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本发明公开了一种等离激元增强的MoSe2光电探测器及其制备方法和应用，所述等离激元增强的MoSe2光电探测器自下而上依次包括衬底、金属反射层、绝缘介质层、金属纳米粒子薄膜、MoSe2二维材料层和电极。本发明所述等离激元增强的MoSe2光电探...
该专利属于广东工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过广东工业大学授权不得商用。

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