一种改善动态特性的屏蔽栅的MOSFET结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种改善动态特性的屏蔽栅的MOSFET结构，包括半导体基板，半导体基板包括第一导电类型外延层及设置在其内部的沟槽，沟槽上部分包括栅极多晶硅以及栅氧化层，下部分包括屏蔽栅多晶硅及厚氧化层，在栅极多晶硅和屏蔽栅多晶硅间设有第一浮空多晶硅，第一浮空多晶硅通过氧化层分别与栅极多晶硅、屏蔽栅多晶硅间隔离，和/或在栅极多晶硅和源极金属间设有第二浮空多晶硅，第二浮空多晶硅通过氧化层与栅极多晶硅隔离，通过绝缘介质层与源极金属隔离，源极金属与屏蔽栅多晶硅欧姆接触；本实用新型专利技术通过在栅极和源极间设置浮空多晶硅，能屏蔽栅极与源极之间的寄生电容Cgs，降低输入电容Ciss，进而降低开关损耗，同时改善IGSS漏电过大的问题。IGSS漏电过大的问题。IGSS漏电过大的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种改善动态特性的屏蔽栅的MOSFET结构


[0001]本技术涉及功率半导体器件
，具体地说是一种改善动态特性的屏蔽栅的MOSFET结构。

技术介绍

[0002]金属
‑
氧化物半导体场效应晶体管(Metal
‑
Oxide
‑
Semiconductor Field
‑
Effect Transistor，MOSFET)是一种可广泛使用的场效晶体管，且器件的特性不断接近硅材料的一维极限(表述了器件漂移区特征导通电阻和关断时击穿电压的理论关系)。
[0003]目前，功率MOSFET主要研究目的为降低功耗，且半导体器件功耗包括导通损耗和开关损耗。随着器件的不断改进创新，本领域又提出屏蔽栅型沟槽器件结构(Split
‑
Gate Trench，MOSFET)，如图1所示，在中低压范围内，可打破硅材料的一维极限，拥有较低的导通电阻，进而可实现较低的导通损耗，器件特性得到大幅提升。
[0004]但目前的屏蔽栅型MOSFET器件仍然存在很多不足：
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善动态特性的屏蔽栅的MOSFET结构，包括位于器件的中心区的元胞区，所述元胞区包括半导体基板，所述半导体基板包括第一导电类型外延层(2)，在所述第一导电类型外延层(2)内设置有若干均匀排布的沟槽(3)，在所述沟槽(3)内设有上下两部分，上部分包括栅极多晶硅(9)以及位于所述栅极多晶硅(9)侧壁的栅氧化层(10)，下部分包括屏蔽栅多晶硅(11)及包裹所述屏蔽栅多晶硅(11)的厚氧化层(12)，所述沟槽(3)上依次覆盖有绝缘介质层(6)、源极金属(13)，其特征在于：在所述栅极多晶硅(9)和屏蔽栅多晶硅(11)间设有第一浮空多晶硅(7)，所述第一浮空多晶硅(7)通过氧化层分别与栅极多晶硅(9)、屏蔽栅多晶硅(11)间隔离，和/或在所述栅极多晶硅(9)和源极金属(13)间设有第二浮空多晶硅(8)，所述第二浮空多晶硅(8)通过氧化层与栅极多晶硅(9)隔离，同时通过绝缘介质层(6)与源极金属(13)隔离，所述源极金属(13)与所述屏蔽栅多晶硅(11)欧姆接触。2.根据权利要求1所述的一种改善动态特性的屏蔽栅的MOSFET结构，其特征在于：所述沟槽(3)在所述第一导电类型外延层(2)内沿着...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘秀梅，刘锋，殷允超，周祥瑞，费国芬，
申请(专利权)人：捷捷微电无锡科技有限公司，
类型：新型
国别省市：