一种半导体功率器件制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体功率器件的技术领域，具体为，包括：一种半导体功率器件，包括:半导体功率器件主体，所述半导体功率器件主体外壁设置有散热槽，且半导体功率器件主体一侧固定有引电芯，所述引电芯外部安置有陶瓷保护罩，且引电芯另一侧固定有隔热垫，在引电芯外部设置有陶瓷保护罩，陶瓷有着很好的绝缘和导热的效果，有着陶瓷的保护和导热，引电芯在电流通过的时候不会让电流发生分向或者集中的现象，在陶瓷保护罩和引电芯之间填充有松香助焊剂，这种松香助焊剂可以避免引电芯经过电流后会产生氧化现象，没有氧化现象的产生从而就能减少热量释放，而且松香助焊剂本身也具有辅助导热的现象，对热量也起到了传递分散的效果。果。果。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体功率器件


[0001]本技术涉及半导体功率器件的
，具体为一种半导体功率器件。

技术介绍

[0002]半导体功率器件又叫电力电子器件，主要用于电力设备的转换与控制，几乎涵盖了所有的电子制造业，大到航空器械小到手机充电器都不可或缺，除了保证电子设备的正常运作的同时还能提高其工作效率，在中国此类产品一直有着很快的发展速度。
[0003]但是在传统的半导体功率器件在工作的时候，散热功能尤为重要，在长期高温的工作下，如果散热不及时很容易发生短路，甚至引起火灾的现象，大大减少了使用寿命，而且安装拆卸也是比较麻烦，如果一不小心就可能会晃动导致断连现象。

