【技术实现步骤摘要】
加料组件及具有其的单晶生长装置、加料方法
[0001]本专利技术涉及晶体生长
，尤其是涉及一种加料组件及具有其的单晶生长装置、加料方法。
技术介绍
[0002]在直拉单晶制造法中，在维持成减压下的惰性气体环境的腔室内，将晶种浸渍于坩埚内所积存的硅的原料熔汤中，并将所浸渍的晶种缓慢提拉，通过这种方式于晶种的下方生长出单晶硅。其中，在单晶生长的过程中，由于生产预定尺寸的晶棒所需的多晶原料无法精准预估，同时为防止原料浪费，因此需要向坩埚内补充多晶原料。但在相关技术的加料过程中，容易造成熔汤液面产生较大波动，进而影响单晶生长质量，且会产生熔汤飞溅，造成原料的浪费及影响单晶炉的稳定性。
技术实现思路
[0003]本专利技术提出了一种加料组件，可以较好地控制单次投放至坩埚内的原料量，具有减小加料过程中造成的熔汤飞溅以及液面波动的优点。
[0004]本专利技术还提出了一种具有上述加料组件的单晶生长装置。
[0005]本专利技术还提出了一种用于上述单晶生长装置的加料方法。
[0006]根据本专利...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于单晶生长装置的加料组件，其特征在于，所述加料组件适于向所述单晶生长装置的坩埚内补充原料，所述加料组件包括：内筒，所述内筒内形成第一通道，所述内筒朝向所述坩埚的一端形成与所述第一通道连通的第一开口，所述第一通道内的所述原料适于通过所述第一开口落入所述坩埚；外筒，所述外筒套设在所述内筒的外周侧，所述内筒与所述外筒之间限定出第二通道以及朝向所述坩埚且与所述第二通道连通的第二开口，所述第二通道内的原料适于通过所述第二开口落入所述坩埚；第一开关机构，所述第一开关机构适于打开或关闭所述第一开口；第二开关机构，所述第二开关机构适于打开或关闭所述第二开口。2.根据权利要求1所述的用于单晶生长装置的加料组件，其特征在于，所述第一开关机构包括：第一盖体，所述第一盖体可活动地设于所述内筒临近所述第一开口的一侧；第一驱动件，所述第一驱动件适于驱动所述第一盖体远离或靠近所述内筒以打开或关闭所述第一开口。3.根据权利要求2所述的用于单晶生长装置的加料组件，其特征在于，所述第一盖体包括：主体部，所述主体部上形成沿周向间隔排布的多个嵌入凹槽；嵌入部，所述嵌入部与所述嵌入凹槽的数量相同且一一对应，所述嵌入部在伸出位置和缩回位置之间可活动地设于所述嵌入凹槽内，在所述伸出位置，在所述内筒的周向方向上，相邻的两个所述嵌入部的部分重叠。4.根据权利要求3所述的用于单晶生长装置的加料组件，其特征在于，所述嵌入凹槽包括：第一嵌入凹槽和第二嵌入凹槽，所述第一嵌入凹槽和所述第二嵌入凹槽在所述主体部的轴向方向上分层设置，所述嵌入部包括：第一嵌入部和第二嵌入部，所述第一嵌入部在伸出位置和缩回位置之间可活动地设于所述第一嵌入凹槽内，所述第二嵌入部在伸出位置和缩回位置之间可活动地设于所述第二嵌入凹槽内，其中，所述第一嵌入凹槽沿所述主体部的周向方向布置有多个，所述第二嵌入凹槽沿所述主体部的周向方向布置有多个，且在所述主体部的周向方向上，多个所述第二嵌入凹槽与多个所述第一嵌入凹槽交错排布，所述第一嵌入部设有多个，多个所述第一嵌入部与多个所述第一嵌入凹槽一一对应设置，所述第二嵌入部设有多个，多个所述第二嵌入部与多个所述第二嵌入凹槽一一对应设置，且在所述第一嵌入部和所述第二嵌入部均处于所述伸出位置时，在所述内筒的周向方向上，相邻的所述第一嵌入部和所述第二嵌入部部分重叠。5.根据权利要求2所述的用于单晶生长装置的加料组件，其特征在于，所述第二开关机构包括：第二盖体，所述第二盖体设于所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈俊宏，
申请(专利权)人：徐州鑫晶半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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