本申请实施方式提供了一种半导体结构的缺陷检测方法、装置、检测设备及存储介质。部分实施例中，半导体结构的缺陷检测方法包括：识别半导体结构的待测图像中的沟道孔的边界轮廓的凸点；确定凸出程度最大的凸点与其对应的参考点之间的偏移距离；以及根据所确定出的偏移距离确定沟道孔的缺陷程度。本申请实施方式提供的半导体结构的缺陷检测方法、装置、检测设备及存储介质可检测半导体结构的沟道孔的缺陷。缺陷。缺陷。
【技术实现步骤摘要】
半导体结构的缺陷检测方法、装置、检测设备及存储介质
[0001]本申请的实施方式涉及半导体
，更具体地，涉及一种半导体结构的缺陷检测方法、装置、检测设备及存储介质。
技术介绍
[0002]在目前三维存储器中，通常采用垂直堆叠多层数据存储单元的方式，实现堆叠式的三维存储器结构。为了得到上述堆叠式的三维存储器结构，需要在硅衬底上形成堆叠结构，并对堆叠结构刻蚀形成沟道孔，进一步沉积并刻蚀以形成覆盖沟道孔内壁的沟道结构，然后填充半导体层，形成位于沟道孔中的沟道结构。
[0003]随着堆叠层数增加，刻蚀形成的沟道孔可能存在刻蚀缺陷，导致沟道孔存在尖角，影响沟道结构的性能。然而，针对上述刻蚀缺陷，目前尚无相关的检测方法，严重地影响了最终制备得到的存储器结构的性能。
技术实现思路
[0004]第一方面，本申请的实施方式提供了一种半导体结构的缺陷检测方法，包括：识别半导体结构的待测图像中的沟道孔的边界轮廓的凸点；确定凸出程度最大的凸点与其对应的参考点之间的偏移距离；以及根据所确定出的偏移距离确定沟道孔的缺陷程度。
[0005]在本申请的一些示意性实施方式中，确定凸出程度最大的凸点与其对应的参考点之间的偏移距离包括：从识别出的凸点中确定出凸出程度最大的凸点；以及确定凸出程度最大的凸点与其对应的参考点之间的偏移距离。
[0006]在本申请的一些示意性实施方式中，从识别出的凸点中确定出凸出程度最大的凸点包括：识别沟道孔的边界轮廓的凹点；确定各个凹点至与凹点相邻的两个凸点之间的连线的垂直距离，并从凹点中确定出与相邻两个凸点之间的垂直距离最大的第一凹点；以及，从与第一凹点相邻的两个凸点中确定出凸出程度最大的凸点。
[0007]在本申请的一些示意性实施方式中，从与第一凹点相邻的两个凸点中确定出凸出程度最大的凸点包括：将相邻的两个凸点中的、与第一凹点的距离最远的凸点，确定为凸出程度最大的凸点。
[0008]在本申请的一些示意性实施方式中，凸出程度最大的凸点对应的参考点为第一凹点。
[0009]在本申请的一些示意性实施方式中，确定凸出程度最大的凸点与其对应的参考点之间的偏移距离包括：确定各个识别出的凸点与其对应的参考点之间的偏移距离；以及将所有偏移距离中的最大值作为凸出程度最大的凸点与其参考点之间的偏移距离。
[0010]在本申请的一些示意性实施方式中，方法还包括：识别沟道孔的边界轮廓的凹点；其中，参考点包括与凸点相邻的凹点。
[0011]在本申请的一些示意性实施方式中，凸出程度最大的凸点与其对应的参考点之间的偏移距离包括：凸出程度最大的凸点与其对应的参考点在指定方向的距离，其中，指定方
向垂直于半导体结构的栅缝隙的延伸方向。
[0012]在本申请的一些示意性实施方式中，凸点或凹点为沟道孔的边界轮廓中的极值点。
[0013]在本申请的一些示意性实施方式中，在识别凸点之前，方法还包括：提取待测图像中的轮廓；以及对提取的轮廓进行降噪处理，以去除轮廓中远离沟道孔的边界轮廓的部分。
[0014]在本申请的一些示意性实施方式中，方法还包括：响应于沟道孔的缺陷程度不符合预设要求，执行告警指令。
[0015]在本申请的一些示意性实施方式中，待测图像包括沟道孔在沟道孔的延伸方向上的扫描电镜图像。
[0016]在本申请的一些示意性实施方式中，半导体结构为三维存储器或三维存储器的一部分。
[0017]第二方面，本申请的实施方式提供了一种用于半导体结构的检测缺陷装置，包括：识别模块，用于识别半导体结构的待测图像中的沟道孔的边界轮廓的凸点；确定模块，用于确定凸出程度最大的凸点与其对应的参考点之间的偏移距离；以及检测模块，用于根据所确定出的偏移距离确定沟道孔的缺陷程度。
[0018]在本申请的一些示意性实施方式中，确定模块被配置为：从识别出的凸点中确定出凸出程度最大的凸点；以及确定凸出程度最大的凸点与其对应的参考点之间的偏移距离。
[0019]在本申请的一些示意性实施方式中，确定模块还被配置为：识别沟道孔的边界轮廓的凹点；确定各个凹点至与凹点相邻的两个凸点之间的连线的垂直距离，并从凹点中确定出与相邻两个凸点之间的垂直距离最大的第一凹点；以及，从与第一凹点相邻的两个凸点中确定出凸出程度最大的凸点。
[0020]在本申请的一些示意性实施方式中，凸出程度最大的凸点对应的参考点为第一凹点。
[0021]在本申请的一些示意性实施方式中，确定模块被配置为：确定各个识别出的凸点与其对应的参考点之间的偏移距离；以及将所有偏移距离中的最大值作为凸出程度最大的凸点与其对应的参考点之间的偏移距离。
