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本发明涉及RF放大器封装。本发明进一步涉及用于这种放大器封装的、包括RF功率FET的半导体管芯。根据本发明，RF功率FET包括布置在栅极键合条和第一漏极键合条之间的第二漏极键合条，第一漏极键合条连接到RF放大器封装的输出端。漏极指状物从第二...
该专利属于安普林荷兰有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安普林荷兰有限公司授权不得商用。

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