【技术实现步骤摘要】
涡电流传感器及研磨装置
[0001]本专利技术关于一种涡电流传感器。
技术介绍
[0002]涡电流传感器使用于测量膜厚、测量位移等。以下以测量膜厚为例来说明涡电流传感器。用于测量膜厚的涡电流传感器例如用于半导体元件的制造工序(研磨工序)。在研磨工序中以下述方式使用涡电流传感器。随着半导体元件的高度集成化,电路配线趋于微细化,配线间距亦更狭窄。因此,需要将包含导体的被研磨物(半导体晶片等的基板)的表面平坦化,不过,作为该平坦化法的其中一种方式是使用研磨装置进行研磨(Polishing)。
[0003]研磨装置具备:保持用于研磨被研磨物的研磨垫的研磨台;及用于保持被研磨物并按压于研磨垫的顶环(保持部)。研磨台与顶环分别通过驱动部(例如马达)而旋转驱动。通过包含研磨剂的液体(浆液)在研磨垫上流动,并将保持于顶环的被研磨物接触其上来研磨被研磨物。
[0004]关于研磨装置,当被研磨物的研磨不足时,电路间无法形成绝缘,而可能发生短路,此外,研磨过度时,因为配线的剖面积减少造成电阻值上升、或配线本身完全被除去,而发生未形 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种涡电流传感器,用于检测能够在导体上生成的涡电流,所述涡电流传感器的特征在于,具有:磁芯,该磁芯为磁性体,具有基部、中央壁及端部壁,该中央壁在所述基部的第一方向的中央设于所述基部,该端部壁在所述基部的所述第一方向的两端部分别设于所述基部;励磁线圈,该励磁线圈配置于所述端部壁,且能够在所述导体上生成涡电流;及检测线圈,该检测线圈配置于所述中央壁,且用于检测所述涡电流。2.如权利要求1所述的涡电流传感器,其特征在于,从所述端部壁上的所述励磁线圈至所述基部的距离小于从所述中央壁上的所述检测线圈至所述基部的距离。3.如权利要求1或2所述的涡电流传感器,其特征在于,从所述端部壁上的所述励磁线圈至所述基部的距离为从所述端部壁上与所述导体相对的端部至所述基部的距离的一半以下。4.如权利要求1~3中任一项所述的涡电流传感器,其特征在于,具有虚设线圈,该虚设线圈配置于所述中央壁或所...
【专利技术属性】
技术研发人员:山田洋人,高桥太郎,涩江宏明,
申请(专利权)人:株式会社荏原制作所,
类型:发明
国别省市:
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