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本实用新型涉及一种改善动态特性的屏蔽栅的MOSFET结构，包括半导体基板，半导体基板包括第一导电类型外延层及设置在其内部的沟槽，沟槽上部分包括栅极多晶硅以及栅氧化层，下部分包括屏蔽栅多晶硅及厚氧化层，在栅极多晶硅和屏蔽栅多晶硅间设有第一浮空...
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