一种等离子体刻蚀装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种等离子体刻蚀加工设备，特别是一种等离子体刻蚀装置，包括相对设置的第一电极和第二电极，第一电极和第二电极之间具有用于放置待加工件的加工区域，还包括驱动装置，第一电极上靠近第二电极的一侧设置有呈阵列布置的尖端，尖端的尖部指向第二电极，驱动装置能够驱动第一电极回转。本申请的一种等离子体刻蚀装置，第一电极成为一种表面带有尖端阵列的电极，使得本申请的等离子体刻蚀装置在刻蚀时不需要对电源电压有太高的要求，或者再同等电源电压的条件下极大的提升了改性粒子的能量密度。使用驱动装置能够驱动第一电极回转，进而带动待加工件可以在一定速度范围内旋转，其配合尖端以实现对待加工件较为均匀的刻蚀效果。蚀效果。

【技术实现步骤摘要】
一种等离子体刻蚀装置


[0001]本专利技术涉及一种等离子体刻蚀加工设备，特别是一种等离子体刻蚀装置。

技术介绍

[0002]等离子体是物质的第四态，具备独特的理化性质，可以很好的服务于制造业。低温等离子体可作用于大多数无机非金属材料的表面，实现化学刻蚀和表面改性，且不会造成基体的损伤，可作为非接触加工手段用于半导体材料的刻蚀加工或者表面改性后的辅助加工。常规的等离子体刻蚀技术主要在光刻领域用于芯片加工，全部采用真空低气压的等离子体发生装置，比如反应离子刻蚀(RIE)，感应耦合等离子体(ICP)等，真空和低压环境使等离子体易于激发，但由于设备昂贵，环境条件苛刻反而限制等离子体刻蚀技术在其它领域的应用。因此，开发大气压低温等离子体发生装置，拓展等离子体刻蚀和表面改性技术在更多领域的应用是十分必要的。
[0003]低温大气压等离子体发生装置，多采用介质阻挡放电(DBD)，以射流形式输出，可作为能量束对材料进行刻蚀加工和表面改性，但由于射流尺寸的局限，射流内部活性物质和温度的非均匀分布，导致刻蚀加工或者表面改性只能在工件表面以扫描的形式进行，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子体刻蚀装置，包括相对设置的第一电极(12)和第二电极(7)，第一电极(12)和第二电极(7)之间具有用于放置待加工件的加工区域(21)，其特征在于，还包括驱动装置(17)，所述第一电极(12)上靠近所述第二电极(7)的一侧设置有呈阵列布置的尖端(13)，所述尖端(13)的尖部(22)指向所述第二电极(7)，所述驱动装置(17)能够驱动所述第一电极(12)回转。2.根据权利要求1所述的一种等离子体刻蚀装置，其特征在于，还包括底座(1)，所述第一电极(12)水平设置，所述第二电极(7)位于所述第一电极(12)的上方，所述第一电极(12)上设置有第一电极轴(11)，所述第一电极轴(11)贯穿所述底座(1)，所述驱动装置(17)通过与所述第一电极轴(11)驱动连接来带动所述第一电极(12)绕所述第一电极轴(11)回转。3.根据权利要求2所述的一种等离子体刻蚀装置，其特征在于，所述第一电极轴(11)外侧套设有导电滑环(10)，所述底座(1)套设连接于所述电滑环(10)外侧。4.根据权利要求2所述的一种等离子体刻蚀装置，其特征在于，所述底座(1)下方设置有升降平台，所述驱动装置(17)设置于所述升降平台上，所述第一电极轴(11)能够沿其轴向相对于所述底座(1)运动，还包括限位装置(19)，所述限位装置(19)用于将所述升降平台与所述底座(1)相对固定。5.根据权利要求4所述的一种等离子体刻蚀装置，其特征在于，所述升降平台包括沿竖向相互滑动配合的支撑架(15)和支撑板(16)，所述支撑架(15)和支撑板(16)均设置于所述底座(1)下方，所述支撑架(15)与所述底座(1)相连接，所述驱动装置(17)设置于所述支撑板(16)上，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：张鹏，张佳诚，凌新，余德平，
申请(专利权)人：四川大学，
类型：发明
国别省市：