RF放大器封装制造技术

本发明专利技术涉及RF放大器封装。本发明专利技术进一步涉及用于这种放大器封装的、包括RF功率FET的半导体管芯。根据本发明专利技术，RF功率FET包括布置在栅极键合条和第一漏极键合条之间的第二漏极键合条，第一漏极键合条连接到RF放大器封装的输出端。漏极指状物从第二漏极键合条朝向栅极键合条延伸，且漏极指状物朝向第一漏极键合条延伸。第二漏极键合条使用键合线连接到隔直电容器。这些键合线形成电感，该电感与RF功率FET的输出电容在RF放大器封装的工作频率处或RF放大器封装的工作频率附近进行谐振。通过在栅极键合条和第一漏极键合条之间布置第二漏极键合条，RF放大器封装可以以更高的频率工作。RF放大器封装可以以更高的频率工作。RF放大器封装可以以更高的频率工作。

【技术实现步骤摘要】
RF放大器封装


[0001]本专利技术涉及射频
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RF
’
放大器封装。本专利技术进一步涉及用于这种放大器封装的半导体管芯。

技术介绍

[0002]图1A和图1B分别示出了已知的RF放大器封装的示意性俯视图和截面图，而图1C示出了其等效电路。
[0003]已知的放大器封装具有输出端1、输入端2和导电衬底3。输出端1和输入端2使用陶瓷环16与衬底3分离。在将RF放大器封装组装在印刷电路板
‘
PCB
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上之后，衬底3通常连接到PCB的地。
[0004]半导体管芯4布置在衬底3上。在该管芯上布置RF功率场效应晶体管
‘
FET
’
5。RF功率FET 5包括第一组漏极指状物6和栅极指状物7，第一组漏极指状物6和栅极指状物7分别电连接到第一漏极键合条8和栅极键合条9。例如，RF功率FET 5可包括基于硅的横向扩散金属氧化物半导体
‘
LDMOS
’
晶体管。衬底3通常电连接到RF功率FET 5的源极。此外本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种射频RF放大器封装，包括：输入端(2)；输出端(1)；衬底(3)；第一隔直电容器(C1)，具有第一端和接地的第二端；安装在所述衬底上的半导体管芯(4)，所述半导体管芯包括：半导体衬底；集成在所述半导体衬底上的RF功率场效应晶体管FET(5)，所述RF功率FET具有输出电容(Cds)并配置成在工作频率范围内运行；栅极键合条(9)，使用多条栅极键合线直接连接到所述输入端或者经由输入阻抗匹配级连接到所述输入端；第一漏极键合条(8)，使用多条漏极键合线直接连接到所述输出端或者经由输出阻抗匹配级连接到所述输出端；第二漏极键合条(8
’
)，布置在所述栅极键合条和所述第一漏极键合条之间；多条第一键合线(14)，将所述第二漏极键合条连接到所述第一隔直电容器的第一端；其中，所述RF功率FET包括：多个栅极指状物(7)，所述多个栅极指状物电连接到所述栅极键合条且所述多个栅极指状物中的每个栅极指状物从所述栅极键合条朝向所述第一漏极键合条延伸并延伸到所述第二漏极键合条下方；第一组漏极指状物(6)，所述第一组漏极指状物中的每个漏极指状物在所述第二漏极键合条和所述第一漏极键合条之间的区域中延伸，其特征在于，所述RF功率FET进一步包括第二组漏极指状物(6
’
)，所述第二组漏极指状物中的每个漏极指状物在所述第二漏极键合条和所述栅极键合条之间的区域中延伸，其中，所述多个栅极指状物中的每个栅极指状物与所述第一组漏极指状物和所述第二组漏极指状物中相应的漏极指状物操作地耦合；其中，所述第一组漏极指状物中的漏极指状物布置成与所述第二组漏极指状物中相应的漏极指状物对齐，以形成相应的多对对齐的漏极指状物，并且其中，所述栅极指状物与所述相应的多对对齐的漏极指状物操作地耦合。2.根据权利要求1所述的RF放大器封装，其中，所述第一组漏极指状物中的每个漏极指状物在所述第二漏极键合条的第一边缘处或所述第二漏极键合条的第一边缘附近连接到所述第二漏极键合条，并且其中，所述第二组漏极指状物中的每个漏极指状物在所述第二漏极键合条的与所述第一边缘相对的第二边缘处或所述第二漏极键合条的第二边缘附近连接到所述第二漏极键合条。3.根据权利要求2所述的RF放大器封装，其中，所述半导体管芯包括布置在所述半导体衬底上的金属层堆叠，所述金属层堆叠包括多个金属层(M0，M1，M2，M3，M4)，其中，所述第二漏极键合条形成在所述金属层堆叠的相对于所述半导体衬底在最上方的金属层(M4)中，并且其中，所述第一组漏极指状物和所述第二组漏极指状物中的漏极指状物和所述栅极指状物至少在所述第二漏极键合条的位置处形成在一个或多个下方金属层中，其中，所述第一组漏极指状物和所述第二组漏极指状物中的每个漏极指状物通过所述最上方的金属层与
所述一个或多个下方金属层之间的相应通孔连接到所述第二漏极键合条，所述通孔布置在所述第二漏极键合条的边缘处或所述第二漏极键合条的边缘附近。4.根据权利要求3所述的RF放大器封装，其中，所述第二漏极键合条包括基本上矩形的基部(24)和多个突起，所述多条第一键合线结合到所述基部，所述多个突起沿着平行于所述栅极指状物的纵向方向的方向从所述基部延伸，其中，每个相应的通孔终止于所述多个突起中相应的突起中。5.根据权利要求4所述的RF放大器封装，其中，所述多个突起包括多个第二突起(24”)，所述多个第二突起中的每个第二突起从所述矩形基部朝向所述栅极键合条延伸，其中，所述第二组漏极指状物中的每个漏极指状物使用相应的通孔连接在该指状物和相应的第二突起之间，其中，所述多个突起包括多个第一突起(24
’
)，所述多个第一突起中的每个第一突起从所述矩形基部朝向所述第一漏极键合条延伸，其中，所述第一组漏极指状物中的每个漏极指状物使用相应的通孔连接在该指状物和相应的第一突起之间。6.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：约瑟夫斯，
申请(专利权)人：安普林荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：