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本发明公开了一种加料组件及具有其的单晶生长装置、加料方法,加料组件适于向单晶生长装置的坩埚内补充原料,加料组件包括:内筒、外筒、第一开关机构和第二开关机构,内筒内形成第一通道,内筒朝向坩埚的一端形成与第一通道连通的第一开口,第一通道内的原料...该专利属于徐州鑫晶半导体科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过徐州鑫晶半导体科技有限公司授权不得商用。
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