一种离子刻蚀微调机用挡板装置制造方法及图纸

技术编号:33648842 阅读:14 留言:0更新日期:2022-06-02 20:26
本发明专利技术公开了一种离子刻蚀微调机用挡板装置,涉及离子刻蚀微调机领域,该离子刻蚀微调机用挡板装置包括:挡板控制电源,用于控制高频电压输出;挡板控制数据线,用于将挡板控制电源输出电压输出给挡板安装控制电路板;挡板安装控制电路板,用于得电工作时对每路挡板产生电场,将23Ar离子流停流在挡板处,并随着真空抽走排出真空室;多路挡板机构,用于隔开挡板与外界;挡板,用于停放23Ar离子;挡板控制电源连接挡板控制数据线,与现有技术相比,本发明专利技术的有益效果是:本发明专利技术与原有挡板机构相比,由开关速度从原来的10ms~30ms提高到1ms以内,原有挡板为机械结构,会产生一定的机械磨损,故障率比较高;现有电子挡板不会在产生机械磨损。械磨损。械磨损。

【技术实现步骤摘要】
一种离子刻蚀微调机用挡板装置


[0001]本专利技术涉及离子刻蚀微调机领域,具体是一种离子刻蚀微调机用挡板装置。

技术介绍

[0002]请参阅图1,原有机构原理为通过挡板控制电磁铁(材质通常为石墨或金属)关闭全部多路挡板机构上的挡板,通过离子枪和刻蚀电源产生高速的3Ar离子流,同时网络分析仪通过Π回路对石英晶振进测试,如果测试频率低于要求频率,通过挡板控制电磁铁打开相应电磁铁,待网络分析仪通过Π回路对石英晶振进测试频率值等于或大于要求值时通过挡板控制电磁铁关闭相应电磁铁。
[0003]现有挡板机构是通过电磁铁带动石挡板,将高速的离子流挡住,阻断离子流对电极刻蚀。此机构缺点是通过电磁铁摆动带动挡板打开关闭控制离子流对晶体的刻蚀。当挡板关闭时挡板阻断了离子流对晶体的刻蚀,但离子流会对挡板进行刻蚀,这样挡板是一个消耗品,寿命大概在一周。电磁铁和石墨挡板不停的摆动过程中也会出现一些粉尘这样很容易对产品造成污染并且对挡板运行机构阻塞,造成不良品。需要改进。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种离子刻蚀微调机用挡板装置,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的,本专利技术提供如下技术方案:一种离子刻蚀微调机用挡板装置,包括:挡板控制电源,用于控制高频电压输出;挡板控制数据线,用于将挡板控制电源输出电压输出给挡板安装控制电路板;挡板安装控制电路板,用于得电工作时对每路挡板产生电场,将23Ar离子流停流在挡板处,并随着真空抽走排出真空室;多路挡板机构,用于隔开挡板与外界;挡板,用于停放23Ar离子;挡板控制电源连接挡板控制数据线,挡板控制数据线连接挡板安装控制电路板,挡板设于多路挡板机构内腔;挡板控制电源包括:供电模块,用于供给220V交流电;第一变压整流模块,用于将220V交流电转化为直流电为第二集成控制模块供电;第二变压整流模块,用于将220V交流电转化为直流电为信号输出模块供电;第一集成控制模块,用于获得中央控制信号后输出一个PWM信号给第二集成控制模块;第二集成控制模块,用于接收到PWM信号后,输出稳定的正弦波,通过整流后得到稳定的控制电压;控制刻蚀通道通断,通道受此电场作用阻断离子通过,刻蚀停止;
信号输出模块,用于接收到微电脑控制,来选择性输出电压信号给挡板控制数据线;供电模块连接第一变压整流模块、第二变压整流模块、第一集成电控制模块,第一变压整流模块连接第二集成控制模块,第一集成控制模块连接第二集成控制模块,第二集成电路控制模块连接微电脑,第二变压整流模块连接信号输出模块,微电脑连接信号输出模块。
[0006]作为本专利技术再进一步的方案:供电模块包括接口CN1、熔断器F1、电感L1、电容C1、电容C4、电容C22、电容C23,接口CN1输入端连接220V交流电,接口CN1的第三端连接熔断器F1,接口CN1的第一端连接电容C1、电容C4、电容C23,熔断器F1的另一端连接电感L1,电感L1的另一端连接电容C1的另一端、电容C4的另一端、电容C22、第一集成控制模块,电容C22的另一端连接电容C23的另一端、第一变压整流模块、第二变压整流模块。
[0007]作为本专利技术再进一步的方案:第一变压整流模块包括变压器T1、二极管D8、二极管D9、二极管D10、二极管D11、电阻R4,变压器T1的输入端连接供电模块,变压器T1的输出端一端连接二极管D8的正极、二极管D10的负极,变压器T1的输出端另一端连接二极管D9的正极、二极管D11的负极,二极管D10的正极接地,二极管D11的正极接地,二极管D8的负极连接二极管D9的负极、电阻R4,电阻R4的另一端连接第二集成控制模块。
[0008]作为本专利技术再进一步的方案:第二变压整流模块包括变压器T2、二极管D12、二极管D13、二极管D14、二极管D15、电容C25、电容C26,变压器T2的输入端连接供电模块,变压器T2的输出端一端连接二极管D12的负极、二极管D13的正极,变压器T2水位输出端另一端连接二极管D15的正极、二极管D14的负极,二极管D12的正极连接二极管D14的正极、电容C25、电容C26,二极管D15的负极连接二极管D13的负极、电容C25的另一端、电容C26的另一端、电阻R24。
[0009]作为本专利技术再进一步的方案:第一集成控制模块包括集成电路U1,集成电路U1的1号引脚通过电阻R1O连接MOS管Q2的G极,MOS管Q2的D极连接供电模块、电阻R14,电阻R14的另一端连接电容C21、电容C21的另一端连接MOS管Q2的S极,集成电路U1的7号引脚通过电阻R9连接MOS管Q1的G极,MOS管Q1的D极连接供电模块,MOS管Q1的S极连接MOS管Q2的D极,集成电路U1的2号引脚连接MOS管Q2的S极,集成电路U1的3号引脚通过电容C19连接MOS管Q2的S极。
[0010]作为本专利技术再进一步的方案:第二集成控制模块包括集成电路U2,集成电路U2的17号引脚连接集成电路U1的12号引脚,集成电路U2的13号引脚连接集成电路U1的10号引脚,集成电路U2的6号引脚连接电阻R2、光耦PC1的第二端,电阻R2的另一端连接15V电压,光耦PC1的第一端接地,光耦PC1的第三端连接15V电压,光耦PC1的第四端连接微电脑的第一端。
[0011]作为本专利技术再进一步的方案:信号输出模块包括MOS管Q3、光耦PC2,光耦PC2的第一端通过电阻R20连接微电脑的第四端,光耦PC2的第二端接地,光耦PC2的第三端连接电阻R57、MOS管Q3的G极,电阻R57的另一端连接15V电压,光耦PC2的第四端连接MOS管Q3的S极,电阻R29,电阻R29的另一端连接电感L2,电感L2的另一端连接挡板控制数据线,微电脑的第二端通过电阻R56连接二极管D15的负极,微电脑的第三端依次通过电阻R60、电阻R59连接MOS管Q3的D极、二极管D12的正极。
[0012]与现有技术相比,本专利技术的有益效果是:本专利技术与原有挡板机构相比,由开关速度从原来的10ms~30ms提高到1ms以内,原有挡板为机械结构,会产生一定的机械磨损,故障率比较高;电子挡板不会产生机械磨损;第一集成模块产生的0

