本发明专利技术提供一种能够将硅芯线的表面整体均匀蚀刻的装置。硅芯线(C1、C2、C3)的蚀刻装置(1)具备：蚀刻液槽(11、12)，蚀刻液槽(11、12)容纳蚀刻液(L1、L2)；多个芯线支持构件(31)，芯线支持构件(31)形成有硅芯线(C1、C2、C3)所贯穿的孔(31A)，并且支持硅芯线(C1、C2、C3)；以及位置改变机构(40)，位置改变机构(40)使硅芯线(C1、C2、C3)所贯穿的相对位置相对于孔(31A)改变。变。变。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】硅芯线的蚀刻装置及硅芯线的蚀刻方法
[0001]本专利技术涉及一种硅芯线的蚀刻装置及硅芯线的蚀刻方法。
技术介绍
[0002]对于半导体材料等所使用的多晶硅要求非常高的纯度。专利文献1中公开了一种在将棒状的多晶硅直接悬吊于悬挂器上的状态下进行洗涤的多晶硅的洗涤方法。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本专利特开2005
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288333号公报
技术实现思路
[0006]专利技术所要解决的问题
[0007]然而，即便将如上所述的现有技术应用于多晶硅的析出所使用的硅芯线，也难以将硅芯线的表面整体均匀地蚀刻。另外，由于硅芯线比棒状的多晶硅更轻，故而存在硅芯线有可能从悬挂器上落下的问题。
[0008]尤其，专利文献1所记载的例示的悬挂器由于是L字型的悬挂器，故而在将作为蚀刻对象物的硅芯线支持于悬挂器上的状态下，硅芯线的上部大幅度开放。因此，存在硅芯线容易落下的问题。为了消除所述落下的问题，还考虑增加悬挂器的数量，但若悬挂器的数量增加，则悬挂器与蚀刻对象物的接点增多，因此存在难以进行均匀蚀刻的问题。
[0009]本专利技术的一形态的目的为提供一种能够将硅芯线的表面整体均匀蚀刻的装置。
[0010]用于解决问题的手段
[0011]为了解决所述问题，本专利技术的一形态所涉及的硅芯线的蚀刻装置具备：蚀刻液槽，所述蚀刻液槽容纳浸渍硅芯线的蚀刻液；多个芯线支持构件，所述芯线支持构件形成有至少1个所述硅芯线所贯穿的孔，并且支持所述硅芯线；以及位置改变机构，所述位置改变机构在所述硅芯线贯穿所述多个芯线支持构件且浸渍于所述蚀刻液中的状态下，使所述硅芯线所贯穿的相对位置相对于所述孔改变。
[0012]本专利技术的一形态所涉及的硅芯线的蚀刻方法具备：贯穿工序，其使所述硅芯线贯穿形成于支持硅芯线的多个芯线支持构件中的孔；第一浸渍工序，其将由所述芯线支持构件所支持的所述硅芯线浸渍于蚀刻液中；以及第一位置改变工序，其使所述硅芯线所贯穿的相对位置相对于所述孔改变。
[0013]专利技术效果
[0014]根据本专利技术的一形态，可以提供一种能够将硅芯线的表面整体均匀蚀刻的装置。
附图说明
[0015]图1是表示本专利技术的实施方式1所涉及的硅芯线的蚀刻装置的初始状态的示意图。
[0016]图2是图1所涉及的蚀刻装置的盒底座及芯线保持器的分解示意图。
[0017]图3是表示图1所涉及的蚀刻装置中，芯线支持板支持硅芯线的状态的图。
[0018]图4是表示图1所涉及的蚀刻装置中，在起重机上安装芯线保持器之前的状态的图。
[0019]图5是表示在图4所涉及的起重机上安装芯线保持器之后的状态的图。
[0020]图6是表示利用本专利技术的实施方式1所涉及的蚀刻装置的硅芯线的蚀刻方法的流程图。
[0021]图7是表示图1所涉及的蚀刻装置中，将硅芯线浸渍于第一蚀刻液中的状态的图。
[0022]图8是表示图1所涉及的蚀刻装置中，将硅芯线进行蚀刻并洗涤之后的状态的图。
[0023]图9是本专利技术的实施方式2所涉及的蚀刻装置的盒底座及芯线保持器的分解示意图。
[0024]图10是表示本专利技术的实施方式3所涉及的蚀刻装置中，在起重机上安装盒底座之前的状态的图。
具体实施方式
[0025][实施方式1][0026]以下，参照附图，对本专利技术的一实施方式进行详细说明。
[0027]〈硅芯线的蚀刻装置〉
[0028]如图1所示，硅芯线C1的蚀刻装置1具备：第一蚀刻液槽11、第二蚀刻液槽12、洗涤槽13、盒底座20、芯线保持器30和起重机(位置改变机构)40。
