一种红黄GaAs系LED芯片制备方法及LED芯片技术

本发明专利技术提供一种红黄GaAs系LED制备方法及芯片，所述方法包括：提供GaAs衬底；在所述GaAs衬底上生长外延层；在所述外延层上依次生长第一碳掺GaP层以及第二碳掺GaP层，并在所述第二碳掺GaP层上蒸镀AuBe；通过退火使所述AuBe中的Be离子扩散至所述第二碳掺GaP层中，后蚀刻蒸镀的所述AuBe以露出所述第二碳掺GaP层；在所述第二碳掺GaP层生长CB层，并在所述CB层上设置镜面金属层。相比于现有技术，本发明专利技术在兼顾高出光效率的同时避免了芯片的整体电压偏高。高。高。

【技术实现步骤摘要】
一种红黄GaAs系LED芯片制备方法及LED芯片


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种红黄GaAs系LED芯片制备方法及LED芯片。

技术介绍

[0002]LED镜面制备为红黄GaAs的LED正装反极性垂直结构产品中极为重要的一部工序，其主要目的是通过制备出的镜面达到提升芯片亮度的目的。
[0003]在红黄GaAs系LED芯片MQW(量子阱)出光时，主要应用为正向光。由于GaAs材料有着较高的吸光特性，下方出光会被GaAs吸收，无法反射回正面，因此无镜面层GaAs系芯片出光主要为正向出光。为提高出光效率，减少光吸收，红黄GaAs产品产生了特有的正装反极性产品，其主要特点便是通过置换不同衬底在外延下方加入一组镜面结构，使MQW(量子阱)出光时下方光可以由镜面结构反射回正向，从而达到提高亮度的效果。
[0004]现有技术中，红黄GaAs系LED芯片外延进行置换衬底通过增加镜面与介质层形成ODR(全方向反射镜)结构，从而提升LED芯片的发光亮度，但作为介质层的SiO2不导电，虽然蚀刻出了CB孔作为欧姆接触通道，但仍会本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种红黄GaAs系LED芯片制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供GaAs衬底；在所述GaAs衬底上生长外延层；在所述外延层上依次生长第一碳掺GaP层以及第二碳掺GaP层，并在所述第二碳掺GaP层上蒸镀AuBe；通过退火使所述AuBe中的Be离子扩散至所述第二碳掺GaP层中，后蚀刻蒸镀的所述AuBe以露出所述第二碳掺GaP层；在所述第二碳掺GaP层生长CB层，并在所述CB层上设置镜面金属层。2.根据权利要求1所述的红黄GaAs系LED芯片制备方法，其特征在于，所述通过退火使所述AuBe中的Be离子扩散至所述第二碳掺GaP层中，后蚀刻蒸镀的所述AuBe以露出所述第二碳掺GaP层的步骤中，所述Be离子比例为15％～20％。3.根据权利要求1所述的红黄GaAs系LED芯片制备方法，其特征在于，所述在所述外延层上依次生长第一碳掺GaP层以及第二碳掺GaP层，并在所述第二碳掺GaP层上蒸镀AuBe的步骤包括：在所述外延层上生长设定掺杂浓度的第一碳掺GaP层，然后以每预设掺杂浓度为一个台阶过渡至设定浓度的过渡GaP层，接着继续生长设定掺杂浓度的第二碳掺GaP层，并在所述第二碳掺GaP层上蒸镀AuBe。4.根据权利要求3所述的红黄GaAs系LED芯片制备方法，其特征在于，所述第一碳掺GaP层的设定掺杂浓度为3e16cm
‑3，所述第二碳掺GaP层的设定浓度为3e17cm
‑3，所述过渡GaP层的设定浓度为3e17cm
‑3，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：窦志珍，兰晓雯，杨琦，贾钊，胡加辉，金从龙，顾伟，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：