一种提高防静电能力的MOSFET器件制造技术

本实用新型专利技术涉及一种提高防静电能力的MOSFET器件，包括用于引出栅极的栅极金属和用于引出源极的源极金属，栅极金属和源极金属间设置有ESD保护结构，ESD保护结构包括多个ESD保护沟槽，多个ESD保护沟槽并列排布在栅极PAD区的四周，栅极串联有多个栅极电阻Rg，栅极电阻Rg包括栅电阻沟槽，且多个栅极电阻沟槽设置在有源区和终端保护区间；本实用新型专利技术在现有带ESD防护结构器件的基础上，在栅极串联了栅极电阻Rg，当栅极受到强静电冲击时，Rg电阻会使流向多晶硅二极管回路，有效保护了MOS的薄栅氧结构，使得原有常规二极管保护回路(PN结对)发挥更大的保护作用，从而提高了器件的抗ESD能力极限，提高了器件的可靠性。提高了器件的可靠性。提高了器件的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种提高防静电能力的MOSFET器件


[0001]本技术涉及功率半导体器件，具体地说是一种提高防静电能力的 MOSFET器件，属于功率半导体器件


技术介绍

[0002]功率MOSFET器件在现代电子产业中发挥着重要的作用，随着器件应用范围的扩展，越来越多的人对器件的抗静电能力有着更高的要求。由MOSFET 的器件结构可知，MOSFET栅极和源极之间只有一层很薄的氧化层隔开，此氧化层一般在100nm之内，在MOS器件没有特殊结构保护时，其抗ESD能力很低，一般在500V以内，在相对干燥的环境中，其远低于常见人体产生的静电值，极易造成器件的永久损坏。
[0003]为了让MOSFET器件具有更高的抗静电能力，工程师们想过各种办法，比如在器件封装时，让MOSFET和防护器件合封，甚至在外围电路中增加ESD 保护单元。这样做虽然解决了问题，但成本也大大提高。
[0004]在保证器件功能的前提下，目前最常用的方法是提高MOSFET栅极和源极之间的抗静电能力，也就是制造带有ESD保护的MOSFET器件，现有技术的做法是在原有MOSF本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高防静电能力的MOSFET器件，包括用于引出栅极的栅极金属和用于引出源极的源极金属，其特征在于，所述栅极金属和源极金属间设置有ESD保护结构，所述ESD保护结构包括多个ESD保护沟槽，所述多个ESD保护沟槽并列排布在栅极PAD区的四周，所述栅极串联有栅极电阻Rg，所述栅极电阻Rg包括多个栅电阻沟槽，且多个栅极电阻沟槽设置在有源区和终端保护区间。2.根据权利要求1所述的一种提高防静电能力的MOSFET器件，其特征在于：在器件截面上，所述ESD保护沟槽设置于第一导电类型漂移区内，所述第一导电类型漂移区下方设有第一导电类型衬底，且邻接；所述ESD保护沟槽的内设有多组串联的多晶硅二极管组，所述ESD保护沟槽的内壁设有沟槽氧化层，所述沟槽氧化层包裹所述多晶硅二极管组，所述多晶硅二极管组包括第一导电类型多晶硅和第二导电类型多晶硅交替排...

【专利技术属性】
技术研发人员：殷允超，刘锋，费国芬，
申请(专利权)人：捷捷微电无锡科技有限公司，
类型：新型
国别省市：