[0022]在本申请的一些示意性实施方式中，识别模块还被配置为：识别沟道孔的边界轮廓的凹点；其中，参考点包括与凸点相邻的凹点。
[0023]在本申请的一些示意性实施方式中，凸出程度最大的凸点与其对应的参考点之间的偏移距离包括：凸出程度最大的凸点与其对应的参考点在指定方向的距离，其中，指定方向垂直于半导体结构的栅缝隙的延伸方向。
[0024]在本申请的一些示意性实施方式中，半导体结构为三维存储器或三维存储器的一部分。
[0025]第三方面，本申请的实施方式提供了一种检测设备，包括：存储器，用于存储计算机指令；以及处理器，用于与存储器通信以执行计算机指令，从而实现上述实施方式提及的缺陷检测方法。
[0026]第四方面，本申请的实施方式提供了一种可读存储介质，可读存储介质中存储有计算机指令，计算机指令被处理器执行时实现上述实施方式提及的缺陷检测方法。
[0027]根据本申请的实施方式，可通过对半导体结构的待测图像进行识别，得到凸出程度最大的凸点和其对应的参考点之间偏移距离，以衡量沟道孔的缺陷程度，使得能够自动检测半导体结构的沟道孔的缺陷。基于偏移距离评估缺陷相对于人工评估缺陷而言，其评估结果更客观，评估缺陷的成本更低。此外，对沟道孔缺陷进行检测使得最终形成的半导体结构的性能更有保障。
附图说明
[0028]通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显。其中：
[0029]图1是根据本申请的一个实施方式的半导体结构的缺陷检测方法的流程示意图；
[0030]图2a至图2d是根据本申请的一个实施方式的三维存储器的扫描电镜图像的局部示意图；
[0031]图3是根据本申请的一个实施方式的沟道孔的部分边界轮廓的示意图；
[0032]图4是图2a中的部分沟道孔的凸出程度最大的凸点和第一凹点的位置示意图；
[0033]图5是根据本申请的一个实施方式的用于半导体结构的缺陷检测装置的示意性框图；
[0034]图6是根据本申请的一个实施方式的检测设备的框图。
具体实施方式
[0035]为了更好地理解本申请，将参考附图对本申请的各个方面做出更详细的说明。应理解，这些详细说明只是对本申请的示例性实施方式的描述，而非以本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的缺陷检测方法，其特征在于，包括：识别所述半导体结构的待测图像中的沟道孔的边界轮廓的凸点；确定凸出程度最大的凸点与其对应的参考点之间的偏移距离；以及根据所确定出的偏移距离确定所述沟道孔的缺陷程度。2.根据权利要求1所述的方法，其中，确定凸出程度最大的凸点与其对应的参考点之间的偏移距离包括：从识别出的凸点中确定出凸出程度最大的凸点；以及确定所述凸出程度最大的凸点与其对应的参考点之间的偏移距离。3.根据权利要求2所述的方法，其中，从识别出的凸点中确定出凸出程度最大的凸点包括：识别所述沟道孔的边界轮廓的凹点；确定各个所述凹点至与所述凹点相邻的两个凸点之间的连线的垂直距离，并从所述凹点中确定出与相邻两个凸点之间的垂直距离最大的第一凹点；以及，从与所述第一凹点相邻的两个凸点中确定出所述凸出程度最大的凸点。4.根据权利要求3所述的方法，其中，从与所述第一凹点相邻的两个凸点中确定出所述凸出程度最大的凸点包括：将所述相邻的两个凸点中的、与所述第一凹点在指定方向上距离最远的凸点，确定为所述凸出程度最大的凸点，所述指定方向垂直于所述半导体结构的栅缝隙的延伸方向。5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述凸出程度最大的凸点对应的参考点为所述第一凹点。6.根据权利要求1所述的方法，其中，确定凸出程度最大的凸点与其对应的参考点之间的偏移距离包括：确定各个识别出的凸点与其对应的参考点之间的偏移距离；以及将所有所述偏移距离中的最大值作为所述凸出程度最大的凸点与其参考点之间的偏移距离。7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述方法还包括：识别所述沟道孔的边界轮廓的凹点；其中，所述参考点包括与所述凸点相邻的凹点。8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述凸出程度最大的凸点与其对应的参考点之间的偏移距离包括：所述凸出程度最大的凸点与其对应的参考点在指定方向的距离，其中，所述指定方向垂直于所述半导体结构的栅缝隙的延伸方向。9.一种用于半导体结构的缺陷检测装置，其特征在于，包括：...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑文凯，陈金星，陈广甸，汪严莉，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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