本发明专利技术公开了一种基于活性氯电解装置的电镀综合废水处理工艺及装置，包括含氰电镀废水破络系统、含镍电镀废水破络系统及除镍系统。所述含氰电镀废水破络系统包括依次相连的调节池、活性氯电解装置及絮凝沉淀池。所述含镍电镀废水破络系统包括依次相连的调节池、氧化池及絮凝沉淀池。所述含氰电镀废水破络系统和含镍电镀废水破络系统产生的两股废液混合，进入所述除镍系统进行沉淀除镍。本发明专利技术可有效提高氧化破络效果，可解决次氯酸钠采购困难及储存易失效的问题，可实现系统内部资源的充分利用，减少废弃物外排，具有处理效率高、能耗低、运行稳定、产水达标等优点。产水达标等优点。产水达标等优点。
【技术实现步骤摘要】
一种基于活性氯电解装置的电镀综合废水处理工艺及装置
[0001]本专利技术涉及一种废水处理
，特别涉及一种基于活性氯电解装置的电镀综合废水处理工艺及装置。
技术介绍
[0002]含氰电镀废水主要来自于PCB电路板生产制造过程电镍金生产线和沉镍金生产线，为电金或沉金工序后的漂洗水，该废水中含有毒性较高的CN
‑
，需要独立收集，针对性处理。目前处理含氰电镀废水常用次氯酸钠药剂法进行处理，但是次氯酸钠易失效，无法大量堆放。
[0003]含镍电镀废水主要来源于电镀生产过程中的镀件清洗、镀液过滤、废镀液、渗漏及地面冲洗等。在电镀镍或者化学镀镍时，会对电镀后的零件进行冲洗，冲洗产生的废水即为含镍电镀废水。含镍电镀废水种类繁多，污染物成分复杂，常出现有机物、重金属离子等污染物超标的现。目前为了提高镍离子的去除率，需要对含镍废水进行破络处理，此过程中常见的采用双氧水和硫酸亚铁进行氧化破络，需要消耗大量的酸和碱，药剂处理成本高。
[0004]针对现有技术存在的不足，迫切需要寻找一套高效的低成本的电镀综合废水处理系统，以解决上述问题。
技术实现思路
[0005]为克服上述现有技术中的不足，本专利技术目的在于提供一种基于活性氯电解装置的电镀综合废水处理工艺及装置。
[0006]为实现上述目的，本专利技术采取的技术方案为：
[0007]一种基于活性氯电解装置的电镀综合废水处理工艺及装置，其特征在于：包括含氰电镀废水破络系统，含镍电镀废水破络系统及除镍系统，所述含氰电镀废水破络系统包括依次相连的第一调节池，活性氯电解装置及第一絮凝沉淀池，所述含镍电镀废水破络系统包括依次相连的第二调节池、氧化池及第二絮凝沉淀池，所述含氰电镀废水破络系统和含镍电镀废水破络系统产生的两股废液混合进入所述除镍系统进行沉淀除镍。
[0008]进一步的，所述活性氯电解装置由阴极板、阳极板、离子交换膜、阴极槽及阳极槽组成。
[0009]进一步的，所述离子交换膜属于耐碱的阴离子交换膜，所述阳极板材质为钛涂贵金属材质。
[0010]进一步的，所述除镍系统中固定设有除镍剂。
[0011]一种基于活性氯电解装置的电镀综合废水处理工艺，其特征在于，所述含氰电镀废水破络系统的具体步骤如下：
[0012](a)将含氰电镀废水进入第一调节池调节pH；
[0013](b)所述第一调节池产水进入活性氯电解装置进行破络反应，具体反映为：所述第一调节池产水进入阳极槽，进行破络反应，将氰化物降解成二氧化碳和简单无机化合物，得
到破络废水；所述阴极槽内投入氯化钠电解液，经电解反应后生成NaC l和NaOH混合溶液排出；
[0014](c)所述破络废水进入第一絮凝沉淀池，投加氢氧化钙、絮凝剂或混凝剂，絮凝沉淀后污泥外运作为固废处理；
[0015](d)所述絮凝沉淀产水进入除镍沉淀系统。
[0016]所述含镍电镀废水破络系统的具体操作步骤如下：
[0017](a)将含镍电镀废水进入第二调节池，用硫酸调节废液pH；
[0018](b)所述第二调节池产水进入氧化池，投加双氧水和硫酸亚铁进行氧化破络，将镍离子由络合态转变为游离态；
[0019](c)所述氧化破络产水进入第二絮凝沉淀池，加入所述含氰电镀废水破络系统中活性氯电解装置产生的阴极废碱液调节pH，同时加入絮凝剂进行絮凝沉淀，污泥外运作为固废处理；
[0020](d)所述絮凝沉淀产水进入除镍沉淀系统，该。
[0021]进一步的，所述所述氯化钠电解液中的氯离子在电场作用下经阴离子交换膜进入阳极槽，在阳极板上产生活性氯，促进氰酸根离子的降解；所述活性氯电解装置的电流密度设置为5～20A/m2，停留时间在0.5～2h。
[0022]进一步的，所述含镍电镀废水破络系统的氧化池内，投加硫酸亚铁和双氧水进行氧化破络，所述硫酸亚铁与镍离子比例为0.5：1～2：1，所述硫酸亚铁与双氧水比例为1：1～1：5，所述氧化池内停留时间为0.5～2h。
[0023]进一步的，所述除镍沉淀系统中采用的除镍药剂可以是硫化钠、多硫化钠、二硫代甲酸盐(DTC)类化合物、三巯基三嗪盐(TMT)类化合物或者三硫代碳酸盐(STC)类化合物中的任意一种或多种组合。
