一种H面剖分的太赫兹弯折波导结构制造技术

本发明专利技术公开了一种H面剖分的太赫兹弯折波导结构，包括上盖板和下腔体两部分；上盖板内含矩形波导一；下腔体内含矩形波导口、槽间隙波导、矩形波导二、两级波导台阶以及U形槽结构；所述矩形波导口与槽间隙波导、矩形波导二及矩形波导一依次连接；所述波导台阶位于矩形波导二终端的下底面；U形槽结构分布在矩形波导二及波导台阶的外围，开口朝向矩形波导口的方向。本发明专利技术利用周期阵列排布的电磁带隙结构抑制特定频率范围的电磁波，避免了矩形波导由H面波导剖分制作导致的能量泄露问题。同时设计U形槽结构抑制波导弯折处的表面波传播，降低传输损耗。具有结构简单、制作方便、低传输损耗和宽频带工作的优点。耗和宽频带工作的优点。耗和宽频带工作的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种H面剖分的太赫兹弯折波导结构


[0001]本专利技术属于太赫兹器件
，具体一种H面剖分的太赫兹弯折波导结构。

技术介绍

[0002]弯波导用于波导电路连接，常见于毫米波、太赫兹电路中。在加工制作时，通常需要将波导剖开才能将内部结构精确制作；电路组装后，波导剖分产生的缝隙几乎无法完全消除，这些因加工精度、表面粗糙度等问题产生的缝隙会导致电磁泄露，影响电路性能，这个问题在高频段尤其严重。
[0003]一般来说，避免波导剖分电磁泄露的常规做法是，在矩形波导宽边的中心进行剖分，即E面波导剖分，理论上这种剖分不会切断波导中的电流线，能量泄露最小，适用于波导窄边平行于电路平面的电路结构。然而，这并非对所有的电路结构都适用。在SiP封装三维电路系统中，波导宽边平行于电路平面时，电路的垂直互联使用H面剖分更利于简化电路结构，但H面剖分不论在波导顶部、底部还是中心剖分，都会切断电流线，产生较大的电磁辐射，工作频率越高，辐射越严重。因此，开发一种易于加工制作、性能优良的可用于H面剖分的太赫兹弯折波导对于电路连接、系统封装至关重要，也为太赫兹电路的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种H面剖分的太赫兹弯折波导结构，其特征在于，包括上盖板和下腔体两部分；上盖板内含矩形波导一(5)；下腔体内含矩形波导口(1)、槽间隙波导(2)、矩形波导二(3)、两级波导台阶(4)以及U形槽结构(6)；所述矩形波导口(1)与槽间隙波导(2)、矩形波导二(3)及矩形波导一(5)依次连接；所述波导台阶(4)位于矩形波导二(3)终端的下底面；U形槽结构(6)分布在矩形波导二(3)及波导台阶(4)的外围，开口朝向矩形波导口(1)的方向。2.根据权利要求1所述的一种H面剖分的太赫兹弯折波导结构，其特征在于，所述矩形波导口(1)为长度小于1/4波长的矩形波导，矩形波导口(1)的输入波导口位于下腔体的侧面上，输入波导口为矩形，矩形的相邻两条边分别为矩形波导口(1)的宽边和窄边；矩形波导二(3)及槽间隙波导(2)的波导宽边和窄边分别平行于矩形波导口(1)的宽边和窄边；矩形波导一(5)的宽边平行于矩形波导口(1)的宽边，窄边垂直于矩形波导口(1)的宽输入波导口；矩形波导口(1)与槽间隙波导(2)、矩形波导...

【专利技术属性】
技术研发人员：张勇，张博，代春玥，张铁笛，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：