一种近红外响应的热电子光电探测器制造技术

本实用新型专利技术公开一种近红外响应的热电子光电探测器，该热电子光电探测器包括自下而上排列的第一电极层薄膜、第一电极连接层薄膜、基底、金属连接层、金属层薄膜和一维光子晶体；所述金属层薄膜上设置有第二电极；所述一维光子晶体由均匀薄膜介质周期性交替排列而成。该热电子光电探测器能够有效拓展硅基光电探测器件的近红外吸收能力，实现近红外波长区域的有效响应。有效响应。有效响应。

【技术实现步骤摘要】
一种近红外响应的热电子光电探测器


[0001]本技术涉及光电探测，具体涉及一种近红外响应的热电子光电探测器。

技术介绍

[0002]光电探测器作为光学传感器的一种，可以将光信号转换成电信号，被广泛应用于在军事和国民经济中，如航空航天、光通信、工业控制、近红外成像等领域，如光纤通信、生物模式识别、无人驾驶和无人机、光电耦合器等技术中。
[0003]其中，硅(Si)材料因成本低、纯度高、微纳加工工艺成熟、集成度高、器件特性好等优点，被广泛地应用于在可见光波段的光器件。然而，由于Si的禁带宽度为1.12eV，吸收谱在1100nm处截止，因此，Si的吸收波长范围在400nm到1100nm之间，无法直接应用于近红外光电探测。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于克服上述存在的问题，提供一种近红外响应的热电子光电探测器，该热电子光电探测器能够有效拓展硅基光电探测器件的近红外吸收能力，实现近红外波长区域的有效响应。
[0005]本技术的目的通过以下技术方案实现：
[0006]一种近红外响应的热电子光电探测器，包括自下本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种近红外响应的热电子光电探测器，其特征在于，包括自下而上排列的第一电极层薄膜、第一电极连接层薄膜、基底、金属连接层、金属层薄膜和一维光子晶体；所述金属层薄膜上设置有第二电极。2.根据权利要求1所述的近红外响应的热电子光电探测器，其特征在于，所述一维光子晶体由均匀薄膜介质周期性交替排列而成。3.根据权利要求2所述的近红外响应的热电子光电探测器，其特征在于，所述一维光子晶体的薄膜介质为TiO2和SiO2。4.根据权利要求2所述的近红外响应的热电子光电探测器，其特征在于，所述一维光子晶体的排列周期为5至10个周期，每一周期包括一层TiO2薄膜和一层SiO2薄膜；所述一维光子晶体的周期的厚度为364nm至424nm。5.根据权利要求4所述的近红外响应的热电子光电探测器，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：龙拥兵，梁文跃，徐海涛，邓海东，兰玉彬，
申请(专利权)人：华南农业大学，
类型：新型
国别省市：