双面冷却功率封装结构制造技术

本发明专利技术提供一种双面冷却功率封装结构包括第一冷却基板、第二冷却基板、至少一半导体晶片以及多个第一导电带。第二冷却基板与第一冷却基板相对设置。所述半导体晶片接合在第一冷却基板和第二冷却基板其中一个上。所述第一导电带设置在第一冷却基板与第二冷却基板之间，其中每个第一导电带包括第一部分、第二部分以及连接第一部分和第二部分的可弯曲部分。所述可弯曲部分在所述第一部分的边缘形成闭环。第一部分和第二部分中的一个与所述半导体晶片直接接触，而第一部分和第二部分中的另一个远离所述半导体晶片延伸。个远离所述半导体晶片延伸。个远离所述半导体晶片延伸。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】双面冷却功率封装结构


[0001]本专利技术涉及一种功率封装结构，且特别是涉及一种双面冷却功率封装结构。

技术介绍

[0002]功率器件一般在操作期间会产生大量的热，因此散热问题是待改善的主要议题之一。
[0003]近来，一种双面冷却功率封装结构已被广泛应用为有效的散热器(heat sink)。例如，在功率器件的两面上设置两个散热器，因此能提高散热效率。
[0004]然而，如果双面冷却功率封装结构因为热膨胀系数的差异而遭遇压应力以及/或是热应力，则其可能会被破裂或损坏

技术实现思路

[0005]本专利技术是针对一种双面冷却功率封装结构，能解决压应力以及/或是热应力所导致的问题。
[0006]本专利技术的双面冷却功率封装结构包括第一冷却基板、第二冷却基板、至少一半导体晶片以及多个第一导电带(conduction ribbons)。所述第二冷却基板与所述第一冷却基板相对设置。所述半导体晶片接合在第一冷却基板和第二冷却基板其中一个上。所述第一导电带设置在第一冷却基板与第二冷却基板之间，其中每个第一导电带包括第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种双面冷却功率封装结构，包括：第一冷却基板；第二冷却基板，与所述第一冷却基板相对设置；至少一半导体晶片，接合在所述第一冷却基板和所述第二冷却基板其中一个上；以及多个第一导电带，设置在所述第一冷却基板与所述第二冷却基板之间，其中每个所述第一导电带包括第一部分、第二部分以及连接所述第一部分和所述第二部分的可弯曲部分，所述可弯曲部分在所述第一部分的边缘形成闭环，所述第一部分和所述第二部分中的一个与所述半导体晶片直接接触，而所述第一部分和所述第二部分中的另一个远离所述半导体晶片延伸。2.根据权利要求1所述的双面冷却功率封装结构，其中所述第一导电带是不连续结构。3.根据权利要求1所述的双面冷却功率封装结构，其中所述第一导电带是连续结构。4.根据权利要求1所述的双面冷却功率封装结构，其中所述第一部分与所述半导体晶片直接接触。5.根据权利要求1所述的双面冷却功率封装结构，其中所述第一部分经由第一焊料连结至所述半导体晶片。6.根据权利要求1所述的双面冷却功率封装结构，其中所述半导体晶片接合在所述第一冷却基板上，且每个所述第一导电带的所述第二部分与所述第二冷却基板直接接触。7.根据权利要求1所述的双面冷却功率封装结构，其中所述半导体晶片接合在所述第一冷却基板上，且每个所述第一导电带的所述第二部分经由第二焊料连结至所述第二冷却基板。8.根据权利要求1所述的双面冷却功率封装结构，其中所述第二部分与所述半导体晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：资重兴，
申请(专利权)人：敦南科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：