该经感测数据状态相关联的软数据执行错误校正操作；确定与该错误校正操作相关联的高可靠性错误率；以及基于对应于该位错误率及该高可靠性错误率的数据点在二维位错误率对高可靠性错误率空间中的位置而确定是否对该经感测数据状态采取校正动作。
[0011]本申请实施例提供了一种设备，该设备包括存储器及电路，该电路经配置以：感测该存储器的若干存储器单元的数据状态以及与经感测数据状态相关联的软数据；对该经感测数据状态和软数据执行错误校正操作；确定与该错误校正操作相关联的位错误率；确定与该错误校正操作相关联的高可靠性错误率；并且通过在二维位错误率对高可靠性错误率空间中绘制该位错误率及该高可靠性错误率而确定是否对该经感测数据状态采取校正动作。
附图说明
[0012]图1说明根据本专利技术的若干实施例的存储器阵列的一部分的示意图。
[0013]图2说明根据本专利技术的若干实施例的与感测操作相关联的若干阈值电压分布、感测电压及数据指派的图式。
[0014]图3是根据本专利技术的若干实施例的包含呈存储器装置的形式的设备的计算系统的功能框图。
[0015]图4说明根据本专利技术的若干实施例的二维位错误率对高可靠性错误率空间的实例。
[0016]图5说明根据本专利技术的若干实施例的用于操作存储器的方法。
具体实施方式
[0017]本专利技术包含用于监测存储器中执行的错误校正操作的设备及方法。若干实施例包含存储器及电路，所述电路经配置以：确定在对与存储器的若干存储器单元的经感测数据状态相关联的软数据执行的错误校正操作期间校正的错误数据的数量；确定与在对软数据执行的错误校正操作期间校正的错误数据相关联的软信息的质量；及基于在错误校正操作期间校正的错误数据的数量及与在错误校正操作期间校正的错误数据相关联的软信息的质量而确定是否对经感测数据采取校正动作。
[0018]举例来说，硬数据可指存储于一或多个存储器单元中且响应于感测操作而提供到
主机的二进制数据值。在各种例子中，还可确定与存储器单元的经感测数据状态(例如，与硬数据)相关联的软数据。软数据可(例如)指示硬数据的质量及/或可信度，包含(例如)关于单元存储经读取硬数据或单元存储不同数据的概率的信息。此质量及/或可信度信息在本文中可称为软信息。因此，软数据可提供益处，例如针对错误校正码的增加的错误校正能力(其可转译为增加的存储器寿命)以及其它益处。
[0019]可使用错误校正操作(例如利用低密度奇偶校验(LDPC)错误校正码(ECC)方案的错误校正操作)来搭配硬数据或软数据两者检测并校正错误。然而，此类错误校正操作可具有有限校正能力。举例来说，此类错误校正操作可仅能够校正可能在数据中发生的特定(例如，最大)数目个错误。如果达到此校正限制(例如，如果数据具有多于错误校正操作能够校正的错误)，那么错误校正操作可失效，且可需要采取其它动作以恢复数据。
[0020]可监测错误校正操作以确定操作是否正接近其校正限制，且如果是，那么可采取适当校正动作以防止发生错误校正操作的失效。举例来说，在硬数据的情况中，错误校正操作的性能可仅取决于在操作期间校正的错误数据的数量。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种设备(334)，其包括：存储器(340
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1、340
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2、...、340
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N)；及电路(338)，其经配置以：确定与错误校正操作相关联的位错误率，对所述存储器(340
‑
1、340
‑
2、...、340
‑
N)的若干存储器单元(111
‑
1、...、111
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N)的经感测数据状态以及与所述经感测数据状态相关联的软数据执行所述错误校正操作；确定与所述错误校正操作相关联的高可靠性错误率；以及通过在二维位错误率对高可靠性错误率空间(450)中绘制所述位错误率及所述高可靠性错误率而确定是否对所述经感测数据状态采取校正动作。2.根据权利要求1所述的设备，其中在所述二维位错误率对高可靠性错误率空间中绘制所述位错误率及所述高可靠性错误率包含在所述二维位错误率对高可靠性错误率空间中绘制对应于所述位错误率和所述高可靠性错误率的数据点。3.根据权利要求1所述的设备，其中所述二维位错误率对高可靠性错误率空间包含对应于所述错误校正操作的校正限制的曲线(452)。4.根据权利要求3所述的设备，其中所述二维位错误率对高可靠性错误率空间包含若干额外曲线(454
‑
1、454
‑
2、454
‑
3)，其中每一相应额外曲线(454
‑
1、454
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2、454
‑
3)对应于与对应于所述错误校正操作的所述校正限制的所述曲线相关联的不同裕度量。5.根据权利要求4中所述的设备，其中所述若干额外曲线包括三个额外曲线。6.根据权利要求1中所述的设备，其中所述错误校正操作为成功的错误校正操作。7.一种用于操作存储器(340
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1、340
‑
2、...、340
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N)的方法，其包括：确定与错误校正操作相关联的位错误率，对若干存储器单元(111
‑
1、...、111
‑
N)的经感测数据状态以及与所述经感测数据状态相关联的软数据执行错误校正操作；确定与所述错误校正操作相关联的高可靠性错误率；以及基于对应于所述位错误率及所述高可靠性错误率的数据点在二维位错误率对高可靠性错误率空间(450)中的位置而确定是否对所述经感测数据状态采取校正动作。8.根据权利要求7所述的方法，其中：所述二维位错误率对高可靠性错误率空间包含对应于所述错误校正操作的校正限制的曲线(452)；以及所述方法包含基于所述数据点在所述二维位错误率对高可靠性错误率空间中相对于所述曲线(452)的所述位置而确定是否采取所述校正动作。9.根据权利要求8所述的方法，其中所述方法包含基于所述数据点在所述二维位错误率对高可靠性错误率空间中的所述位置是在所述曲线的第一侧还是在所述曲线的第二侧而确定是否采取所述校正动作。10.根据权利要求8所述的方法，其中：所述二维位错误率对高可靠性错误率空间包含若干额外曲线(454
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1、454
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2、454
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3)，其中每一相应额外曲线(454
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1、454
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2、454
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3)对应于与对应于所述错误校正操作的所述校正限制的所述曲线相关联的...

【专利技术属性】
技术研发人员：M，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：