清洁抛光垫的设备和抛光装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及清洁抛光垫的设备和抛光装置，一种清洁抛光垫的设备包括：第一气体管嘴，该第一气体管嘴用于将气体喷射到抛光垫的孔；以及第一液体管嘴，该第一液体管嘴用于将液体喷射到抛光垫的孔。射到抛光垫的孔。射到抛光垫的孔。

【技术实现步骤摘要】
清洁抛光垫的设备和抛光装置


[0001]本实施例涉及清洁抛光垫的设备和抛光装置。

技术介绍

[0002]通常，被广泛用作制造半导体装置的材料的晶圆是指由以多晶硅为原材料制成的单晶硅薄板。
[0003]这种晶圆包括将多晶硅生长成单晶硅锭、然后将硅锭切割成晶圆形状的切片过程，晶圆的厚度均匀且变平整的研磨过程，去除或减轻由机械抛光引起的损坏的蚀刻过程，使晶圆表面成镜面的抛光过程以及清洁晶圆的清洁过程。
[0004]通常，抛光过程是非常重要的过程，因为抛光过程是在晶圆进入装置过程之前最终形成平整度和表面粗糙度的过程。
[0005]抛光过程包括用于抛光晶圆的两个面的双面抛光(double
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sided polishing，DSP)过程和用于去除晶圆的一个面上的异物的最终抛光(final polishing，FP)过程。
[0006]在最终抛光过程中，由载体传送的晶圆在被压在抛光垫上的同时旋转，使得晶圆的表面被机械地变平整，并且同时，执行化学反应的浆料被供给到抛光垫。因此，晶圆的表面使得能够以化学方式变平整本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种清洁抛光垫的设备，其特征在于，所述设备包括：第一气体管嘴，所述第一气体管嘴用于将气体喷射到所述抛光垫的孔；以及第一液体管嘴，所述第一液体管嘴用于将液体喷射到所述抛光垫的孔。2.根据权利要求1所述的设备，所述设备进一步包括：第二液体管嘴，所述第二液体管嘴被布置成与所述第一液体管嘴相邻，以将液体喷射到所述抛光垫的孔。3.根据权利要求2所述的设备，其中，所述第一液体管嘴和所述第二液体管嘴之间的分隔距离大于所述抛光垫的所述孔的入口的直径。4.根据权利要求2所述的设备，所述设备进一步包括：第三液体管嘴，所述第三液体管嘴被布置在所述第一液体管嘴和所述第二液体管嘴之间，以将液体喷射到所述抛光垫的孔。5.根据权利要求4所述的设备，其中，所述第一液体管嘴至所述第三液体管嘴中的每一个能够围绕垂直于所述抛光垫的表面的垂直轴线旋转，以沿多个方向喷射。6.根据权利要求5所述的设备，其中，所述第一液体管嘴相对于所述抛光垫以第一倾斜角布置，所述第二液体管嘴相对于所述抛光垫以第二倾斜角布置，并且所述第三液体管嘴相对于所述抛光垫垂直地布置。7.根据权利要求4所述的设备，所述设备进一步包括：第二气体管嘴，所述第二气体管嘴用于将气体喷射到所述抛光垫的孔。8.根据权利要求7所述的设备，其中，所述第二气体管嘴被布置成比所述第一气体管嘴更靠近所述第一液体管嘴至所述第三液体管嘴中的一个。9.根据权利要求4所述的设备，其中，所述第三液体管嘴被布置在所述第一液体管嘴和所述第二液体管嘴之间。10.根据权利要求7所述的设备，...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹志焕，
申请(专利权)人：爱思开矽得荣株式会社，
类型：发明
国别省市：