一种碳化硅和硅异质结低功耗IGBT制造技术

本发明专利技术涉及一种碳化硅和硅异质结低功耗IGBT，其包括集电极结构；所述集电极结构为多层结构，其由底层至顶层依次为P+集电极、位于P+集电极上方的N+缓冲层B、位于N+缓冲层B上方的N+缓冲层A、位于N+缓冲层A上方的N漂移区、位于漂移区的上方的表面结构；所述P+集电极、N+缓冲层B均使用硅材料制成，所述N+缓冲层A、N漂移区、表面结构均使用碳化硅材料制成。设计N+缓冲层A以上的部分由碳化硅制成，N+缓冲层B及以下的部分由硅材料制成，这样，漂移区部分利用碳化硅的高击穿电压特性，集电极部分利用硅材料的高注入效率，缓冲层利用异质结界面缺陷加快载流子复合，使得IGBT具有超低的导通和关断损耗。断损耗。断损耗。

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅和硅异质结低功耗IGBT


[0001]本专利技术涉及功率半导体领域，具体涉及一种碳化硅和硅异质结低功耗IGBT。

技术介绍

[0002]近年来，随着电力电子系统的不断发展，对系统中的功率器件提出了更高的要求。绝缘栅双极晶体管（IGBT）凭借着栅极易驱动、输入阻抗高、电流密度大、饱和压降低等优点，已经成为了中高功率范围内的主流功率开关器件之一。
[0003]但是作为双极型器件，其开关速度与单极型器件相比要慢一些，这就带来额外的开关损耗，特别是由拖尾电流带来的关断损耗，是IGBT器件损耗的主要来源之一。

技术实现思路

[0004]为解决上述问题，本专利技术提出了一种碳化硅和硅异质结低功耗IGBT。
[0005]本专利技术的技术方案：一种碳化硅和硅异质结低功耗IGBT，其包括集电极结构；所述集电极结构为多层结构，其由底层至顶层依次为P+集电极、位于P+集电极上方的N+缓冲层B、位于N+缓冲层B上方的N+缓冲层A、位于N+缓冲层A上方的N漂移区、位于漂移区的上方的表面结构。
[0006]所述P+集电极、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅和硅异质结低功耗IGBT，其包括集电极结构；其特征在于，所述集电极结构为多层结构，其由底层至顶层依次为P+集电极、位于P+集电极上方的N+缓冲层B、位于N+缓冲层B上方的N+缓冲层A、位于N+缓冲层A上方的N漂移区、位于漂移区的上方的表面结构；所述P+集电极、N+缓冲层B均使用硅材料制成，所述N+缓冲层A、N漂移区、表面结构均使用碳化硅材料制成；所述表面结构包括若干P型基区，所有P型基区均内嵌设置在N漂移区...

【专利技术属性】
技术研发人员：张新峰，黄宏嘉，帝玛，陈善亮，杨祚宝，王霖，弓小武，袁嵩，龙安泽，曹金星，应艳阳，杜陈，张函，
申请(专利权)人：江苏卓远半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：