一类1,3-氮杂硅烷化合物的合成方法及其应用技术

本发明专利技术公开一类1,3

【技术实现步骤摘要】
一类1,3
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氮杂硅烷化合物的合成方法及其应用


[0001]本专利技术涉及一类1,3
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氮杂硅烷化合物的合成方法及其应用，属于硅氮化合物化学合成


技术介绍

[0002]1,3
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氮杂硅烷化合物是一类简单、高效的构建硅氮杂环的合成子。2000年，Voronkov课题组报道了含有烯基或烯丙基硅的1,3
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氮杂硅烷化合物在Hg（OAc）2催化下通过分子内氮原子亲核进攻硅基β位不饱和碳原子发生环化反应生成硅代吡咯烷（图1）；2014年，Maddauno课题组报道了邻位连接有1,3
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氮杂硅烷的溴苯通过锂溴交换生成的超价硅环经sila
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Matteson重排生成两种形式的苯并硅氮六元杂环（图2）；2018年，Hartwig课题组报道了含有脂肪胺基的1,3
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氮杂硅烷在过渡金属铱的催化下选择性对胺基β位C（sp3）
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H键的硅烷化反应（图3）；2021年，Song课题组报道了碱性条件下1,3
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一类1,3
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氮杂硅烷化合物的合成方法，其特征在于，包括如下步骤：A. 将如式（Ⅰ）所示化合物与如式（Ⅱ）所示的化合物和/或如式（Ⅲ）所示化合物依次进行亲核取代反应，即得如式（Ⅳ）所示化合物；B．在碱性条件下，将所得的如式（Ⅳ）所示化合物与如式（
Ⅴ
）所示化合物进行亲核取代反应；然后脱Boc保护基，得到如式（
Ⅵ
）所示化合物，即1,3
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氮杂硅烷化合物；涉及的反应式如下：其中，R1为甲基或氯基，R2为甲基或氯基，R3为烷基、烯基、炔基或芳基，R4为苄基或芳基，R5为烷基、烯基、炔基或芳基，R6为磺酰基、酰基、烷基或芳基。2.根据权利要求1所述的一类1,3
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氮杂硅烷化合物的合成方法，其特征在于，所述1,3
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氮杂硅烷化合物包括并不限于：氮杂硅烷化合物包括并不限于：氮杂硅烷化合物包括并不限于：氮杂硅烷化合物包括并不限于：氮杂硅烷化合物包括并不限于：氮杂硅烷化合物包括并不限于：。3.根据权利要求1所述的一类1,3
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氮杂硅烷化合物的合成方法，其特征在于，在步骤A中，亲核取代反应时，反应溶剂为四氢呋喃，反应温度为0℃～室温；式（Ⅱ）所示化合物和式（Ⅲ）所示化合物的加入速度均为10 mL/h。4.根据权利要求3所述的一类1,3
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氮杂硅烷化合物的合成方法，其特征在于，在步骤A中，式（Ⅰ）所示化合物、式（Ⅱ）所示化合物和式（Ⅲ）所示化合物三者物质的量配比为1.0 : 1.0～2.2:1.0～1.2，式（Ⅱ）所示化合物和式（Ⅲ）所示化合物于反应溶剂中的浓度均为0.3～0.5mol/L。5.根据权利要求1所述的一类1,3
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氮杂硅烷化合物的合成方法，其特征在于，其特征在于，在步骤B的亲核取代反应中，碱为碳酸钾、碳酸钠、氢氧化钾、氢氧化钠、碳酸铯及氢化钠中的一种或任意两种以上的组合，反应溶剂为N,N
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二甲...

【专利技术属性】
技术研发人员：‑，
申请(专利权)人：四川大学，
类型：发明
国别省市：