500V电压通过TP1接在多路挡板机构上,作为挡板控制电源,当网络分析仪检测到石英晶振和Π回路产生的适合信号后反馈,通过挡板控制数据线控制挡板控制电源在刻蚀通道上的电压通断,通道受此电场作用阻断或开启Ar离子通过,实现刻蚀电子挡板功能。
[0013]附图说明
[0014]图1为原有挡板机构的原理图。
[0015]图2为一种离子刻蚀微调机用挡板装置的原理图。
[0016]图3为挡板控制电源的电路图。
具体实施方式
[0017]下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例,基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种离子刻蚀微调机用挡板装置,其特征在于:该离子刻蚀微调机用挡板装置包括:挡板控制电源,用于控制高频电压输出;挡板控制数据线,用于将挡板控制电源输出电压输出给挡板安装控制电路板;挡板安装控制电路板,用于得电工作时对每路挡板产生电场,将23Ar离子流停流在挡板处,并随着真空抽走排出真空室;多路挡板机构,用于隔开挡板与外界;挡板,用于停放23Ar离子;挡板控制电源连接挡板控制数据线,挡板控制数据线连接挡板安装控制电路板,挡板设于多路挡板机构内腔;挡板控制电源包括:供电模块,用于供给220V交流电;第一变压整流模块,用于将220V交流电转化为直流电为第二集成控制模块供电;第二变压整流模块,用于将220V交流电转化为直流电为信号输出模块供电;第一集成控制模块,用于获得中央控制信号后输出一个PWM信号给第二集成控制模块;第二集成控制模块,用于接收到PWM信号后,输出稳定的正弦波,通过整流后得到稳定的控制电压;控制刻蚀通道通断,通道受此电场作用阻断离子通过,刻蚀停止;信号输出模块,用于接收到微电脑控制,来选择性输出电压信号给挡板控制数据线;供电模块连接第一变压整流模块、第二变压整流模块、第一集成电控制模块,第一变压整流模块连接第二集成控制模块,第一集成控制模块连接第二集成控制模块,第二集成电路控制模块连接微电脑,第二变压整流模块连接信号输出模块,微电脑连接信号输出模块。2.根据权利要求1所述的离子刻蚀微调机用挡板装置,其特征在于,供电模块包括接口CN1、熔断器F1、电感L1、电容C1、电容C4、电容C22、电容C23,接口CN1输入端连接220V交流电,接口CN1的第三端连接熔断器F1,接口CN1的第一端连接电容C1、电容C4、电容C23,熔断器F1的另一端连接电感L1,电感L1的另一端连接电容C1的另一端、电容C4的另一端、电容C22、第一集成控制模块,电容C22的另一端连接电容C23的另一端、第一变压整流模块、第二变压整流模块。3.根据权利要求1所述的离子刻蚀微调机用挡板装置,其特征在于,第一变压整流模块包括变压器T1、二极管D8、二极管D9、二极管D10、二极管D11、电阻R4,变压器T1的输入端连接供电模块,变压器T1的输出端一端连接二极管D8的正极、二极管D10的负极,变压器T1的输出端另一端连接二极管D9的正极、二极管D11的负极,二极管D10的正极接地,二极管D11的正极接地,二极管D8的负...

【专利技术属性】
技术研发人员:廖占武
申请(专利权)人:北京精恒工控科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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