[0029]本说明书中，在图1所示的蚀刻装置1的初始状态下，将相对于芯线保持器30而言的第一蚀刻液槽11的位置称为前侧，并且将相对于第一蚀刻液槽11而言的芯线保持器30的位置称为后侧。另外，将相对于芯线保持器30而言的起重机40的升降机构43的位置称为上侧，并且将相对于升降机构43而言的芯线保持器30的位置称为下侧。
[0030]如图2及图3所示，硅芯线C1贯穿芯线保持器30的芯线支持板(芯线支持构件)31的贯穿孔31A，被支持于芯线支持板31上。如图2等所示，本说明书中，朝向前侧，将右手侧称为右侧，将左手侧称为左侧。由芯线支持板31支持的硅芯线C1在左右方向上延伸，因此在图1中，硅芯线C1在与纸面垂直的方向上延伸。
[0031]在利用例如西门子法来制造多晶硅时，硅芯线C1用于使多晶硅析出于硅芯线C1的表面。硅芯线C1并未限定，例如通过切割出棒状的多晶硅或单晶硅来制造。
[0032]以这种方式制造的硅芯线C1的形状例如为圆柱、椭圆柱、大致方形的棱柱或多边形的棱柱。棱柱形的硅芯线C1能够通过将大的棒状的多晶硅直线性地切开而容易地制造。另外，关于硅芯线C1的尺寸，例如截面积为0.1cm2以上、6cm2以下，长度为200mm以上。硅芯线C1的长度的上限值并无特别限制，通常为2000mm左右，优选为1500mm左右。
[0033]第一蚀刻液槽11和第二蚀刻液槽12分别容纳对硅芯线C1的表面进行蚀刻的第一蚀刻液L1和第二蚀刻液L2。在第一蚀刻液槽11的前侧依次排列有第二蚀刻液槽12及洗涤槽13。如后所述，本实施方式中，硅芯线C1浸渍于第一蚀刻液槽11的第一蚀刻液L1中进行蚀刻后，浸渍于第二蚀刻液槽12的第二蚀刻液L2中进行蚀刻。
[0034]第一蚀刻液L1和第二蚀刻液L2并未限定，例如可以使用氟化氢(HF)水溶液(也称为氢氟酸)、硝酸(HNO3)水溶液或者它们的混合物。关于蚀刻后的硅芯线C1，就提高表面的
平坦性的观点而言，第二蚀刻液L2优选为HF相对于HNO3的质量比率高于第一蚀刻液L1。例如，第一蚀刻液L1中的HF∶HNO3的质量比率优选为1∶50～1∶30，第二蚀刻液L2中的HF∶HNO3的质量比率优选为1∶30～1∶5。
[0035]另外，第一蚀刻液L1和第二蚀刻液L2中所包含的HNO3的浓度可根据作为蚀刻对象的硅芯线C1的污染状态以及蚀刻后的硅芯线C1的目标清洁度来适当决定。例如，第一蚀刻液L1中所包含的HNO3的浓度优选为大于64质量％且为69质量％以下。另外，第二蚀刻液L2中所包含的HNO3的浓度优选为60质量％以上、67质量％以下。HNO3的浓度优选为第一蚀刻液L1高于第二蚀刻液L2，但并不限定于此。
[0036]本实施方式中，作为蚀刻液槽，设置有2个槽，第一蚀刻液槽11和第二蚀刻液槽12。但是，蚀刻液槽的数量并不限定于此，可以设置1个蚀刻液槽，也可设置3个以上的蚀刻液槽。当然，即便蚀刻液槽的数量为1个，本专利技术也充分发挥其效果。
[0037]在设置3个以上的蚀刻液槽的情况下，关于蚀刻后的硅芯线C1，就提高表面的平坦性的观点而言，容纳于蚀刻液槽中的蚀刻液优选为HF相对于HNO3的质量比率高至与随后工序相当的程度。由此，能够抑制蚀刻液的过度的温度上本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种硅芯线的蚀刻装置，其特征在于，具备：蚀刻液槽，所述蚀刻液槽容纳浸渍硅芯线的蚀刻液；多个芯线支持构件，所述芯线支持构件形成有至少1个所述硅芯线所贯穿的孔，并且支持所述硅芯线；以及位置改变机构，所述位置改变机构在所述硅芯线贯穿所述多个芯线支持构件并且浸渍于所述蚀刻液中的状态下，使所述硅芯线所贯穿的相对位置相对于所述孔改变。2.根据权利要求1所述的硅芯线的蚀刻装置，其特征在于，所述位置改变机构使所述芯线支持构件在上下方向往复移动。3.根据权利要求1或2所述的硅芯线的蚀刻装置，其特征在于，形成所述孔的边缘部形成为连续的曲线状。4.根据权利要求1至3中任一项所述的硅芯线的蚀刻装置，其特征在于，所述硅芯线分别贯穿形成于所述多个芯线支持构件中所包含的至少2个所述芯线支持构件中的所述孔，所述2个芯线支持构件之间的距离能够根据所述硅芯线的长度来变更。5.根据权利要求1至4中任一项所述的硅芯线的蚀刻装置，其特征在于，在所述芯线支...
【专利技术属性】
技术研发人员：阪井纯也，横濑卓矢，
申请(专利权)人：株式会社德山，
类型：发明
国别省市：
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