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本发明公开了一种利用四氟化硅为原料制备硅薄膜的方法。该方法步骤为：(1)取硅颗粒与衬底分别放置于双温区管式炉的左右两端恒温区域内，设置管式炉恒温区的最终温度和升温速率；(2)连接好管式炉与气路部分，并通入载气，同时管式炉开始程序升温；(3)...
该专利属于贵州理工学院所有，仅供学习研究参考，未经过贵州理工学院授权不得商用。

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