一种含有稠并吲哚和喹啉结构的铱配合物及电致发光器件制造技术

本发明专利技术提供了一种含有稠并吲哚和喹啉结构的铱配合物，具有式I

【技术实现步骤摘要】
一种含有稠并吲哚和喹啉结构的铱配合物及电致发光器件


[0001]本专利技术涉及有机发光材料
，尤其涉及一种含有稠并吲哚和喹啉结构的铱配合物及电致发光器件。

技术介绍

[0002]有机发光器件(OLEDs)具有色彩丰富、厚度薄、可视角度广、快速响应以及可制备柔性器件等特点，被认为是最具有发展前景的下一代平板显示和固体照明技术。
[0003]OLEDs通常是由ITO阳极、空穴注入层(TIL)、空穴传输层(HTL)、发光层(EL)、空穴阻挡层(HBL)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)和阴极组成，按需要可省略1～2有机层，通过在有机物薄膜上由正极和负极注入的空穴(Hole)与电子(Electron)相结合形成激子(Exciton)，当激子从激发态回到稳定的基态稳时以发光的形式释放能量从而发光。
[0004]由于受到自旋量子统计规律的限制，传统的荧光材料在电致发光过程中仅能利用占全部激子数目25％的单线态激子，其余75％的三线态激子通过非辐射跃迁的方式失活，因此其器件内量子效率(IQE)的最大值为25％。而磷光金属配合物本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种含有稠并吲哚和喹啉结构的铱配合物，具有式I
‑
1或式I
‑
2所示结构：其中，Z1为C且Z2为N，或者Z1为N且Z2为C；具有式II
‑
1～式II
‑
7中的任意一种所示的结构：其中，X选自单键、
‑
C(R
11
R
12
)
‑
、
‑
C＝O
‑
、
‑
Si(R
11
R
12
)
‑
、
‑
N(R
11
)
‑
、
‑
PO(R
11
)
‑
、
‑
P(R
11
)＝O
‑
、
‑
B(R
11
)
‑
、
‑
O
‑
、
‑
S
‑
、
‑
Se
‑
、
‑
S＝O
‑
、
‑
SO2‑
中的任意一种；所述R
11
和R
12
各自独立地选自H、D、C1～C30的直链烃基、C1～C30的支链烃基、C3～C30的环烷基、C6～C60的芳基或C5～C60的杂芳基，所述杂芳基的杂原子独立地选自Si、Ge、N、P、O、S和Se中的一种或多种；选自碳碳单键、取代或未取代的C1～C30的直链烃基、取代或未取代的C1～C30的支链烃基、取代或未取代的硅烷基、取代或未取代的C3～C30的环烷基、取代或未取代的C1～C30的烷氧基、取代或未取代的C1～C30的烷硫基、取代或未取代的C6～C60的芳基、取代或未取代的C6～C60的芳醚基、取代或未取代的C4～C60的杂芳基或取代或未取代的C4～C60的杂芳醚基，所述杂芳基或杂芳醚基的杂原子独立地选自Si、Ge、N、P、O、S和Se中的一种或多种；R1～R
10
独立地选自H、D、F、Cl、Br、I、
‑
CN、
‑
NO2、
‑
CF3、
‑
OH、
‑
SH、
‑
NH2、C1～C30的直链烃基或氘代直链烃基、C1～C30的支链烃基氘代支链烃基、C3～C30的环烷基、C1～C30的烷氧基、C1～C30的烷硫基、C6～C60的芳基、C6～C60的芳醚基、C5～C60的杂芳基或C5～C60的杂芳醚基,所述杂芳基或杂芳醚基的杂原子独立地选自Si、Ge、N、P、O、S和Se中的一种或多种；m1～m
10
独立地选自0～4的整数；*表示连接位置。
2.根据权利要求1所述的含有稠并吲哚和喹啉结构的铱配合物，其特征在于，所述R
11
和R
12
各自独立地选自H、D、C1～C10的直链烃基、C1～C10的支链烃基、C3～C12的环烷基、C6～C12的芳基或C5～C12的杂芳基，所述杂芳基的杂原子独立地选自Si、Ge、N、P、O、S和Se中的一种或多种；R1～R
10
独立地选自H、D、F、Cl、Br、I、
‑
CN、
‑
NO2、
‑
CF3、
‑
OH、
‑
SH、
‑
NH2、C1～C10的直链烃基或氘代直链烃基、C1～C10的支链烃基或氘代支链烃基、取代或未取代...

【专利技术属性】
技术研发人员：王利祥，赵磊，吕剑虹，王兴东，李伟利，邵世洋，王淑萌，
申请(专利权)人：中国科学院长春应用化学研究所，
类型：发明
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