用于验证光掩模清洁度的系统和方法技术方案

本申请涉及接触浸没式光刻系统及其使用方法。示例的浸没式光刻系统包括光掩模基板和沿着光掩模基板的表面布置的至少一个传感器。浸没式光刻系统还包括具有至少一个处理器和存储器的控制器。至少一个处理器被配置为执行存储在存储器中的程序指令以便执行操作。所述操作包括从至少一个传感器接收指示至少一个传感器附近的电场的信息。所述操作还包括基于接收的信息确定以下至少一个：与光掩模基板相邻的液体层的厚度或到与光掩模基板相邻的另一基板的距离。一基板的距离。一基板的距离。

【技术实现步骤摘要】
用于验证光掩模清洁度的系统和方法


[0001]本专利技术涉及用于验证光掩模清洁度的系统和方法。

技术介绍

[0002]诸如光导和其他光学设备的各种光学组件的制造可以以倾斜接触浸没式光刻(contact immersion lithography)来执行。在这样的场景中，在光致抗蚀剂(photoresist)中实现锐利的角/边缘有利于实现波导结构的高光传输效率。为了实现锐利的角/边缘，通常将基板/光致抗蚀剂放置在非常靠近光掩模(photomask)。然而，基板与掩模不直接接触，以便避免光致抗蚀剂粘连到掩模。例如，如果光致抗蚀剂粘连到掩模，那么处理可能失败。此外，如果掩模上有灰尘或者其他杂质，那么处理可能失败。因此，需要确认基板/光致抗蚀剂和光掩模之间的适当的间隔和清晰的间隙(clear gap)的方式。

技术实现思路

[0003]示例实施例涉及用于浸没式光刻的设备、系统和方法。
[0004]在第一方面，提供了浸没式光刻系统。浸没式光刻系统包括光掩模基板和沿着光掩模基板的表面布置的至少一个传感器。浸没式光刻系统包括具有至少一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种浸没式光刻系统，包括：光掩模基板；至少一个传感器，沿着光掩模基板的表面布置；以及控制器，包括至少一个处理器和存储器，其中，所述至少一个处理器被配置为执行存储在存储器中的程序指令以便执行操作，所述操作包括：从至少一个传感器接收指示至少一个传感器附近的电场的信息，并且基于接收的信息确定以下中的至少一个：与光掩模基板相邻的液体层的厚度或到与光掩模基板相邻的另一基板的距离。2.根据权利要求1所述的浸没式光刻系统，其中，所述至少一个传感器包括第一组伸长结构和第二组伸长结构，其中，第一组伸长结构和第二组伸长结构以交叉指状排列来布置。3.根据权利要求2所述的浸没式光刻系统，其中，所述伸长结构包括铬。4.根据权利要求2所述的浸没式光刻系统，其中，所述伸长结构的尺寸能够测量在5微米到100微米之间的液体层厚度。5.根据权利要求2所述的浸没式光刻系统，其中，所述交叉指状排列包括20微米到80微米之间的线宽和20微米到80微米之间的齿间宽。6.根据权利要求2所述的浸没式光刻系统，其中，所述交叉指状排列包括可变周期光栅结构。7.根据权利要求2所述的浸没式光刻系统，其中，所述交叉指状排列包括20个到150个之间的伸长结构。8.根据权利要求1所述的浸没式光刻系统，其中，所述光掩模基板包括光掩模图案，其中，所述至少一个传感器的至少一部分包括光掩模图案的一部分。9.根据权利要求1所述的浸没式光刻系统，其中，所述光掩模基板包括排除区域，其中，所述至少一个传感器沿着排除区域外部的光掩模基板布置。10.根据权利要求1所述的浸没式光刻系统，还包括多个弹簧针连接器，其中，所述至少一个传感器包括多个接触垫，其中，所述接触垫通过多个弹簧针连接器电耦合到控制器。...

【专利技术属性】
技术研发人员：J邓菲，H石，D哈奇森，YJ董，E歌本哈弗，N楚伊，
申请(专利权)人：伟摩有限责任公司，
类型：发明
国别省市：