技术实现思路

[0004]技术的目的在于提供一种半导体功率器件，以解决上述
技术介绍
中提出对于在长期高温的工作下，如果散热不及时很容易发生短路，甚至引起火灾的现象，大大减少了使用寿命，而且安装拆卸也是比较麻烦，如果一不小心就可能会晃动导致断连现象的问题。
[0005]本为实现上述目的，本技术提供如下技术方案，一种半导体功率器件，包括：半导体功率器件主体，所述半导体功率器件主体外壁设置有散热槽，且半导体功率器件主体一侧固定有引电芯，所述引电芯外部安置有陶瓷保护罩，且引电芯另一侧固定有隔热垫，所述陶瓷保护罩一侧设置有焊接层，且焊接层内部安置有松香助焊剂，所述焊接层底端设置有焊接口，且焊接口下方安置有电路板，所述电路板底端固定有散热薄膜，且散热薄膜下方连接有氧化铍层，所述氧化铍层外部固定有钼片，且钼片底部固定有钨铜固定板。
[0006]优选的，所述引电芯关于半导体功率器件主体水平中心线位置对称，且设置有两组，所述半导体功率器件主体与引电芯之间为焊接连接，且引电芯与陶瓷保护罩之间为焊接连接。
[0007]优选的，所述电路板与散热薄膜紧密贴合，且散热薄膜与氧化铍层之间为焊接连接。
[0008]优选的，所述氧化铍层与钼片之间为焊接连接，且钼片与钨铜固定板之间为固定连接。
[0009]优选的，所述半导体功率器件主体前端设置有接线柱，且接线柱外部固定有接线口，所述接线口前端设置有引电柱，且引电柱外部固定有绝缘片，所述半导体功率器件主体一侧设置有外接口，且外接口外部设置有外壳。
[0010]优选的，所述引电柱贯穿于外壳外表面，且引电柱通过绝缘片与外壳之间构成密封结构。
[0011]优选的，所述接线柱与接线口之间为固定连接，且外壳与钨铜固定板之间为焊接连接。
[0012]与现有技术相比，本技术的有益效果是：
[0013]本技术通过设置引电芯的方式，首先在半导体功率器件主体留有散热槽，起到第一步散热，在引电芯外部设置有陶瓷保护罩，陶瓷有着很好的绝缘和导热的效果，有着陶瓷的保护和导热，引电芯在电流通过的时候不会让电流发生分向或者集中的现象，从而过热产生短路现象，起到第二步散热，在陶瓷保护罩和引电芯之间填充有松香助焊剂，这种松香助焊剂可以避免引电芯经过电流后会产生氧化现象，没有氧化现象的产生从而就能减少热量释放，而且松香助焊剂本身也具有辅助导热的现象，对热量也起到了传递分散的效果，起到第三步散热，三个措施加在一起构成了散热的处理。
[0014]本技术设置氧化铍层的方式，一共设置了三层不同材料的隔热层，在传统的氧化铍层中，氧化铍层是比较敏感的材质很容易会开裂、脱落，这样对于散热、导热起不到很大的效果，所以在氧化铍层外部镀上一层钼片，钼片是一种高强度、抗高温和组织均匀的材料，这样的话可以加长其使用寿命，而且除了氧化铍层外还加上一层散热薄膜，散热薄膜紧紧和电路板底部贴合，加大散热效果，三者的结合能够达到1+1+1>3的效果，在最下面还会有这钨铜固定板用老固定这些材料，并且钨铜本身也具有一定的导热效果。
[0015]本技术设置钨铜固定板的方式，钨铜固定板是U形结构，可以直接把钼片、氧化铍层，散热薄膜和电路板底部贴合镶嵌进去，能够卡柱半导体功率器件主体和下面焊接的钼片防止来回移动，起到了一定程度上的固定，而且接线柱对着半导体功率器件主体也起到一定的限位，等外接设备通过外接口进入外壳后，就会对半导体功率器件主体本身起到了固定作用。
附图说明
[0016]图1为本技术结构示意图；
[0017]图2为本技术半导体功率器件主体结构示意图；
[0018]图3为本技术半导体功率器件主体剖面示意图；
[0019]图4为本技术侧面结构示意图；
[0020]图中：1、半导体功率器件主体；2、散热槽；3、引电芯；4、陶瓷保护罩；5、隔热垫；6、焊接层；7、松香助焊剂；8、焊接口；9、电路板；10、散热薄膜；11、氧化铍层；12、钼片；13、钨铜固定板；14、接线柱；15、绝缘片；16、引电柱；17、外壳；18、外接口；19、接线口。
具体实施方式
[0021]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0022]请参阅图1
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图3，一种半导体功率器件，包括：半导体功率器件主体1，半导体功率器件主体1外壁设置有散热槽2，半导体功率器件主体1一侧固定有引电芯3，引电芯3外部安置有陶瓷保护罩4，引电芯3另一侧固定有隔热垫5，陶瓷保护罩4一侧设置有焊接层6，焊接层6内部安置有松香助焊剂7，焊接层6底端设置有焊接口8，焊接口8下方安置有电路板9，引电芯3关于半导体功率器件主体1水平中心线位置对称，设置有两组，半导体功率器件主体1与引电芯3之间为焊接连接，引电芯3与陶瓷保护罩4之间为焊接连接,电路板9与散热薄膜
10紧密贴合，散热薄膜10与氧化铍层11之间为焊接连接，在半导体功率器件主体1留有散热槽2，起到第一步散热，在引电芯3外部设置有陶瓷保护罩4，陶瓷有着很好的绝缘和导热的效果，有着陶瓷的保护和导热，引电芯3在电流通过的时候不会让电流发生分向或者集中的现象，从而过热产生短路现象，起到第二步散热，在陶瓷保护罩4和引电芯3之间填充有松香助焊剂7，这种松香助焊剂7可以避免引电芯3经过电流后会产生氧化现象，没有氧化现象的产生从而就能减少热量释放，而且松香助焊剂7本身也具有辅助导热的现象，对热量也起到了传递分散的效果，起到第三步散热，三个措施加在一起构成了散热的处理，电路板9底端固定有散热薄膜10，散热薄膜10下方连接有氧化铍层11，氧化铍层11外部固定有钼片12，钼片12底部固定有钨铜固定板13，氧化铍层11与钼片12之间为焊接连接，钼片12与钨铜固定板13之间为固定连接，一共设置了三层不同材料的隔热层，在传统的氧化铍层11中，氧化铍层11是比较敏感的材质很容易会开裂、脱落，这样对于散热、导热起不到很大的效果，所以在氧化铍层11外部镀上一层钼片12，钼片12是一种高本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体功率器件，其特征在于，包括：半导体功率器件主体(1)，所述半导体功率器件主体(1)顶端设置有散热槽(2)，且半导体功率器件主体(1)一侧固定有引电芯(3)，所述引电芯(3)外部安置有陶瓷保护罩(4)，且引电芯(3)另一侧固定有隔热垫(5)，所述陶瓷保护罩(4)一侧设置有焊接层(6)，且焊接层(6)内部安置有松香助焊剂(7)，所述焊接层(6)底端设置有焊接口(8)，且焊接口(8)下方安置有电路板(9)，所述电路板(9)底端固定有散热薄膜(10)，且散热薄膜(10)下方连接有氧化铍层(11)，所述氧化铍层(11)外部固定有钼片(12)，且钼片(12)底部固定有钨铜固定板(13)。2.根据权利要求1所述的一种半导体功率器件，其特征在于，所述引电芯(3)关于半导体功率器件主体(1)水平中心线位置对称，且设置有两组，所述半导体功率器件主体(1)与引电芯(3)之间为焊接连接，且引电芯(3)与陶瓷保护罩(4)之间为焊接连接。3.根据权利要求1所述的一种半导体功率器件，其特征在于，所述电路板(9...

【专利技术属性】
技术研发人员：王正庭，
申请(专利权)人：苏州茂昌电子有限公司，
类型：新型
国别省市：