一种高纯超薄高强度氧化铝陶瓷基板及其制备方法和应用技术

本发明专利技术提供一种高纯超薄高强度氧化铝陶瓷基板，包括以下原材料组分和各原材料组分的重量份数：氧化铝粉体100重量份；醇和酯的混合有机溶剂55

【技术实现步骤摘要】
一种高纯超薄高强度氧化铝陶瓷基板及其制备方法和应用


[0001]本专利技术属于陶瓷电路基板
，具体涉及一种高纯超薄高强度氧化铝陶瓷基板及其制备方法和在薄膜集成电路中的应用。

技术介绍

[0002]薄膜集成电路是在绝缘基板上，全部采用薄膜工艺如光刻、蒸发、溅射、沉积等方式制作有源元件、无源元件和互连而构成的电路，或者仅由薄膜工艺制作无源元件和互连线形成无源网络，并在其上面组装半导体器件等而构成的电路。薄膜混合集成电路是在同一个基片上，采用薄膜工艺制成无源网络，并组装上分立的微型元件、器件、半导体芯片或单片集成电路等。薄膜电路的优点是制作的元件参数范围宽、精度高、温度频率特性好，可以工作到毫米波段，并且集成度较高、尺寸小。
[0003]常见的绝缘陶瓷基板主要有Al2O3、AlN、SiC和BeO等。其中BeO和SiC热导率很高，但BeO具有毒性，应用范围小，所以产量低；SiC因体积电阻小、介电常数较大、介电损耗较高，不利于信号的传输，且成型工艺复杂，设备昂贵，所以应用范围也很小；AlN陶瓷基板具有很高的热导率(理论值为319W/m...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高纯超薄高强度氧化铝陶瓷基板，其特征在于，包括以下原材料组分和各原材料组分的重量份数：其中，所述氧化铝粉体为纯度≥99.9％、粒径D
50
在200
‑
500nm的高纯α相氧化铝粉体，所述氧化铝陶瓷基板的厚度为0.12
‑
1.10mm，体积密度≥3.88g/cm3，弯曲强度≥550MPa。2.根据权利要求1所述的高纯超薄高强度氧化铝陶瓷基板，其特征在于，所述氧化铝粉体的比表面积为5
‑
8m2/g，所述氧化铝陶瓷基板的厚度为0.13
‑
1.01nm。3.根据权利要求1或2所述的高纯超薄高强度氧化铝陶瓷基板，其特征在于，所述醇和酯的混合有机溶剂中的醇为乙醇、丙醇、异丙醇、乙二醇、正丁醇、异丁醇、叔丁醇中的一种或任意几种的混合物；所述醇和酯的混合有机溶剂中的酯为乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丙酯、乙酸异丙酯、乙酸丁酯、乙酸异丁酯中的一种或几种的混合物；优选地，所述醇和酯的混合有机溶剂为无水乙醇和乙酸丁酯的混合物。4.根据权利要求1
‑
3任一项所述的高纯超薄高强度氧化铝陶瓷基板，其特征在于，所述分散剂选自三油酸甘油脂、聚乙烯吡咯烷酮中的一种或两种混合物，更优选为三油酸甘油酯。5.根据权利要求1
‑
4任一项所述的高纯超薄高强度氧化铝陶瓷基板，其特征在于，所述粘结剂为聚乙烯醇缩丁醛，优选为分子量在40000～70000之间的聚乙烯醇缩丁醛。6.根据权利要求1
‑
5任一项所述的高纯超薄高强度氧化铝陶瓷基板，其特征在于，所述增塑剂为邻苯二甲酸二丁酯和聚乙二醇中的一种或两种混合物。7.根据权利要求1
‑
6任一项所述的高纯超薄高强度氧化铝陶瓷基板，其特征在于，所述氧化铝陶瓷基板的氧化铝晶粒的平均晶粒尺寸为0.5～1μm。8.根据权利要求1
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7任一项所述的高纯超薄高强度氧化铝陶瓷基板，其特征在于，所述氧化铝陶瓷基板的维氏硬度≥17GPa，常...

【专利技术属性】
技术研发人员：王正娟，周国红，夏金峰，薛振海，胡松，张海龙，黄德信，王士维，
申请(专利权)人：中国科学院上海硅酸盐研究所，
类型：发明
国别省市：