一种等离激元增强的MoSe2光电探测器及其制备方法和应用技术

本发明专利技术公开了一种等离激元增强的MoSe2光电探测器及其制备方法和应用，所述等离激元增强的MoSe2光电探测器自下而上依次包括衬底、金属反射层、绝缘介质层、金属纳米粒子薄膜、MoSe2二维材料层和电极。本发明专利技术所述等离激元增强的MoSe2光电探测器的金属反射层、绝缘介质层以及金属纳米粒子薄膜构成法布里

【技术实现步骤摘要】
一种等离激元增强的MoSe2光电探测器及其制备方法和应用


[0001]本专利技术涉及光电探测器
，更具体地，涉及一种等离激元增强的MoSe2光电探测器及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]光电探测器在许多领域均有至关重要的作用，例如：国防建设、工业生产、航空航天科技等，从成像到光电通信，依靠光电探测器将光辐射转换成标准电子器件处理的电信号。传统材料制备的光电探测器由于其带隙限制，只能对特定波段的光产生响应，限制了光电探测器的广泛应用。
[0003]二维层状过渡金属化合物具有类石墨烯的特殊结构，同时二维材料也具有许多优于石墨烯的物理特性，可用于制备新型光电探测器。现有层状二维材料主要有MoS2、WS2、MoSe2、WSe2等。与石墨烯相比，二维材料可通过控制层数来调节材料的带隙，这使其在光电探测器方面的应用具有了更大的优势。
[0004]现有技术(冯浩，坚佳莹，董芃凡等.二维MoSe2及其柔性光电探测器的制备与性能[J].精细化工,2021,38(9):6.)公开了一种二维MoSe2光电探测器，该探测器以有机尼龙膜作为本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离激元增强的MoSe2光电探测器，其特征在于，自下而上依次包括衬底、金属反射层、绝缘介质层、金属纳米粒子薄膜、MoSe2二维材料层和电极。2.根据权利要求1所述等离激元增强的MoSe2光电探测器，其特征在于，所述绝缘介质层材料为二氧化硅和/或氧化铝，绝缘介质层的厚度为200～300nm。3.根据权利要求2所述等离激元增强的MoSe2光电探测器，其特征在于，所述绝缘介质层材料为二氧化硅，绝缘介质层的厚度为240～280nm。4.根据权利要求1所述等离激元增强的MoSe2光电探测器，其特征在于，所述MoSe2二维材料层为单层MoSe2。5.根据权利要求1所述等离激元增强的MoSe2光电探测器，其特征在于，所述金属反射层选自铝反射层、银反射层、金反射层、铂反射层中的一种或多种。6.根据权利要求1所述等离激元增强的MoSe2光电探测器，其特征在于，所述金属纳米粒子薄膜选自...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴子峤，董华锋，薛建材，文敏儒，吴福根，
申请(专利权)人：广东工业大学，
类型：发明
国别省市：