一种利用四氟化硅为原料制备硅薄膜的方法技术

本发明专利技术公开了一种利用四氟化硅为原料制备硅薄膜的方法。该方法步骤为：(1)取硅颗粒与衬底分别放置于双温区管式炉的左右两端恒温区域内，设置管式炉恒温区的最终温度和升温速率；(2)连接好管式炉与气路部分，并通入载气，同时管式炉开始程序升温；(3)达到设置温度后，关闭载气，打开四氟化硅气体进行反应；(4)反应结束后，关闭四氟化硅气体，打开载气进行吹扫，且双温区管式炉程序降温；(5)降至室温后，取出样品衬底进行检测表征。本发明专利技术是一种能有效利用磷肥副产四氟化硅气体生成中间体二氟化硅，然后二氟化硅发生歧化反应制备硅薄膜的工艺方法。方法。方法。

【技术实现步骤摘要】
一种利用四氟化硅为原料制备硅薄膜的方法

：
[0001]本专利技术涉及纳米材料领域，具体地涉及一种利用四氟化硅为原料制备硅薄膜的方法。

技术介绍
：
[0002]硅是地壳中含量第二高的元素，在自然界中极少以单质形式出现，多以二氧化硅和硅酸盐的形式存在。1787年存在于岩石中的硅首次被拉瓦锡发现，在1823年，硅被瑞典化学家贝采利乌斯首次以一种元素形式发现，随后硅元素开始了其漫长的发展历程。硅材料由于其具有的优良性能，主要用来制成半导体材料、太阳能电池、集成电路、光导纤维、金属陶瓷等，被广泛应用于化工、建筑、食品、航空航天、电子电气等诸多行业。尽管随着科技水平的进步，越来越多的材料在某些方面可以代替硅，但就目前硅材料的市场规模及应用情况来看，仍然有举足轻重的地位。贵州省是磷矿资源大省，磷肥生产过程中伴生氟硅资源丰富，衍生出的四氟化硅带来了巨大的环境、储存及资源浪费问题，将四氟化硅中的硅元素通过技术手段转化为单质硅将具有重要的意义。
[0003]硅薄膜是一种常用的红外波段光学薄膜材料，具有红外吸收系数小、热特性好等优点，常应用于太阳能电池、显示本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种利用四氟化硅为原料制备硅薄膜的方法，其特征在于：步骤为：(1)取硅颗粒，另取适合管径的衬底；(2)硅颗粒放置在双温区管式炉左端恒温区域内，衬底竖直放立在双温区管式炉右端恒温区域内，设置双温区管式炉的左右端恒温区的最终温度分别为1200
‑
1300℃及400
‑
800℃，升温速率均为8
‑
10℃/min；(3)打开载气氮气，其流量为100
‑
300ml/min，同时双温区管式炉恒温区开始升温；升温至反应温度后，关闭载气氮气，打开四氟化硅气体，反应时间30

【专利技术属性】
技术研发人员：唐石云，唐安江，李忠，韦德举，郭俊江，陈丽军，
申请(专利权)人：贵州理工学院，
类型：发明
国别省市：