一种可加载直流电场偏置的SIW传输线制造技术

本发明专利技术涉及微波技术，具体涉及一种可加载直流电场偏置的SIW传输线。本发明专利技术通过在基片集成波导的基础上改变金属通孔结构为隔直结构，并外加一排倒置相同的隔直结构来减小辐射损耗，并且增大等效电容使其逼近传统SIW传输线传输性能。此隔直结构的电原理图相当于在传统SIW基础上周期加载并联电容，则需在满足尺寸要求的前提下尽量增大电容值，即减小间距和增大电容面积。采用双排结构相比单排结构，一方面减小辐射损耗，另一方面相当于额外增加一个并联电容，进一步增大容值，使整个隔直传输线接近SIW传输线的性能。本发明专利技术满足可加载直流偏置电场的功能，但损耗远低于现有的带状线和共面波导结构。和共面波导结构。和共面波导结构。

【技术实现步骤摘要】
一种可加载直流电场偏置的SIW传输线


[0001]本专利技术涉及微波技术，具体涉及一种可加载直流电场偏置的SIW传输线。

技术介绍

[0002]随着科技发展进步，微波技术逐渐向小型化，集成化发展。SIW结构具有低辐射、低插损、较高Q值、高功率容量、小型化和易于连接等优点。铁电体材料具有通过改变加在铁电体材料上的电场，以改变铁电材料的介电常数的特性，且具有功率容量高，极化速度快等诸多优点，可应用于诸多微波器件的设计中。
[0003]现有铁电体材料多应用于带状线，共面波导等结构，传输线本身带来的损耗较大，插入损耗在
‑
0.1dB以下；而采用矩形波导，传统SIW等单导体导波结构无法满足铁电体本身需要直流电场偏置的要求。

技术实现思路

[0004]针对上述存在问题或不足，为解决现有导波结构无法加载直流电场偏置，或加载于带状线、共面波导等传输线结构存在损耗高、Q值低的问题；本专利技术提供了一种可加载直流电场偏置的SIW传输线，通过在基片集成波导结构基础上，改进金属通孔为本专利技术所设计的隔直结构，并另外加一排上述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可加载直流电场偏置的SIW传输线，其特征在于：在传统基片集成波导基础上将两排金属化通孔改为单侧双排的隔直结构；所述隔直结构为底层金属板接金属圆柱且与上层金属板不接触，间距为h1，h1小于中间介质层高度t的一半，上层金属板接金属管；金属管的内径d1大于底层金属板的金属圆柱直径d2，且底层金属板的金属圆柱与上层金属板的金属管一一对应；金属管套在相应的金属圆柱外部，且与底层金属板、金属圆柱均不接触，金属管和相应金属圆柱同轴，以隔离直流；其中，金属管与底层金属板的间距也为h1，h1和b满足介质击穿场强和铁电体直流偏置电场场强要求；所述单侧双排隔直结构为采用隔直结构替换SIW传输线原有的金属化通孔后，在两排隔直结构基础上再于各排隔直结构外侧加载一排与其平行的相同隔直结构；但所加载的两排隔直结构均改为上层金属板接金属圆柱，底层金属板接金属管；同侧两排隔直结构的中心行距为L，0.46mm≤L≤0.68mm；经各外排隔直结构中心向相应内排隔直结构所在线段作垂线、或经各内排隔直结构中心向相应外排隔直结构所在线段作垂线，其垂足均落在对应线段上，且垂足与最近的内/外排相邻两个隔直结构中心连线的中点存在0～0.16mm的左右偏移量，d＞s
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d+0.16mm，d为金属管的外径，s为相邻隔直结构的中心距。2.如权利要求1所述可加载直流...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪晓光，林铮，赵晓琴，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：