[0024]与现有技术相比，本专利技术的有益效果为：
[0025](1)本方案针对不同类型的电镀废水特点采用不同的氧化工艺，可有效提高氧化破络效果，产水镍离子达到＜0.3mg/L的排放标准；
[0026](2)采用活性氯电解装置对含氰废水进行预处理，可解决次氯酸钠采购困难及储存易失效的问题；
[0027](3)将活性氯电解装置产生的氢氧化钠废液用于氧化产水调碱工段，可实现系统内部资源的充分利用，减少废弃物外排；
[0028](4)整个系统具有处理效率高、能耗低、运行稳定、产水达标等优点。
附图说明
[0029]图1为本专利技术的结构及原理示意图；
[0030]图2为本专利技术的活性氯电解装置及原理示意图。
[0031]附图标识：
[0032]1.含氰电镀废水破络系统，2.含镍电镀废水破络系统，3.除镍系统，4.第一调节池，5.活性氯电解装置，6.第一絮凝沉淀池，7.第二调节池，8.氧化池，9.第二絮凝沉淀池，10.阴极板，11.阳极板，12.离子交换膜，13.阴极槽，14.阳极槽。
具体实施方式
[0033]下面结合附图对本专利技术的较佳实施例作详细阐述，以使本专利技术的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本专利技术的保护范围作出更为清楚明确的界定。
[0034]综合图1
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2所示，本专利技术提供了一种基于活性氯电解装置的电镀综合废水处理工艺及装置，包括含氰电镀废水破络系统、含镍电镀废水破络系统及除镍系统。
[0035]所述含氰电镀废水破络系统包括第一调节池、活性氯电解装置及第一絮凝沉淀池。具体步骤如下：
[0036](a)含氰电镀废水进入第一调节池调节pH；
[0037](b)所述第一调节池产水进入活性氯电解装置进行破络反应；所述活性氯电解装置由阴极板、阳极板、离子交换膜、阴极槽及阳极槽组成；所述调节池产水进入阳极槽，进行破络反应，将氰化物降解成二氧化碳和简单无机化合物，得到破络废水；所述阴极槽内投入氯化钠电解液，经电解反应后生成NaCl和NaOH混合溶液排出。
[0038](c)所述破络废水进入第一絮凝沉淀池，投加氢氧化钙、絮凝剂或混凝剂，絮凝沉淀后污泥外运作为固废处理。
[0039](d)所述絮凝沉淀产水进入除镍沉淀系统。
[0040]所述含镍电镀废水破络系统包括第二调节池、氧化池及第二絮凝沉淀池。具体步骤如下：
[0041](a)含镍电镀废水进入第二调节池，用硫酸调节废液pH；
[0042](b)所述调节池产水进入氧化池，投加双氧水和硫酸亚铁进行氧化破络，将镍离子由络合态转变为游离态；
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基于活性氯电解装置的电镀综合废水处理装置，其特征在于：包括含氰电镀废水破络系统，含镍电镀废水破络系统及除镍系统，所述含氰电镀废水破络系统包括依次相连的第一调节池，活性氯电解装置及第一絮凝沉淀池，所述含镍电镀废水破络系统包括依次相连的第二调节池、氧化池及第二絮凝沉淀池，所述含氰电镀废水破络系统和含镍电镀废水破络系统产生的两股废液混合进入所述除镍系统进行沉淀除镍。2.根据权利要求1所述的一种基于活性氯电解装置的电镀综合废水处理装置，其特征在于：所述活性氯电解装置由阴极板、阳极板、离子交换膜、阴极槽及阳极槽组成。3.根据权利要求2所述的一种基于活性氯电解装置的电镀综合废水处理装置，其特征在于：所述离子交换膜属于耐碱的阴离子交换膜，所述阳极板材质为钛涂贵金属材质。4.根据权利要求1所述的一种基于活性氯电解装置的电镀综合废水处理装置，其特征在于：所述除镍系统中固定设有除镍剂。5.一种基于活性氯电解装置的电镀综合废水处理工艺，其特征在于，所述含氰电镀废水破络系统的具体步骤如下：(a)将含氰电镀废水进入第一调节池调节pH；(b)所述第一调节池产水进入活性氯电解装置进行破络反应，具体反映为：所述第一调节池产水进入阳极槽，进行破络反应，将氰化物降解成二氧化碳和简单无机化合物，得到破络废水；所述阴极槽内投入氯化钠电解液，经电解反应后生成NaCl和NaOH混合溶液排出；(c)所述破络废水进入第一絮凝沉淀池，投加氢氧化钙、絮凝剂或混凝剂，絮凝沉淀后污泥外运作为固废处理；...
【专利技术属性】
技术研发人员：李丽，孙端磊，张建海，金艳，黄伙，吕文玉，王彬，
申请(专利权)人：苏州聚智同创环保科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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