半导体封装制造技术

提供了一种半导体封装，包括：下封装，所述下封装包括下基板和下半导体芯片；中介层基板，在所述下封装上并且具有穿透所述中介层基板的多个孔；热辐射结构，所述热辐射结构包括所述中介层基板的顶表面上的支撑部和所述中介层基板的孔中的多个突出部；以及导热层，在所述下半导体芯片和所述热辐射结构的突出部之间。之间。之间。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年11月30日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10
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2020
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0164363的优先权，其公开内容由此通过引用全部并入。


[0003]本专利技术构思涉及一种半导体封装，更具体地涉及一种包括中介层基板的半导体封装。

技术介绍

[0004]提供半导体封装以实现用以有资格用于电子产品中的集成电路芯片。通常，在半导体封装中，半导体芯片安装在印刷电路板(PCB)上，并且使用接合线或焊块将半导体芯片电连接到印刷电路板。半导体封装的速度和容量越高，半导体封装的功耗增加得越多。因此，半导体封装的热特性和可靠性变得越来越重要。

技术实现思路

[0005]本专利技术构思的一些示例实施例提供了具有更好的热辐射性质的半导体封装。
[0006]本专利技术构思的一些示例实施例提供了具有更高的可靠性的半导体封装及其制造方法。
[0007]根据本专利技术构思的一些示例实施例，一种半导体封装可以包括：下封装，所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装，包括：下封装，包括下基板和至少一个下半导体芯片；中介层基板，在所述下封装上，所述中介层基板包括穿透所述中介层基板的多个孔；热辐射结构，包括所述中介层基板的顶表面上的支撑部和所述中介层基板的孔中的多个突出部；以及导热层，在所述下半导体芯片和所述热辐射结构的突出部之间。2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述导热层包括与所述热辐射结构的材料不同的材料。3.根据权利要求2所述的半导体封装，其中，所述导热层包括焊膏材料或热界面材料中的至少一种。4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中：所述下封装还包括所述下基板和所述中介层基板之间的下模塑层，所述下模塑层包括延伸部，并且所述延伸部在所述下半导体芯片的顶表面和所述中介层基板的底表面之间。5.根据权利要求4所述的半导体封装，其中，所述下模塑层的所述延伸部与所述导热层物理接触。6.根据权利要求4所述的半导体封装，其中，所述中介层基板的孔的侧壁与所述下模塑层的所述延伸部的侧壁对准。7.根据权利要求4所述的半导体封装，其中，所述下模塑层与所述中介层基板的底表面物理接触。8.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述导热层还在所述热辐射结构和所述中介层基板之间。9.根据权利要求1所述的半导体封装，还包括：上封装，在所述中介层基板和所述热辐射结构上；以及上连接结构，在所述中介层基板和所述上封装之间，其中，所述上连接结构与所述热辐射结构横向间隔开。10.根据权利要求9所述的半导体封装，其中，所述支撑部的高度是所述上连接结构的高度的0.7倍到0.9倍。11.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，相邻的两个孔之间在横向方向上的间隔在20μm到50μm的范围中。12.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述支撑部在横向方向上的宽度在30μm到500μm的范围中。13.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，当在平面图中观察时，所述中介层基板的孔与所述至少一个下半导体芯片重叠。14.一种半导体封装，包括：下封装，包括下基板和至少一个下半导体芯片；中介层基板，在所述下封装上，所述中介层基板包括穿透所述中介层基板的多个孔；以及热辐射结构，在所述中介层基板上，所述热辐射结...

【专利技术属性】
技术研发人员：金东暤，金知晃，朴桓必，沈钟辅，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：